一、pnp饱和失真反向吗？

饱和时，基极和集电极都是正偏，所以反向饱和电流不复存在，代之以方向相反的多子扩散电流。因为饱和时集极正偏，发射极反偏，所以会产生由集电极到发射极的电流。

不管是NPN还是PNP管都是发射结正偏，集电结反偏，这样才能使电流方向和发射极箭头同向。

二、什么是反向饱和电流？

反向饱和电流是发生在二极管中的由于施加电压产生的一种电流。

二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

其他器件中也有类似的情况。 　

其根本在于PN结的单向导电性。

反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。 

三、充电饱和电路原理？

1.恒流、限压、充电电路。该部分由02、R6、R8、ZD2、R9、R10和R13等元件组成。当接通市电叫，开关变压器T1次级感应出交流电压。经D4、C4整流滤波后提供约12.5V直流电压。一路通过R6、R1l、R14、LED3(FuL饱和指示灯)和R15形成回路，LED3点亮，表示待充状态：另一路电压通过R8限流，ZD2(5V1)稳压，再由并联的R9、R10和R13分压为Q2b极提供偏置，使Q2处于导通预充状态。恒流源机构由Q2与其基极分压电阻和ZD2等元件组成。当装入被充电池时12.5V电压即通过R6限流，经Q2的c—e极对电池恒流充电。这时由于Ul(Ul为软封装IC型号不详)与R6并联。R6两端的电压降使其①脚电位高于③脚，②脚就输出每秒约两个负脉冲。

四、了解二极管反向电流——反向饱和电流是多少？

二极管是一种重要的电子器件，在电子电路中广泛应用。了解二极管的特性参数是有益的，其中之一就是反向电流。在正常工作条件下，二极管只允许正向电流通过，但在特定情况下，反向电流也会存在。本文将详细介绍二极管反向电流的概念、产生原因以及具体数值。

二极管反向电流的概念和定义

二极管反向电流，也称为反向饱和电流（reverse saturation current），指的是在二极管反向偏置下，由于少量的载流子跨越PN结结电容而形成的电流。反向电流的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要指标，通常采用反向电压为标准条件来测量。

二极管反向电流的产生原因

二极管的反向电流是由热激励下的少量载流子通过PN结结电容而形成的。在正向偏置情况下，结电容有利于主要载流子（电子或空穴）的向前注入，形成主要电流。而在反向偏置时，结电容会形成反向电场，促使少量载流子跨越结电容，形成反向电流。这种反向电流通常非常小，不能直接被使用者感知。

二极管反向电流的大小

二极管反向电流的大小取决于多种因素，包括温度、材料和封装等。一般来说，正常工作条件下，理想二极管的反向电流非常小，一般在几微安（μA）以下。而实际二极管的反向电流会略大一些，通常在几百纳安（nA）至几微安（μA）之间。需要注意的是，二极管在高温环境下，反向电流会显著增大，这是由于热激发导致载流子数量增加的结果。

结语

通过本文，我们对二极管反向电流有了更深入的了解。反向电流是二极管特性的重要参数之一，它的大小对二极管的正常工作和应用至关重要。了解二极管的反向电流有助于正确选择和使用二极管，确保电路的稳定性和可靠性。

感谢您阅读本文，希望通过本文的介绍，您对二极管反向电流有了更清晰的认识，并能在实际应用中更好地使用二极管。如有任何问题或需要进一步了解，欢迎随时反馈。祝您生活愉快！

五、is为什么叫反向饱和电流？

is为pn结的反向饱和电流 , Ut=KT/q .公式推导根据PN结电流方程I=Is[exp(qVbe/KT)-1]。

二极管的反向电流很小，常常称为截止电流。由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。

六、硅二极管反向饱和电流

硅二极管反向饱和电流的介绍

反向饱和电流是二极管的一个重要参数，它是指在没有外加电压的作用下，二极管两端的电流。在电子设备中，硅二极管被广泛使用，而反向饱和电流的大小直接影响到设备的性能和稳定性。本文将详细介绍硅二极管反向饱和电流的概念、影响因素及其测量方法。

反向饱和电流的概念

在二极管的结构中，存在着PN结。当没有外加电压时，PN结中存在一定的载流子，这些载流子在电场的作用下会发生漂移，从而产生一定的电流。这个电流就是反向饱和电流。

影响因素

硅二极管反向饱和电流的大小受到多种因素的影响，包括温度、掺杂浓度、器件结构等。随着温度的升高，载流子的寿命会缩短，从而导致更多的载流子参与漂移运动，使得反向饱和电流增大。同时，掺杂浓度越高，载流子的数量越多，反向饱和电流也越大。此外，器件结构也会影响反向饱和电流的大小，例如肖特基二极管比普通二极管的反向饱和电流要小。

测量方法

反向饱和电流的测量通常采用直流电流测量法。首先，将二极管接入直流电源和电流表，然后调节电源的电压，使二极管处于反向偏置状态。此时，反向饱和电流就会通过电流表进行测量。另外，也有采用数字万用表进行测量的方法，通过测量二极管两端的电压降，可以间接计算出反向饱和电流的大小。

应用场景

硅二极管反向饱和电流的特性决定了它在一些特定场景中的应用。例如，在无线通信设备中，由于信号会干扰二极管的性能，因此需要选择具有较低反向饱和电流的二极管。此外，在电源电路中，为了防止电压波动对电子设备的影响，也需要选择具有较低反向饱和电流的二极管。

七、pn结反向饱和电流公式推导？

二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。

八、怎么判断同向放大电路和反向放大电路？

区别是输入端方向不一样。同相放大电路的输入信号是从同相输入端输入 ，反相放大电路的输入信号加在反相输入端。 所谓同相端、反相端，是与输出端信号相位作为参考点的； 以单级运放电路来说： 信号在同相端（+）输入的，就是同相放大电路，因为输出信号相位与输入信号相位相同； 信号在反相端（-）输入的，就是反相放大电路，因为输出信号相位与输入信号相位反相； 不管是同相或反相放大电路，都必须有负反馈电路，简单例子就是在输出端与反相（-）输入端之间连接个电阻等元件，构成所谓的闭环，因为运放增益高，构成线性放大电路，是不能开环工作，必须通过负反馈实现闭环才能工作。 一 相同点： 两个都可以放大输入讯号 二 差异：

1，反相顾名思义与输入电压相反180度，同相是相同 2，同相与反相的输入阻抗不一样 3，同相多半用於震汤多，放大有时容易自激

九、反向加法比例运算电路公式？

反向比例运算电路 - 反相比例运算电路由于具有“虚地”的特点,运放的同相输入端和反相输入端均为0电位,所以反相比例运算电路的 共模输入电压等于0。

十、为什么要对电路反向放大？

1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了。

2、晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动；

晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。

3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率