一、igbt动态特性？
动态特性IGBT模块在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。
二、igbt的频率特性？
IGBT是个功率器件，它的开关频率上限并不是一个确定的值。频率特性如下：
首先，开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下，IGBT每次开关都会产生一定的损耗，开通损耗是Eon，关断损耗是Eoff，还有二极管反向恢复也有损耗Erec。
IGBT的开关频率越高，开关次数就越多，损耗功率就也高，那乘以散热器的热阻后，IGBT的温升也越高，如果温度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。
三、igbt导通特性？
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相...
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。
四、IGBT的额定电压？
IGBT表示电压等级。
额定电压：就是正常工作时的电压。但是IGBT不这么理解，比如耐压1200V的IGBT，一般工作在母线电压600V以下的电路中，留出1倍以上的余量
驱动电压：
由于IGBT是电压控制型器件，开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定，当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE(rh)的正电压时，IGBT导通，当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时，IGBT就关断。
五、igbt电压范围？
IGBT管G极电压应小于0.5V，最好是小于0.3V，正常时约为0V。如果待修理的电磁炉保险管已烧毁，那么基本上IGBT管也已击穿短路，试机拆下发热盘检查待机时G极电压，如高于0.5V，一定不能装上发热线盘试机，否则会损坏IGBT管，这时应检查运算放大器（LM339）、功率驱动管（8050、8550对管）、18v稳压管、偏置电路是否正常。
六、igbt饱和电压？
IGBT饱和电压？IGBT是一种复合器件，它是由一只场效应管和双极性晶体管组合起来的大功率器件，既保留了场效应管驱动功率小又保留了双极性晶体管导通压降低的优点，IGBT到同时和一般的双极星大功率晶体管的压降差不多，他的导通压降大约在零点几伏左右。
七、igbt截止电压？
IGBT是这样工作的，门极G和发射极E之间的电压大于一定的阀值电压时候，它就导通了。而当这个电压为零或者施加了反向电压时候，它会截止关电的，有点类似MOS之类的驱动，但是因为有结电容存在，它的导通是需要一定电流的，也就是驱动的功率会比MOS管大。
如果驱动电路上的阻容老化，或者光耦出现问题了，会导致驱动IGBT能力不足，而引起过电流之类的报警。IGBT的正常的正向导通电压是12-15伏，截止电压一般是-5到-9伏。
八、igbt各状态的电压？
如果正常工作 G脚一般是在0-15V左右或者-5V-+15V之间；-5V是为了完全关断也可以不要；这里一般是指GS之间的电压； D是大概导通的时候和S是一样的电平，不导通的时候可能是高电平；D的波形和G很接近；毕竟是G在驱动D的； S 一般是接地 ；简单接法是地； 判定GSD的方法很简单，看驱动电路就能看到，一般D接线圈或电源；S结地；G接一个信号驱动的输出； 当然我不熟悉电磁炉，我就是对IGBT做出一些解释。
九、igbt的伏安特性都有什么区？
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
十、igbt栅极电压范围？
15V-20V之间。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VCE越高，VDS也就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥IGBT的工作能力。
但是，VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高。IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。
