一、什么是反向饱和电流？

反向饱和电流是发生在二极管中的由于施加电压产生的一种电流。

二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

其他器件中也有类似的情况。 　

其根本在于PN结的单向导电性。

反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。 

二、is为什么叫反向饱和电流？

is为pn结的反向饱和电流 , Ut=KT/q .公式推导根据PN结电流方程I=Is[exp(qVbe/KT)-1]。

二极管的反向电流很小，常常称为截止电流。由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。

三、pn结反向饱和电流公式推导？

二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。

四、了解二极管反向电流——反向饱和电流是多少？

二极管是一种重要的电子器件，在电子电路中广泛应用。了解二极管的特性参数是有益的，其中之一就是反向电流。在正常工作条件下，二极管只允许正向电流通过，但在特定情况下，反向电流也会存在。本文将详细介绍二极管反向电流的概念、产生原因以及具体数值。

二极管反向电流的概念和定义

二极管反向电流，也称为反向饱和电流（reverse saturation current），指的是在二极管反向偏置下，由于少量的载流子跨越PN结结电容而形成的电流。反向电流的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要指标，通常采用反向电压为标准条件来测量。

二极管反向电流的产生原因

二极管的反向电流是由热激励下的少量载流子通过PN结结电容而形成的。在正向偏置情况下，结电容有利于主要载流子（电子或空穴）的向前注入，形成主要电流。而在反向偏置时，结电容会形成反向电场，促使少量载流子跨越结电容，形成反向电流。这种反向电流通常非常小，不能直接被使用者感知。

二极管反向电流的大小

二极管反向电流的大小取决于多种因素，包括温度、材料和封装等。一般来说，正常工作条件下，理想二极管的反向电流非常小，一般在几微安（μA）以下。而实际二极管的反向电流会略大一些，通常在几百纳安（nA）至几微安（μA）之间。需要注意的是，二极管在高温环境下，反向电流会显著增大，这是由于热激发导致载流子数量增加的结果。

结语

通过本文，我们对二极管反向电流有了更深入的了解。反向电流是二极管特性的重要参数之一，它的大小对二极管的正常工作和应用至关重要。了解二极管的反向电流有助于正确选择和使用二极管，确保电路的稳定性和可靠性。

感谢您阅读本文，希望通过本文的介绍，您对二极管反向电流有了更清晰的认识，并能在实际应用中更好地使用二极管。如有任何问题或需要进一步了解，欢迎随时反馈。祝您生活愉快！

五、硅二极管反向饱和电流

硅二极管反向饱和电流的介绍

反向饱和电流是二极管的一个重要参数，它是指在没有外加电压的作用下，二极管两端的电流。在电子设备中，硅二极管被广泛使用，而反向饱和电流的大小直接影响到设备的性能和稳定性。本文将详细介绍硅二极管反向饱和电流的概念、影响因素及其测量方法。

反向饱和电流的概念

在二极管的结构中，存在着PN结。当没有外加电压时，PN结中存在一定的载流子，这些载流子在电场的作用下会发生漂移，从而产生一定的电流。这个电流就是反向饱和电流。

影响因素

硅二极管反向饱和电流的大小受到多种因素的影响，包括温度、掺杂浓度、器件结构等。随着温度的升高，载流子的寿命会缩短，从而导致更多的载流子参与漂移运动，使得反向饱和电流增大。同时，掺杂浓度越高，载流子的数量越多，反向饱和电流也越大。此外，器件结构也会影响反向饱和电流的大小，例如肖特基二极管比普通二极管的反向饱和电流要小。

测量方法

反向饱和电流的测量通常采用直流电流测量法。首先，将二极管接入直流电源和电流表，然后调节电源的电压，使二极管处于反向偏置状态。此时，反向饱和电流就会通过电流表进行测量。另外，也有采用数字万用表进行测量的方法，通过测量二极管两端的电压降，可以间接计算出反向饱和电流的大小。

应用场景

硅二极管反向饱和电流的特性决定了它在一些特定场景中的应用。例如，在无线通信设备中，由于信号会干扰二极管的性能，因此需要选择具有较低反向饱和电流的二极管。此外，在电源电路中，为了防止电压波动对电子设备的影响，也需要选择具有较低反向饱和电流的二极管。

六、1n4007反向饱和电流怎么测？

1N4007是整流二极管耐压为1000V，电流1A，所以如果用在控制电路中损坏的可能性不太大。

二极管在脱机状态下用RX100档测一下正反向电阻就知道好坏了，正反向电阻阻值相差大的就是好的。

（一般正反向电阻为1K比数千K至无限大

七、光电池的反向饱和电流怎么求？

is为pn结的反向饱和电流 , Ut=KT/q .公式推导根据PN结电流方程I=Is[exp(qVbe/KT)-1]。

二极管的反向电流很小，常常称为截止电流。由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。

八、二极管的反向饱和电流与反向漏电流区别？

二极管的反向电流很小，常常称为截止电流。由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。反向漏电流的大小与组成PN结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流还中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与PN结制作工艺密切相关。

九、p型半导体反向饱和电流密度公式？

二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。

上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。

由於在一定的反向电压下, 反向的电流会很小(甚至为零); 只是当反向电压达到某值后, 反向电流就会激增, 此时称二极管被击穿。通常我们会认为反向电流近似为零

十、硅管和锗管反向饱和电流的比较，反向击穿电压的比较？

硅管反向饱和电流远低于锗管的反向饱和电流（只有后者的百分之一左右），而且一般硅管的反向击穿电压也高于锗管。