一、pmos工艺？
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管
全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor
别名 ： positive MOS
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
二、pmos电路？
以P沟道MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称PMOS。衬底是N型硅片，栅为金属铝。两个邻近的P型扩散区和跨于两扩散区的铝栅，连同衬底构成一个P沟道MOS晶体管，铝栅PMOS电路中各元件之间，可用与铝栅同时形成的铝线或与源、漏区同时形成的扩散线进行连接。
三、pmos驱动电路？
pmos是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，全称为 positive channel Metal Oxide Semiconductor，别名为 positive MOS。
金属氧化物半导体场效应晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。
P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pmos晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。
只是，因pmos电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
四、pmos常用型号？
P沟道MOS也叫PMOS，常用型号参数 有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。
五、pmos的功率？
pmos的是0.7695W
SI7149ADP-T1-GE3看规格书，最大Rds（on）=0.0095Ω （VGS=-4.5V）
在平均电流为9A的情况下，消耗功率P=9*9*0.0095=0.7695W
根据SI7149ADP-T1-GE3规格书里面的热阻最大为 25℃/W
因此外壳温度升高25℃/W * 0.7695W = 19℃
这个意思是说没有这器件，PCB板的温度是40℃，那么加上这个器件之后，器件外壳的温度是40℃+19℃ =59℃
六、pmos电容工作原理？
模拟IC电路设计中，会经常用到电容。芯片内部的电容一般使用金属当作上下基板，但是这种金属电容缺点是消耗面积太大。为了作为替代，在一些对电容要求不是很高的电路中，有人就想到了MOS管。
MOS管电容的原理
MOS管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。
七、华为pmos是什么
回答如下：华为PMOS是一种基于自主研发的开源芯片平台，旨在为物联网、车联网、智能家居等领域提供高效、安全、可靠的芯片解决方案。
PMOS采用了全新的SoC架构，集成了丰富的硬件资源和软件支持，可快速定制和开发各种应用场景所需的芯片。同时，PMOS还提供了全面的安全保障机制，确保芯片在应用过程中的安全性和可靠性。
八、pmos管关断条件？
Pmos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V
如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw
那么mos管不导通，D为0V，
所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
九、pmos管体效应？
首先体效应是因为衬底电压比源极电压更低之后导致沟道处的耗尽区宽度更宽从而导致阈值电压更高。如果说衬底的电压和源极的电压相同，那么就不存在体效应。
NMOS和PMOS的结构如下
现有的集成电路工艺中所有的NMOS是直接做到衬底上的（衬底为P掺杂），电路中不同位置NMOS因为连接的结构不同，所以源极的电压都不一样，这个时候就没办法把衬底跟所有的源极短接，那样就短路了是吧。
但是PMOS呢是需要先在衬底上做一块N阱，然后再做PMOS的结构，所以理论上每个PMOS的N阱都可以直接和每个PMOS的源极单独连接。因此PMOS可以做到消除体效应。
十、pmos管工作原理？
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子。
而在衬底感应的是可运动的正荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
