MOSFET的迁移率公式通常表示为:μ = (kT/q) * (L/W) * (1/Von),其中μ是迁移率,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,q是电子电荷,L是器件的长度,W是器件的宽度,Von是开启电压。这个公式可以帮助我们理解和预测MOSFET的性能。
MOSFET的迁移率公式通常表示为:μ = (kT/q) * (L/W) * (1/Von),其中μ是迁移率,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,q是电子电荷,L是器件的长度,W是器件的宽度,Von是开启电压。这个公式可以帮助我们理解和预测MOSFET的性能。