一、mos管尺寸与电容关系？
受制于mos管的生产工艺，mos管的尺寸越大，mos管的极间电容就越大。
二、mos管封装与参数的关系？
mos管封主要有2种，一种是双列直插塑封，另一种为双列直插陶瓷封装，主要差別是陶瓷封装的使用温度允许125℃，比塑料高。
三、mos管的电流特性？
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
四、MOS管电流噪音？
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。
五、mos管参数与开关频率关系？
以840的参数计算，假定门极电压10V，那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是，不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了，而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。可以把门极电容放电时间估计为63us的2倍，即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小，估计充电时间为0.06ms。那么充电放电时间一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关工作频率为5.5kHz。
六、mos栅管极电流与什么有关？
漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。 以N沟道增强型MOS管为例： 当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象； 当Vgs>Vgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。 以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。
其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本，根据其自身特性进行具体分析。
七、灯丝电流与管电流之间的关系？
灯丝电流是通过灯丝用的电流管电流是灯管电流
八、mos管导通电阻与温度关系？
如果驱动电压小于10v，那就太有关系了，mos管都没有完全打开，内阻会比较大，温升肯定大，如果你指的是＞10v的驱动电压，看你应用在什么场合了，低频场合驱动电压高低影响不大，但是如果应用在射频等高频下，那就有影响了。
VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈，即MOS管的RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为RDS(ON)的负温度系数区域。
半导体内部与外部的温度差由热阻决定。结与外壳间的热阻为R，外壳与散热片之间的热阻为R，结（芯片）与周围环境的热阻为R衄^。
九、mos管最大允许电流？
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
十、MOS管负载电流和导通压降的关系？
与三极管的CE端导通压降固定不同，MOS管的DS端等效为一个可变电阻Rdson，MOS关断时阻值无穷大，而导通时阻值无穷小，所以导通时即使ID很大，这个功耗也很小。
ID电流由负载决定
高压MOS管等效为多个MOS管串联，低压MOS管等效为多个并联
（1）高压MOS管的Rdson大(相同功率的负载，电压大，电流小，等效电阻大，一般为几十毫欧)，GS电容小(串联，所以导通快)。
（2）低压MOS管则相反(Rdson为几毫欧)。
MOS管的DS间有一个体二极管，它与ID方向相反，它的压降是0.7V左右，随着电流增大，这个压降也会变大，如100A时，可能达到1V多的压降。体二极管的电流与ID是接近或相等的。它消耗的功率是很大的，这个损耗叫续流损耗
