一、MOS管的引脚？

MOSFET管(金属氧化物半导体场效应管)的引脚有三个，分别是源极(S)，栅极(G)和漏极(D)。其中，源极一般接地或负极上，漏极接负载，栅极控制电路的通断。

当栅极电压为零时，MOS管处于截止状态；当栅极加上正向电压时，与源极之间就有了足够的导通电压，MOS管处于导通状态。由于MOSFET可以通过改变栅极电压即可控制其输出电流的大小，因此在电子技术和应用中，MOSFET具有广泛的应用，如电源控制、开关电源等各种场合。

二、mos管怎么判断引脚？

先对MOS管放电，将三个脚短路即可

首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。

用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。

三、mos管的引脚区分？

G极比较好认，为中间的一脚；S极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是p沟道还是N沟道，是单独引线的那边。

判定栅极G：将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。

判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极

四、MOS管哪个极电流最大？

MOS管的最大漏极脉冲电流

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

五、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。

六、8脚mos管引脚定义？

是：其中1号引脚和8号引脚分别为源极和漏极引脚；2号引脚和3号引脚是功率控制端，通常连接于电路的驱动器或控制芯片；4号引脚和5号引脚是控制端电源，通常连接于控制芯片的电源端；6号引脚和7号引脚是负载电路的电源端，通常连接于被控制的负载电路。因此可以得出是十分明确的；其原因是每个引脚都有固定的定义和用途，且符合工程师设计电路的需要；进一步延伸其内容可以包括mos管在电路中的应用范围和作用以及引脚不同接法所带来的不同效果等。

七、mos管的电容是指？

寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。

　　ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。

　　我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。

　　故此，如果MOS的开关速度很快的情况下，建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生电容的影响。

　　电容随着VDS电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。当电压增加时，和VDS相关电容的减小来源于耗尽层电容减小，耗尽层区域扩大。然而相对于CGD，CGS受电压的影响非常小，CGD受电压影响程度是CGS的100倍以上。

八、mos管4407引脚定义？

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。 增强耗尽接法基本一样。 无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

九、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

十、mos管栅极电流是0吗？

mos管栅极驱动电流一般都是0，因为栅极和源极电阻是绝缘级的