一、mosfet导通电压标准？
你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。
工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右
二、MOSFET的导通电压为？
你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。
工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右
三、mosfet导通和关断条件？
晶闸管导通的条件是，晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 维持晶闸管导通的条件是，晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
四、mosfet电压等级？
MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。
五、MOSFET导通电阻多大？
不同耐压的MOSFET,其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOSFET,其外延层电阻仅为 总导通电阻的29%,耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。
电阻（Resistance，通常用“R”表示），是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。而超导体则没有电阻。
六、电压如何测导通？
首先上电测量，交流测220v,直流测本身电压24v12v5v3.3v如果用数字万用表档位是交流档400v，直流档按需要拨档，如果测的的电压为0说明断开，有值说明导通。
七、导通压降和导通电压？
1.
导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。
2.
反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。
八、mosfet漏极电压？
MOS的闯值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为闯值电压，它是MOSFET的重要参数之一。
MOS管的國值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于闯值电压，就没有沟道。阚值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为闯值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阔值电压。
九、mosfet触发电压？
mosfet触发电压需要2-4V之间，无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
十、mosfet电流电压关系？
MOSFET器件的主要原理是能够控制源极端子和漏极端子之间的电压和电流。它几乎像一个开关一样工作，并且该设备的功能基于MOS电容器。MOS电容器是MOSFET的主要部分。
通过分别施加正或负栅极电压，可以将位于源极和漏极端子之间的下氧化层处的半导体表面从p型反转为n型。当我们对正栅极电压施加排斥力时，氧化层下方的空穴将与基板一起向下推动。
耗尽区由与受体原子相关的结合的负电荷构成。当到达电子时，会形成一个通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压将控制沟道中的电子。代替正电压，如果我们施加负电压，则将在氧化物层下方形成空穴通道。
