一、Mos管驱动电流计算方法？
第一种: 可以使用如下公式估算： Ig=Qg/Ton 其中： Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。 Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间 Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） 第二种：（第一种的变形） 密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig； Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg； Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压； 第三种： 以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
二、MOS管电流噪音？
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。
三、mos管的电流特性？
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
四、mos管最大允许电流？
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
五、mos管承载电流的原理及应用分析
MOS体二极管是一种常见的半导体器件,广泛应用于电子电路中。它的主要作用是控制电流的流向和大小,在电路中起着关键的作用。那么,MOS体二极管到底是如何承载电流的呢?下面我们就来详细探讨一下。
MOS体二极管的工作原理
MOS体二极管的工作原理主要基于金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)结构。该结构由金属、氧化物和半导体三层组成,通过施加不同的电压,可以控制半导体层中电子和空穴的流动,从而实现对电流的调控。
具体来说,当在MOS结构上施加正电压时,会在半导体层中形成一个反型层,该反型层中的载流子浓度远高于半导体本身,从而使得电流可以在该层中自由流动。反之,当施加负电压时,会在半导体层中形成耗尽层,电流的流动受到阻碍。
MOS体二极管的电流承载能力
MOS体二极管的电流承载能力主要取决于以下几个因素:
- 器件尺寸:MOS体二极管的通道宽度和长度越大,其电流承载能力越强。
- 工艺参数:MOS体二极管的制造工艺参数,如掺杂浓度、氧化层厚度等,也会影响其电流承载能力。
- 工作温度:温度升高会增加载流子的热运动,从而提高电流承载能力,但同时也会加剧漏电流,降低器件的可靠性。
- 电压偏置:MOS体二极管的工作电压越高,其电流承载能力也越强。
通过合理设计和优化这些参数,可以提高MOS体二极管的电流承载能力,满足不同电路应用的需求。
MOS体二极管的典型应用
MOS体二极管广泛应用于各种电子电路中,主要包括以下几个方面:
- 开关电路:利用MOS体二极管的开关特性,可以实现对电流的快速开关控制,广泛应用于开关电源、电机驱动等领域。
- 放大电路:MOS体二极管可以作为放大器件,实现对电压、电流的放大,应用于各种放大电路中。
- 逻辑电路:MOS体二极管可以作为逻辑门电路的基本构件,实现对数字信号的处理和运算。
- 模拟电路:MOS体二极管可以作为模拟电路的关键器件,实现对模拟信号的处理和运算。
总之,MOS体二
六、mos管分压计算方法？
MOSFET放大器栅极偏置电压是:注意，此分压器公式仅确定两个偏置电阻的比率， R1 和 R2 而不是他们的实际值。
此外，还希望使这两个电阻的值尽可能大，以减小它们的 I 2 * R 功率损耗，并增加mosfet放大器的输入电阻。这就是管分压的计算方法了
七、mos管驱动电流怎么计算？
第一种、
可以使用如下公式估算，
Ig=Qg/Ton
其中，
Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on， ， MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.
Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=(CEI) 。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod ，可在datasheet中找到)
第二种、 。第一种的变形，
密勒效应时间(开关时间、 Ton/off=Qgd/Ig、
Ig=[Vb—Vgs(th， ]/Rg。
Ig、 MOS栅极驱动电流。 Vb:稳态栅极驱动电压;
第三种，
以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。 2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。 4us,由Qg=67nC和0.4us可得。 67nC/0。4us=0. 1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。 2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.
八、mos管并联电流怎么算？
开通电流
Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA
关断电流
Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。
于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。
九、mos管放大电压还是电流？
mos管放大电流。
MOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
十、mos管漏电流怎么解决？
1、最简单的做法就是交换火线和零线的位置（如将两相插头转180度后再插入插座），这种方法一般很有效。因为有些用电器必须遵循“左零右火”的原则，插反后就会出现外壳漏电的现象。尤其是电脑及打印机等更要严格遵循这个原则。
2、清扫电路板的灰尘，尤其是电源主板的灰尘。因为如果灰尘多了有时就会导电（特别是受潮时），把高压和低压部分连通后外壳就可能带电。这种情况应清理电路板上的灰尘，如果受潮后的灰尘不易除去，则用无水酒精清洗，完了以后用电吹风吹干驱除潮气。
3、如果以上方法都不行，那么最有效的方法就是将外壳接地。把这些电引到地，人就不会被“电”了。
