一、发射极与集电极区别？
集电极和发射极的区别主要体现在以下三点：
1、电压承载（耐压）能力。集电极和基极的PN结可以承受高的逆向电压，但是发射极和基极PN结并不是不是用来承载高电压的，所以如果把发射极做为集电极使用，会导致三极管的耐压下降，容易击穿。这也是集电极的掺杂水平不能太高的原因。
2、载流子的区别。如果集电极和发射极对调之后，集电极的空穴电流增加，导致Beta下降，就是电流增益会减小。这在高频应用场合会导致三极管的性能会下降很多。
3、从NPN的工艺上来看，NPN是垂直结构，发射极在上边，基极在中间，集电极在下边，也即集电极和发射极的物理结构也不相同。参见如下结构：
二、igbt的集电极和发射极的电压有正负吗？
有的，有方向性。如果单纯是MOSFET管就没有电压正负之分，相当于电阻，电流从电压高的地方流向电压低的地方，但IGBT的集电极和发射极相当于二极管，有压降，分正负的，否则电流不能流过。IGBT是mos管与BJT的结合，门极电压开通特性及速度与mos管相似，IGBT导通特性则与BJT相似，有饱和导通压降，所以IGBT比较适合用在大功率，开关速率一般的电路。
三、晶体管的集电极与发射极之间的电压？
要是按你提问的说法回答，那么集电极电压和发射极电压是同一电压，在NPN管中，集电极电位高，显正值。发射极电位低，显负值。而PNP管则恰恰相反。
你应该问的是集电结电压与发射结电压有什么关系。要知道集电结两端的电压是指集电极与发射极之间的电压；发射结两端电压是基极与发射极之间的电压。
三极管正常放大工作时，集电结电压很大，发射结电压很小。发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来，发射结电流（电压）变化一点点能使集电结电流变化很大。
四、共发射极与共集电极区别？
1、组成在共发射极放大电路中，输入信号是由三极管的基极与发射极两端输入的，再在交流通路里看，输出信号由三极管的集电极和发射极获得。共集电极放大电路，在交流通路里看，输出信号由三极管的发射极两端获得
2、特性发射极放大电路：输入信号与输出信号反相；有电压放大作用；有电流放大作用；功率增益最高（与共集电极、共基极比较）；适用于电压放大与功率放大电路。共集电极放大电路：输入信号与输出信号同相；无电压放大作用，电压增益小于1且接近于1；电流增益高，输入回路中的电流iB<<输出回路中的电流iE和iC；有功率放大作用；适用于作功率放大和阻抗匹配电路；在多级放大器中常被用作缓冲级和输出级。
五、什么是集电极和发射极？
1、集电极是三极管中，从三个区引出相应的电极，分别为基极b，发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
2、发射极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极，分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和，其中基极电流最小，发射极电流最大，在基极加一很小的电流，在集电极就能输出或输入很大的电流，因此三极管有放大作用。三极管主要作用是放大信号，常用在放大电路和振荡电路中。
六、集电极发射极基极那个最大？
可以从三极管的小信号模型入手分析。b是基极，c是集电极，e是发射极。放大状态的时候，放大倍数为β的三极管有：ic=β ib，ie=ib+ic=（1+β）ib。所以排序的话ie>ic>ib，即发射极电流最大，基极最小。但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子
七、集电极和发射极的判别？
有两种方法进行判定：一种是用二极管挡进行测量，由于晶体三极管的发射区掺杂浓度高于集电区，所以在给发射结和集电结施加正向电压时PN压降不一样大，其中发射结的结压降略高于集电结的结压降，由此判定发射极和集电极。
另一种方法是使用hFE挡来进行判断。在确定了三极管的基极和管型后，将三极管的基极按照基极的位置和管型插入到卢值测量孔中，其他两个引脚插入到余下的三个测量孔中的任意两个，观察显示屏上数据的大小，找出三极管的集电极和发射极，交换位置后再测量一下，观察显示屏数值的大小，反复测量四次，对比观察。以所测的数值最大的一次为准，就是三极管的电流放大系数卢，相对应插孔的电极即是三极管的集电极和发射极。
八、基极与发射极，发射极与集电极之间的电压一般都是多少？
你这个问题问得有点含糊，三极管的正常工作状态有三种:饱和、放大、截止，利用放大作用可以组成放大电路，利用饱和和截止特性组成开关电路。
三极管又分为锗管和硅管，又有NPN型和PNP型，这些在你的问题中都没有体现。所以你的问题无法回答。我只能假设一下吧，如果你的是NPN型硅管，处于放大状态，那么BE级之间电压约0.7V左右，CE间的电压要根据供电电
九、S8550这种三极管的发射极-集电极击穿电压是多少？基极电压要多少V，发射极和集电极才能通？
S8550是PNP管，参数：VCBO -40 VVCEO -25 VVEBO -6 VIC -1.5 APC 1 WfT 200MHz发射极集电极间击穿电压为--40V以上，基极和发射极间电压需大于—0.6V C--E才能通。
十、pnp集电极和发射极谁大？
pnp集电极和发射极比大小，从电流角度看是发射极，从电位角度看也是发射极。三极管三个区，发射区发射载流子，集电区收集载流子，所以发射极电流大，发射极电流=集电极电流+基极电流。
若三极管工作在放大状态，发射结正偏，集电结反偏，则要求发射极电位最高，集电极电位最低。
