一、晶体管的集电极与发射极之间的电压？
要是按你提问的说法回答，那么集电极电压和发射极电压是同一电压，在NPN管中，集电极电位高，显正值。发射极电位低，显负值。而PNP管则恰恰相反。
你应该问的是集电结电压与发射结电压有什么关系。要知道集电结两端的电压是指集电极与发射极之间的电压；发射结两端电压是基极与发射极之间的电压。
三极管正常放大工作时，集电结电压很大，发射结电压很小。发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来，发射结电流（电压）变化一点点能使集电结电流变化很大。
二、三极管的集电极电压与发射极电压有什么关系？
要是按你提问的说法回答，那么集电极电压和发射极电压是同一电压，在NPN管中，集电极电位高，显正值。发射极电位低，显负值。而PNP管则恰恰相反。你应该问的是集电结电压与发射结电压有什么关系。要知道集电结两端的电压是指集电极与发射极之间的电压；发射结两端电压是基极与发射极之间的电压。三极管正常放大工作时，集电结电压很大，发射结电压很小。
发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来，发射结电流（电压）变化一点点能使集电结电流变化很大。
三、基极与发射极，发射极与集电极之间的电压一般都是多少？
你这个问题问得有点含糊，三极管的正常工作状态有三种:饱和、放大、截止，利用放大作用可以组成放大电路，利用饱和和截止特性组成开关电路。
三极管又分为锗管和硅管，又有NPN型和PNP型，这些在你的问题中都没有体现。所以你的问题无法回答。我只能假设一下吧，如果你的是NPN型硅管，处于放大状态，那么BE级之间电压约0.7V左右，CE间的电压要根据供电电
四、发射极与集电极区别？
集电极和发射极的区别主要体现在以下三点：
1、电压承载（耐压）能力。集电极和基极的PN结可以承受高的逆向电压，但是发射极和基极PN结并不是不是用来承载高电压的，所以如果把发射极做为集电极使用，会导致三极管的耐压下降，容易击穿。这也是集电极的掺杂水平不能太高的原因。
2、载流子的区别。如果集电极和发射极对调之后，集电极的空穴电流增加，导致Beta下降，就是电流增益会减小。这在高频应用场合会导致三极管的性能会下降很多。
3、从NPN的工艺上来看，NPN是垂直结构，发射极在上边，基极在中间，集电极在下边，也即集电极和发射极的物理结构也不相同。参见如下结构：
五、igbt的集电极和发射极的电压有正负吗？
有的，有方向性。如果单纯是MOSFET管就没有电压正负之分，相当于电阻，电流从电压高的地方流向电压低的地方，但IGBT的集电极和发射极相当于二极管，有压降，分正负的，否则电流不能流过。IGBT是mos管与BJT的结合，门极电压开通特性及速度与mos管相似，IGBT导通特性则与BJT相似，有饱和导通压降，所以IGBT比较适合用在大功率，开关速率一般的电路。
六、S8550这种三极管的发射极-集电极击穿电压是多少？基极电压要多少V，发射极和集电极才能通？
S8550是PNP管，参数：VCBO -40 VVCEO -25 VVEBO -6 VIC -1.5 APC 1 WfT 200MHz发射极集电极间击穿电压为--40V以上，基极和发射极间电压需大于—0.6V C--E才能通。
七、三极管为什么发射极与集电极间有电压可以放大？
晶体三极管是由两块N或p型二极管、中间夹着一层P或N型二极管构成，分为集电极、基极、发射极。
集电极负责补充能量，基极负责触发控制，发射极负责输出。由于它的特殊构造，在发射区内注入的电子量是基极电子量的数倍，当基极信号电流开通，触动发射极电流发射，如基极进入一个电子，发射极流出的可能是几个或几百个电子，从而实现所谓的电流放大。
（1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。
（2）发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。
（3）联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。
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（1）截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
（2）放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
（3）饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
八、为什么基极电压都大于发射极和集电极却是截止区？
发射结正偏。
基极电压大于发射极电压。集电结反偏：三极管在正常工作状态时，加在集电极上的电压方向与其电流方向相反。在放大电路中be结正偏，bc结反偏，三极管工作在放大区，在数字电路中bc结0偏或反偏，三极管交替工作在饱和区和截止区。
九、bjt发射极与集电极如何偏置？
处于放大状态的PNP型三极管，三个电极的电位关系如下，发射极电位 > 基极电位 > 集电极电位即，Ue > Ub > Uc；且Ue > Ub 电压0.7v否则管子无法导通。
1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
十、电阻与电压：揭秘电阻与电压之间的关系
什么是电阻和电压？
在我们日常生活中，电流、电压和电阻都是不可或缺的概念。电流是电荷流动的量度，电压是电势差，而电阻则是电流通过时阻碍电流流动的因素。
通常，电阻被定义为物质抵抗电流流动的性质。它是电阻器或电子元件中的一种特性，通常用单位欧姆（Ω）来衡量。而电压则是电势差，能够驱动电流在电路中流动的力量，通常用单位伏特（V）来衡量。
电阻与电压的关系
电阻与电压之间存在着紧密的关系，它们是电路中不可分割的一对。根据欧姆定律，电压（V）等于电流（I）乘以电阻（R）。换句话说，电压与电阻成正比，电阻越大，所需的电压也越大。
这个关系可以通过下面这个公式来表示：
V = I * R
其中，V代表电压，I代表电流，R代表电阻。
为什么电阻大会导致电压增加？
当电路中的电阻增加时，电流会受到影响。根据欧姆定律，电阻通过时，电压会产生电流。因此，如果电阻增加，相同的电流通过电阻时，电压也会随之增加。
可以将电阻看作是电流的“妨碍”，它阻碍电流的流动。当电阻增加时，电流需要克服更大的阻力才能通过，所以电压也会随之增加。
电阻大电压的应用
电阻大电压的特性在实际应用中有很多用途。例如：
- 电阻可以用来限制电流。在某些电路设计中，我们希望电流的大小是可控的，因此选择一个适当的电阻值可以帮助我们达到这个目标。
- 电阻可以用来分压。分压电路是一种常见的电路配置，可以将输入电压分成不同的比例，以满足特定的需求。
- 电阻可以用来产生热量。某些电阻元件，如电炉、电热器等，通过电流通过电阻时产生的热量来提供加热效果。
总结
电阻与电压之间存在着紧密的关系，电阻越大，所需的电压也越大。电流需要克服电阻的阻力才能通过，因此当电阻增加时，电压也会随之增加。电阻大电压在电路设计和实际应用中具有重要作用。
感谢阅读本文，希望通过本文能够帮助您更好地理解电阻与电压之间的关系，以及电阻大电压的应用。
