三极管偏置电压多少合适？

一、三极管偏置电压多少合适？

三极管偏置电压3伏比较合适.

一般三极管偏置电压的输出电压范围几伏到十几伏或更高,一般低于电源2-3伏.可以输出毫伏级别的信号,因电路设计和增益而定

二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。

开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。如果此时随着电流增加，两端电压会继续增大，到一定程度后，随着电流增加，两端电压的增幅就不大了，这时候处于比较彻底的正向导通状态，此时的正向电压就是导通电压。

偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间，集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的PN结应该正偏，集电极-基极之间的PN结应该反偏。

因此，设置晶体管基射结正偏，集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路。直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。

为了建立需要的工作点,使输入信号以工作点为基础点,而人为的在输入回路加一固定电压,此电压叫偏置电压.

运放Vos因输入端器件特性不匹配导致.如果运放有调零功能可以调整.没有则要稍微加一点偏置调整.

这是单电源运放，要使信号不失真，就必须给输出以直流电平，如果没有直流电平，在输出是负电平时将削去，造成失真，至于偏置的高低，视信号大小而定，以信号不失真为宜，如果是大信号偏置则以电源电压中点最好，这样可以保证信号幅度对称不失真。

三极管基极发射极电压，锗晶体三极管约为0.2V；硅晶体三极管约为0.6-0.7V。三极管8050是硅管，设Ube=0.65V、Ic=Ie=2.5MA、放大倍数Hfe=200，Ib=Ic/Hfe=2.5*10∧-3/200=12.5uA （10∧-3即10的负3次方）

设：流过R2电阻的基极电流Ib的10倍，IR2=10*12.5*10∧-6=125uA （10∧-6即10的负6次方）

设：Ue为电源电压12V的20%。Ue=12*20%=2.4V，UR2=Ube+Ue=0.65+2.4=3.05V，R2=UR2/IR2=3.05V/125*10∧-6=24.4K，取值：24K。

磷酸铁锂单体饱和电压3.26V，截止电压2.5V。

铁锂电池充满电的电压，业内称作“终止充电电压”。根据电池工业标准，该电压为额定电压值的1.2倍左右。如3.6V的手机电池，终止充电电压就是4.2～4.3V。

同一个铁锂电池，在同等剩余容量的情况下，电压值因放电电流的大小而变化。不同厂家，不同容量的锂离子电池，其放电的平台略有差异。

IGBT饱和电压？IGBT是一种复合器件，它是由一只场效应管和双极性晶体管组合起来的大功率器件，既保留了场效应管驱动功率小又保留了双极性晶体管导通压降低的优点，IGBT到同时和一般的双极星大功率晶体管的压降差不多，他的导通压降大约在零点几伏左右。

基极偏置电压是直流电压，它决定了基极直流电流的大小，而基极电流又控制集电极电流的大小，所以基极偏置电压又间接地影响了集电极电流。即

UbQ↑→Ib↑→Ic↑

UbQ↓→Ib↓→Ic↓

基极偏置电压决定了三极管的直流工作状态，就是静态工作点。通常基极偏置电压使基极电流处于输入特性曲线的中间部分就是合适的。

因此，设置晶体管基射结正偏，集基结反偏，是晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路。

直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。