一、mos开启电压测量方法？

1、利用两个源测量单元分别与MOS晶体管的漏极及衬底相连，运算放大器的输出端与MOS晶体管的栅极相连，运算放大器的负输入端及直流电流源的负极均与MOS晶体管的源极相连构成的开启电压测试系统；

2、在进行MOS晶体管的开启电压测试时，向运算放大器的正输入端输入0V电压，通过直流电流源向MOS晶体管的源极提供大小等于目标电流的电流，之后通过源测量单元向MOS晶体管的漏极输入设定的电压并同时测量运算放大器的输出端与MOS晶体管的栅极之间的电压即可获得MOS晶体管的开启电压，测量过程操作简单，提高了测量的精准度，缩短了测试确定开启电压的过程所需的时间。

二、mos管栅极开启电压多少？

mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通

三、mos管的开启电压是哪个？

是的，G极的电压需要2-4V之间。 MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。 在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。

四、关于mos管的开启电压问题？

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

五、mos管npn和pnp的开启电压？

MOS管只有N沟道和P沟道的，npn和pnp的管子是三极管。

就MOS管而言，开启电压贴片低压2.5v就可以开启，直插的话需要10.5v以上才可以开启。

六、mos管的开启电压对应的电流？

MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

沟道开通后，理论上说不需要栅极维持电流，但实际上由于栅极有漏电流存在，往往需要保持一个稳态的栅源电压，但这个漏电流通常uA级，与BJT三极管的mA级相距甚远。

七、n沟道mos管的开启电压怎么测量？

一、先确定MOS管的引脚： 1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。

2、找到D极后，将万用表调至二极管档；

3、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）

八、mos管最高电压？

MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。

当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。

MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。

九、mos管的Uds＜0，Ugs大于开启电压会怎样？

MOS管会处于截止状态，即导通状态关闭。因为当Ugs大于开启电压时，MOS管中的PN结会被正向偏置，导致电流流不通，从而使得MOS管处于关闭状态。在MOS管的工作原理中，Ugs大于开启电压时，MOS管进入饱和区域，此时输出电流已经达到极限，再增加控制电压无法使输出电流继续增加。而当Ugs小于开启电压时，MOS管处于线性区域，此时输出电流与控制电压之间呈线性关系。因此，理解MOS管的开启和关闭条件对于电子工程师和电子技术爱好者来说非常重要。

十、mos管反向电压会烧掉mos吗？

不会，mos管有反向寄生二极管，加反向电压会直接导通