一、mos管漏极电容的作用？
这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料。
尖峰吸收电路，用来吸收mos管开关瞬间电感产生的高压避免损坏mos管的，同时消耗谐波能量降低辐射。
二、mos管漏极跟源极相通？
MOS管是电压驱动，mos管的源极和漏极可以互换，它们在器件构造上是对称的。具体内部结构查看模电书。
n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。
三、mos管源极和漏极电压？
一、指代不同
1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。
四、mos管漏极和源极区别？
1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
五、MOS管哪个极电流最大？
MOS管的最大漏极脉冲电流
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
六、mos管源极和漏极并二极管
mos管源极和漏极并二极管
在电子工程中，mos管源极和漏极并二极管是一种常见的电子元件。它由源极、漏极和栅极组成，可用于各种电路应用。
mos管的工作原理
mos管是一种三极管，通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。当栅极电压为正值时，mos管处于导通状态，电流从源极流向漏极；当栅极电压为负值时，mos管处于截止状态，电流不流动。
源极和漏极并二极管是mos管中的两个重要节点。源极是mos管的输入端，漏极是输出端。通过控制源极和漏极之间的电流，可以实现信号放大、开关控制等功能。
mos管的应用
mos管源极和漏极并二极管广泛应用于各种电子设备和电路中。例如，在放大电路中，mos管可以作为信号放大器使用。在开关电路中，mos管可以用作开关来控制电流的通断。
此外，mos管还可用于功率放大、数字逻辑电路、模拟电路等领域。由于其体积小、功耗低、响应速度快等优点，mos管在现代电子技术中得到了广泛的应用。
总结
mos管源极和漏极并二极管是一种常见的电子元件，具有广泛的应用。了解mos管的工作原理和应用领域，对于电子工程师和电路设计师来说非常重要。
七、mos管漏极只能输出吗？
是的
漏极开路输出一般情况下都需要外接上拉电阻，才能输出高电平，和集电极开路输出类似，类似的还有漏极开路（Open Drain Output），其是驱动电路的输出MOS管的漏极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。
对于漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了OD。
八、mos管导通的漏极电压？
漏极电压与源极电压相同
普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
九、mos管漏源之间的二极管
mos管漏源之间的二极管
mos管是一种重要的半导体器件，它在电子行业中有着广泛的应用。在mos管的工作过程中，漏源之间的二极管是一个重要的组成部分。这篇文章将详细介绍mos管漏源之间的二极管的工作原理、特点和应用。
工作原理
当mos管处于导通状态时，漏极和源极之间的二极管处于导通状态。此时，电流可以从漏极流向源极，形成一个连续的电流通路。当电流通过二极管时，二极管会受到电压和电流的双重影响。电压会导致二极管的正偏压效应，而电流会导致二极管的发热。因此，了解二极管的工作原理对于优化mos管的工作性能至关重要。
特点
mos管漏源之间的二极管具有一些显著的特点。首先，它具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，这使得它适合用于高频电路中。其次，它具有快速响应的特点，这使得它能够适应快速变化的电路环境。此外，二极管的反向恢复时间较短，这使得mos管的整体性能得到了提升。
应用
由于mos管漏源之间的二极管具有上述特点，因此它在许多电子设备中都有广泛的应用。例如，它可以用于电源电路中作为稳压二极管，以保护电路免受电压波动的影响。此外，它还可以用于高频放大器、射频电路和功率转换电路中。
结论
总之，mos管漏源之间的二极管是mos管的重要组成部分，它的工作原理、特点和应用对于优化mos管的整体性能至关重要。了解和掌握这些知识对于电子工程师来说是必不可少的。
十、MOS管的源极，漏极，栅极是不是联通的，电流是什么走向？
栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
