一、igbt驱动电压和工作电压有什么不同？

IGBT是电压控制型器件，开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定，当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE(rh)的正电压时，IGBT导通，当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时，IGBT就关断。工作电压是Uce之间的电压，一般电源电压应低于管子耐压值得一半，这样管子寿命较长。

二、igbt电压范围？

IGBT管G极电压应小于0.5V，最好是小于0.3V，正常时约为0V。如果待修理的电磁炉保险管已烧毁，那么基本上IGBT管也已击穿短路，试机拆下发热盘检查待机时G极电压，如高于0.5V，一定不能装上发热线盘试机，否则会损坏IGBT管，这时应检查运算放大器（LM339）、功率驱动管（8050、8550对管）、18v稳压管、偏置电路是否正常。

三、igbt饱和电压？

IGBT饱和电压？IGBT是一种复合器件，它是由一只场效应管和双极性晶体管组合起来的大功率器件，既保留了场效应管驱动功率小又保留了双极性晶体管导通压降低的优点，IGBT到同时和一般的双极星大功率晶体管的压降差不多，他的导通压降大约在零点几伏左右。

四、igbt截止电压？

IGBT是这样工作的，门极G和发射极E之间的电压大于一定的阀值电压时候，它就导通了。而当这个电压为零或者施加了反向电压时候，它会截止关电的，有点类似MOS之类的驱动，但是因为有结电容存在，它的导通是需要一定电流的，也就是驱动的功率会比MOS管大。

如果驱动电路上的阻容老化，或者光耦出现问题了，会导致驱动IGBT能力不足，而引起过电流之类的报警。IGBT的正常的正向导通电压是12-15伏，截止电压一般是-5到-9伏。

五、igbt栅极电压范围？

15V-20V之间。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VCE越高，VDS也就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥IGBT的工作能力。

但是，VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高。IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。

六、IGBT的额定电压？

IGBT表示电压等级。

额定电压：就是正常工作时的电压。但是IGBT不这么理解，比如耐压1200V的IGBT，一般工作在母线电压600V以下的电路中，留出1倍以上的余量

驱动电压：

由于IGBT是电压控制型器件，开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定，当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE(rh)的正电压时，IGBT导通，当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时，IGBT就关断。

七、IGBT工作原理？

IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。

普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。

大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。

将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。

IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。

常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。

测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。

若测3脚间电阻均很小或均为无穷大则管已损坏。

IGBT管是电磁炉常用的管，找张电磁炉电路图看一看。根普通的场效应管应用差不多。

八、igbt工作频率？

IGBT模块的击穿电压已达到1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A，最高工作频率可达30～40kHz，以IGBT为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上，故电动机的电流波形比较平滑，电磁噪声很小。

缺点是断态时的击穿电压较低（最大约3.3kV），功耗较大，电路较复杂。

九、igbt驱动电压多少伏？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的驱动电压一般为10V至20V。这个值取决于具体的IGBT型号、应用需求以及设计要求。

十、igbt两端电压？

答：不同的IGBT导通压降都不一样，例如 低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右， 快速型 导通压降大约2.7~3.7V左右。 你可以上生产IGBT的厂家下载资料 。例如 三菱 富士 英飞凌 西门康 LS 国产的 斯达 宏微 BYD等都有资料的。