一、为什么高电压电路离不开mos？
电路上的电压永远都是相对电压，必然会有一个参考点作为0V点。
然而实际上，给你举个例子，假若220V交流电通过变压器转换成了24V交流电，然后经过整流得到36V。
显然这边24V与另一边220V是没有了电气联系的，那我这边36V也显然和220V交流电那边没了联系。而这个24V是相对于参考点而言的，参考点具体是多少？可以是1V，可以是2V，可以是3V...甚至更高。我们习惯于把大地作为理想的地，因为发电厂的电流会流回的最终点就是大地。
你用手去摸MOS管，你实际上也属于大地的一部分，故而你是个理想地，但是电源那边也有个地，你们虽然都被称之为地，但实际上两者存在压差。
这个压差表现出来的结果就是所谓的静电积累现象，由于MOS管的G是个高阻抗，故而两端积累的电荷得不到中和会不断积累，而且存在很小的结电容，根据C = Q/ U可得U = Q / c,显然很少量的一点Q就能得到很大的U。这个U就是你能用手导通MOS的原因。但同样的，一旦U过高便会击穿MOS，这也是MOS器件相较于三极管器件更易损坏的元音。
二、mos管电路符号？
是一个类似于三角形的图形，其中上面有一个短线表示栅极，下面有两个长线表示源极和漏极，其形状可以根据PN型、NP型、增强型和耗尽型等不同种类进行微调。原因是mos管是一种采用金属-绝缘体-半导体结构的场效应晶体管，具有一些独特的电性能和可调性能，常常被应用于信号放大、逻辑运算、开关控制等领域。因此，具有清晰准确的符号是非常必要的。mos管的符号是电路图中非常基础的一部分，需要认真掌握，同时还需要了解其内部结构和工作原理，以便能够更好地理解和分析mos管电路的工作特性。同时，还需要注意符号的使用规范和注意事项，以避免在设计和调试过程中出现问题。
三、mos管放大电路必须接什么直流电压？
三极管放大电路需要合理选择偏置电路，才能建立正常的直流工作点，才能将微弱的交流信号在电路中叠加完成放大作用。
为了放大模仿信号必需运用有源器件。MOS晶体管就是一种频繁运用的有源器件。MOS晶体管的三个端子中有两个分别是输入端和输出端。还有第三个端子，将这个端子固定为一定的电位就能够构成三种放大电路。就是说，源极、栅极、漏极中的某个极衔接到固定电位上，就可以分别构成源极接地、栅极接地、漏极接地三种放大电路。
四、双电压比较电路是什么？
类似于增益不可调的运算放大器。每个比较器有两个输入端和一个输出端。两个输入端一个称为同相输入端，用“+”表示，另一个称为反相输入端，用“-”表示。
用作比较两个电压时，任意一个输入端加一个固定电压做参考电压（也称为门限电平，它可选择IC输入共模范围的任何一点），另一端加一个待比较的信号电压。
当“+”端电压高于“-”端时，输出管截止，相当于输出端开路。
当“-”端电压高于“+”端时，输出管饱和，相当于输出端接低电位。
两个输入端电压差别大于10mV就能确保输出能从一种状态可靠地转换到另一种状态，因此，把IC用在弱信号检测等场合是比较理想的。
IC的输出端相当于一只不接集电极电阻的晶体三极管，在使用时输出端到正电源一般须接一只电阻（称为上拉电阻，选3-15K）。选不同阻值的上拉电阻会影响输出端高电位的值。
因为当输出晶体三极管截止时，它的集电极电压基本上取决于上拉电阻与负载的值。另外，各比较器的输出端允许连接在一起使用。
五、mos管最高电压？
MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。
当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。
MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。
六、mos管反向电压会烧掉mos吗？
不会，mos管有反向寄生二极管，加反向电压会直接导通
七、mos门电路有哪些？
CMOS电路：
CMOS即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的RAM芯片。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。
相对于其他逻辑系列，CMOS逻辑电路具有以下优点：
1、允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计
2、逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强
3、静态功耗低
4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多
八、MOS 恒流源电路工作原理？
mos恒流电路，由信号源和电压控制电流源（VCCS）两部分组成。正弦信号源采用直接数字频率合成（DDS）技术，即以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据，经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。
本系统采用DDS集成芯片AD9830，其内部有两个12位相位寄存器和两个32位频率寄存器。在单片机的控制下对相应的寄存器置数就可以方便得到2MHz以下的任意频率和相位的输出，其中频率精度为1/ 2 32，相位分辨率为2π/2 12，输出幅度也可以在一定的范围内调节，因此能满足系统多频激励（10kHz～1MHz）的要求。
九、mos管偏置电路原理？
mos管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。
场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路。叫做直流（静态）偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏置电路有不同的要求，所以在实际电路中加设的偏置电路也有所不同。
十、mos并联驱动电路详解？
关于这个问题，MOS并联驱动电路是一种电路拓扑结构，它由多个MOS管并联组成，用于驱动大功率负载的电路。该电路的特点是输出电流大、输出电压低、响应快、能够适应不同的负载。
MOS并联驱动电路的基本原理是利用多个MOS管并联，将输入信号分配到各个MOS管上，从而达到增大输出电流的目的。由于MOS管具有低电阻、高可靠性、高速开关等特点，因此能够满足高速、高精度的驱动要求。
MOS并联驱动电路的结构一般由输入端、并联MOS管、输出端和电源组成。输入端接受控制信号，经过信号处理后通过驱动电路输入到并联MOS管中。输出端接受并联MOS管的输出信号，将其输出到负载中。电源为整个电路提供工作电压和电流。
在MOS并联驱动电路中，每个MOS管都有其独立的驱动电路。当输入信号到达时，各个驱动电路将其分配到各个MOS管上，同时控制各个MOS管的开关动作，从而产生输出信号。由于多个MOS管并联，因此输出电流可以相应地增大，同时输出电压可以降低，从而适应不同的负载。
总之，MOS并联驱动电路是一种高速、高精度、高可靠性的电路拓扑结构，能够满足驱动大功率负载的要求。其主要优点包括输出电流大、输出电压低、响应快、能够适应不同的负载等。对于需要驱动大功率负载的应用场合，MOS并联驱动电路是一种很好的选择。
