一、集成电路发展史?
历史上第一个集成电路出自杰克-基尔比之手,当时,晶体管的发明弥补了电子管的不足,但工程师们很快又遇到了新的麻烦。为了制作和使用电子电路,工程师不得不亲自手工组装和连接各种分立元件,如晶体管、二极管、电容器等。
1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;
1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路;
1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段;
1997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹;
2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争,使集成电路发挥了它更大的功能,更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程:
电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路
二、电脑集成电路发展史?
集成电路的发展经历了一个漫长的过程,以下以时间顺序,简述它的发展过程:
1906年,第一个电子管诞生;
1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展;
1918年前后,逐步发现了半导体材料;
1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性;
1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象(这也为经典工艺所能达到的集成尺寸极限下了定论——7NM);
1946年,威廉.肖克利(硅谷创始人,杰出的电子工艺学家,物理学家)的研发小组成功研发半导体晶体管,使得IC大规模地发挥热力奠定了基础;
1956年,硅台面晶体管问世;
1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;
1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路;
1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段;
1997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹;
2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争,使集成电路发挥了它更大的功能,更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程:电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路。
三、集成电路材料的发展史?
集成电路的发展经历了一个漫长的过程,以下以时间顺序,简述它的发展过程:
1906年,第一个电子管诞生;
1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展;
1918年前后,逐步发现了半导体材料;
1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性;
1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象(这也为经典工艺所能达到的集成尺寸极限下了定论——7NM);
1946年,威廉.肖克利(硅谷创始人,杰出的电子工艺学家,物理学家)的研发小组成功研发半导体晶体管,使得IC大规模地发挥热力奠定了基础;
1956年,硅台面晶体管问世;
1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;
1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路;
1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段;
1997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹;
2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争,使集成电路发挥了它更大的功能,更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程:电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路。
四、我国集成电路发展史正确的是?
我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段:
1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;
1978年-1990年:主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化;
1990年-2000年:以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。
五、中国集成电路发展史及重要人物?
我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了四个发展阶段。
第一阶段是1965年到1978年,以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;
第二阶段是1978年到1990年,主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化;
第三阶段是1990年到2000年,以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展;
第四阶段是2000年到现在,智能手机和消费电子的快速发展带动了集成电路的发展,以上海、北京、深圳作为第一梯队,中国集成电路产业整体快速发展的同时,中国集成电路企业实力也得到了显著提升。
中国集成电路史上最具代表性的六位科学家
一、黄敞:中国航天微电子与微计算机技术的奠基人
1934年9月入南京五台山小学学习,后随父母搬迁,先后就读于湖南长沙下马岭小学、香港中华中学附小。1953年获得美国哈佛大学博士学位后,1953年至1958年期间,黄敞先生受聘于雪尔凡尼亚半导体厂,相继担任高级工程师、专家工程师和工程经理,从事半导体前沿科学研究工作。
20世纪50年代初中期,当时国际的半导体、晶体管理论与工艺技术处于研究开发阶段。这一时期,身在美国的黄敞先生把研究重心放在了晶体管理论及制作工艺等半导体前沿科学上,通过在美国多家著名企业和院校进行晶体管理论与技术的探索研究,系统论述了晶体管理论和应用,发表论文20余篇,获得美国专利10项。
1965年,为发展航天微电子与微计算机事业,黄敞先生调至同年组建的中国科学院156工程处,即771所前身,开始从事航天微电子与微计算机事业。黄敞成功研制出固体火箭用CMOS集成电路计算机,使我国卫星运载技术跨上了新台阶,也为后续发展奠定了坚实基础。1975年,主持研制的大规模集成电路、大规模集成的I2L微计算机,获得了1978年全国第一次科学技术大会质量金奖。
二、邓中翰:中国芯片之父
1968年9月5日出生于江苏南京,微电子学、大规模集成电路及系统专家,中国工程院院士,星光中国芯工程总指挥,中星微集团创建人,1987年9月,邓中翰考入中国科学技术大学地球和空间科学系 ,在大学期间,邓中翰就在黄培华教授的指导下,进行科学研究。1992年6月,本科毕业,获得学士学位后赴美留学,进入加利福尼亚大学伯克利分校学习,先后获得物理学硕士、经济学硕士、电子工程与计算机科学博士,成为该校成立130年来横跨理、工、商三科学位的第一人。
2005年,邓中翰领导开发设计出的“星光”系列数字多媒体芯片,实现了八大核心技术突破,申请了该领域2000多项中国国内外技术专利,取得了核心技术突破和大规模产业化的一系列重要成果,这是具有中国自主知识产权的集成电路芯片第一次在一个重要应用领域达到全球市场领先地位,彻底结束了中国了“无芯”的历史 。
邓中翰是中国大规模集成电路及系统技术主要开拓者之一,邓中翰在“星光中国芯工程”中做出了突出成就,被业界称为“中国芯之父” 。
三、沈绪榜:研制16位嵌入式微计算机促进NMOS技术的发展
1933年生于临澧县烽火乡兰田村,1953年沈绪榜考入武汉大学数学系,中国计算机专家、中国科学院院士,1957年毕业于北京大学数学力学系。中国航天时代电子公司第七七一研究所研究员,大学兼职教授,一直从事嵌入式计算机及其芯片的设计工作。
沈绪榜一直从事航天计算机及其国产芯片的设计研制工作,并作出了重大贡献。1965年,他设计研制了我国第一台国产双极小规模集成电路航天制导计算机,并首次研制出了我国第一台国产PMOS中规模集成电路航天制导计算机,促进了中国PMOS集成电路技术的迅速发展。
1977年完成了我国第一台国产NMOS大规模集成电路航天专用16位微计算机的研制,获国家科技进步三等奖,他研制的专用大规模集成电路运算逻辑部件ALU于1988年获国防专用国家级科技进步三等奖。
四、许居衍:创建中国第一个集成电路专业研究所
1934年7月9日 出生于福建省闽侯县,1953-1956年 厦门大学物理系学习,1956-1957年 北京大学物理系学习。1970年,他参与了中国第一个集成电路专业研究所——第二十四研究所的创建,组织中国第一块硅平面单片集成电路的研制定型、参与计算机辅助制版系统及离子注入技术的基础研究,在集成电路工程技术的研究方面作出了创新性贡献。
1978年起,他开始担任所级技术领导工作,对24所在确定科技方向、预先研究、繁荣学术活动和加速人才培养、组织科技攻关等方面,均做出了明显成绩。在他担任总工程师期间,24 所完成了4K、16K、64K DRAM、八位微机、超高速ECL、八位数模转换器等重大科技开发工作,先后获得国家科技进步奖1项,部科技进步一等奖10多项。
许居衍同志是中国微电子工业初创奠基的参与者和当今最重点企业的技术创建与开拓者,为中国微电子工业发展作出了重大贡献。
五、林为干:中国微波之父
1919年10月20日生于广东台山县.中国科学院院士、微波理论学家、电子科技大学教授。1939年毕业于清华大学。1951年获美国加州大学博士学位,1951年回国后,在岭南大学、华南工学院任教。
林为干对中国电磁科学的发展作出了杰出的贡献,他50年来在此领域耕耘至今,其主要科技成就为闭合场理论,开放场理论和镜像理论。在闭合场理论方面,他发表了“一腔多模拟微波滤波器”的观点,奠定了一腔多模的作用,林为干开展了毫米波技术和宽带光纤技术等方面的系统研究,完成了一大批国家科研任务,取得了一系列成果。
正是由于他在国内微波理论方面作出的开拓性贡献,香港中文大学在1993年邀请林为干做学术报告时,尊他为“中国微波之父”。
六、吴德馨:国内首次成功研制硅平面型高速开关晶体管
1936出生于河北乐亭,半导体器件和集成电路专家,1961年毕业于清华大学无线电电子工程系,主要从事化合物半导体异质结晶体管和电路的研究,包括0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管、砷化镓/铟镓磷HBT晶体管,氮化镓/铝镓氮异质结场效应功率晶体管和研制成功砷化镓/铟镓磷HBT光发射驱动电路。
60年代初,吴德馨在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管,所提出的提高开关速度的方案被广泛采用,并向全国推广,60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路,70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制,并进行了提高成品率的研究。
吴德馨在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合,并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺技术,获1998年中科院科技进步一等奖和1999年国家科技进步二等奖。
俗话说:喝水不忘挖井人,我们在享受技术带来便利的同时,也不要忘了那些为开拓技术献身的人,他(她)们是国家和集成电路产业的骄傲,笔者列出这些科学家的目的一方面是表示对这些科学家的敬意,另一方面是鼓励更多的企业或个人为中国集成电路做出更大的贡献,助力“中国芯”的发展。
六、蚌埠龙虾发展史?
老蚌埠,全国最早卖小龙虾的城市
自从1979年起,在蚌埠南山路的这条街上,自发形成了一个烧卖蚂虾(外地人叫小龙虾)的露天市场。新手老手过招,拼着蚂虾的口味,也拼着竞争的路数;有过泪水,也有过欢笑;达到过声名远播红红火火的巅峰,也感受着市场萎缩日薄西山的无奈。
在蚌埠,有蚂虾的地方就有“江湖”。石顺利,1979年开始练摊,从最初的每天三五斤,卖到后来的每天两千斤,率先申请注册了商标—-“正宗虾王石顺利”。1985年,来自怀远的小学徒孙信亮第二个在蚌埠摆起了蚂虾摊。随后,下岗工人吴孝怀也开始了他的卖虾生涯......正因有这些混迹“江湖”的“烧虾师”们,才有了声名鹊起的蚌埠蚂虾街。1998年,蚌埠蚂虾街成为安徽省最大的蚂虾消费市场和集散地。2005年高峰期,经营商有六七十家,日客流量最高达到三四万人。蚌埠蚂虾街成为了老蚌埠的一张名片,也成为了安徽展开的一张长卷市井图。
大蚂虾,传播老蚌埠文化的载体
四十年前,安徽省文史馆馆员郭学东就和“蚂虾”结过缘。1988年,蚂虾被郭学东记录在《蚌埠市志》一个章节中。这也是蚌埠蚂虾第一次正式见诸于文字记载。一条街一段记忆,一座城一个特征,蚌埠蚂虾街十年间的兴衰成败,在蚌埠电视台编导朱麾《虾街十年》的镜头下被详细纪录,影片真实的反映了老蚌埠豪放吃虾开怀饮酒的市井文化,并获得了中国纪录片的最高奖。
蚌埠蚂虾街—《虾街十年》 - 腾讯视频 https://v.qq.com/x/page/q0152up4ri2.html
老蚌埠大蚂虾 重整辉煌
2016年,阿财老铺创始人朱海停、杨天才一直钻研蚂虾和蚌埠本土文化餐饮,尤其对老蚌埠大蚂虾的文化研究颇深,出于对老蚌埠蚂虾文化的继承和发扬,联合了微凡科技创始人郭一凡、季阳导演、音乐人刘海、穆沙等人,他们热爱本土文化,半年来,利用自己的业余时间,共同创作了《老蚌埠大蚂虾》之歌,为了凸显蚌埠地域特色,歌曲采用当地方言、民俗、文化生活绑定的歌唱形式,具体请看
老蚌埠大蚂虾 - 腾讯视频 https://v.qq.com/x/page/y0335t7mcso.html
MV一经推出,大蚌埠帝国人民心中老蚌埠大蚂虾骄傲情怀彻底释放,视频播放量达500000人次,“想吃大蚂虾,先学蚌埠话“ 口口相传,一时间,蚌埠本土大蚂虾市场持续高潮。
未完待续。。。
七、数学发展史学习?
简单的说就是分三阶段,第一古典微积分阶段,牛顿莱布尼茨整合总结了前人关于微分和积分的想法,明确提出微分和积分的概念,并且提出牛顿莱布尼茨公式,微分和积分互为逆运算。第二个阶段是分析严格化的阶段,完善了分析学的理论基础,解决了古典微积分的矛盾。其实从拉格朗日的试图分析代数化就是在做这方面的尝试,这一时期的致力于分析严格化的数学家有柯西,魏特拉斯威尔的极限定义就是现在课本的极限定义,阿贝尔,戴德金的实数完备性理论等等。第三个阶段是流形上的微积分,或者说现代的微积分,著名的微分几何学家嘉当提出了定向的概念,提出外微分形式把格林公式斯托克斯公式高斯公式这三个多元微积分的基本定理统一起来,把多元微积分的微分和积分的矛盾真正讲清楚了。
八、集成电路原理?
1、集成电路的工作原理,简单地说,就是三点:
(1)把晶体管直接制作在单晶硅上;
(2)把各元件高度密集地集成在一起,其连线越来越细,目前已经细到纳米级;
(3)把对外连接的线路引到管脚处。
2、集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。
采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;
其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“ic”表示。
九、集成电路月薪?
集成电路设计工程师是现代半导体行业的关键技术人才之一,其主要工作是参与芯片的设计、仿真、验证等工作,确保芯片能够稳定高效地运行。
集成电路设计工程师工作强度大,需要具备扎实的电子电路基础知识、CAD工具操作技能和高度的创新意识。
根据行业薪酬水平,集成电路设计工程师一般的月薪在1.5万到2.5万元之间,具体薪资水平还受到个人技能水平、经验和所在地区等因素的影响。同时,随着科技的不断发展和半导体行业的繁荣,集成电路设计工程师的薪资水平也将会继续上涨。
十、集成电路公式?
电阻计算的公式:(1)R=ρL/S (其中,ρ表示电阻的电阻率,是由其本身性质决定,L表示电阻的长度,S表示电阻的横截面积) (2)定义式:R=U/
I(3)串联电路中的总电阻:R=R1+R2+R3+……+Rn(4)并联电路中的总电阻:1/R=1/R1+1/R2+……+1/Rn(5)通过电功率求电阻:R=U²/P;R=P/I²说明:物理学中,电阻表示导体对电流的阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体,电阻一般不同,电阻是导体本身的一种特性。