一、mos管的电流公式怎么得出？

公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。

上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。

二、mos管速度饱和电流公式？

直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）

先求出传递函数，可以用节点电压法：

设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：

u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)

u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）

式中，w=2*3.14*f 是角频率

T32=R3*C2 是同相端时间常数

u-=u0*R/(Rf+R) （3）

设运放放大倍数是无穷大，则有

u+=u-

即（2）=（3）

u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)

u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)

式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数

(4)代入(1)

u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0

u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3

u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

整理一下写为：

u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q

根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32

令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0

方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，

w2=2*3.14* 30MHZ，

对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即

(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0

W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0

得

B= -2*3.14*50M

C=4*3.14^2*600*M^2

待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。

三、mos管电流计算公式？

公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。

上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。

四、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

五、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。

六、mos管电阻公式？

MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）

通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100

七、mos电流密度公式？

电流密度的公式是：J=I/A，其中， I是电流，J 是电流密度，A 是截面矢量。电流密度是一种度量，以矢量的形式定义其方向是电流的方向，其大小是单位截面面积的电流。采用国际单位制，电流密度的单位是“安培／平方米”，记作A/㎡。

拓展资料：

电流产生条件：有大量可移动的自由电荷，有电场力的作用，构成回路，大量电荷作定向运动形成电流。若E内≠0时，电荷在电场作用下发生宏观定向移动。

电流方向的规定：正电荷移动的方向。 负电荷移动方向与电流方向相反。

电流强度是描述描写电流强弱的物理量，是单位时间内流过导体截面的电量 。

电流密度是描写电流分布的物理量。

导体中任意一点的电流密度J的方向为该点正电荷的运动方向；J 的大小等于在单位时间内，通过该点附近垂直于正电荷运动方向的单位面积的电荷。

金属导体中的电流 I 和电流密度 j 均与自由电子数密度 n 和自由电子的漂移速率 v 成正比。

八、mos管最大允许电流？

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

九、mos管承载电流的原理及应用分析

十、mos管的电流功率怎么算？

通过公式计算，MOS管自身的功率:

    P=VDS*ID,VDS=ID*Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

    MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd。