一、硅和锗的反向击穿电压？

硅管反向饱和电流远低于锗管的反向饱和电流（只有后者的百分之一左右），而且一般硅管的反向击穿电压也高于锗管。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。

二、什么是阈值电压和关闭电压？

阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

截止电压就是终止电压，是指电池放电时，电压下降到电池不宜再继续放电的最低工作电压值。不同的电池类型及不同的放电条件，终止电压不同。

三、led反向击穿电压？

反向电压：只要对二极管施加反向的电压就叫反向电压。一般反向电压没有数值定义。无论电压多大，只要是反向的，就是反向电压。

反向击穿电压：对二极管施加反向电压时，当PN结发生齐纳或雪崩击穿、并且反向电流达到规定的数值时，此时对应的电压就叫反向击穿电压。

四、阈值电压的求法？

阈值电压的计算

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:

W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。

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五、coms反相器的阈值电压和TTL与非门的阈值电压为多少啊？

TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。

六、测阈值电压的方法？

阈值电压 ：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。举例说明：如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一；如描述场发射的特性时，电流打到10mA时的电压被称为阈值电压。

七、反向击穿电压怎么算？

反向击穿电压，一般是通过测试之后得到的，一般是不可能通过手工计算，

八、tvs反向击穿电压标准？

TVS管有单向和双向两种，只有单向TVS管才有击穿电压，对于双向TVS管没有反向击穿电压，因正负击穿电压是相同的。而不论单向双向，TVS管是一个系列的，不同型号，击穿电压是不同的。

6.4~7.3是击穿电压，也就是说当电压超过这个值时，TVS就工作了，之后他会把电压钳位在一个值，保持不变，就是9.6V，一般设计时，是看这里，比如，有一个浪涌2KV，经过多级处理，2KV是一级一级被降低的，最后，到TVS这里，就钳位在9.6V了，如果是你的电源输入允许范围内，那就起到作用了。

九、igbt反向击穿电压多少？

电压有600V以上。

击穿电压有两种量度方法，分别是交流电的击穿电压和冲击击穿电压。

一:交流电会采用家用交流电的频率（多数为50Hz或60Hz）。

二:冲击击穿电压是模仿绝缘被雷电击中时的情况，波幅会在1.2微秒内达至90%，在50微秒后会降至50%。

三:此外，ASTM为击穿电压的试验提供两种技术标准：ASTM D1816和ASTM D3300。

十、阈值电压偏大的原因？

阀电压（门限电压）VTH，功率MOSFET的阈值电压，也有些工程师称之为门坎电压，就是功率MOSFET的导通电压。

1、供电所由于检修或其它原因造成你的入户线没有中性线(零线)，这种状况你用验电笔测一下就知道。

2、变压器输出端的中性接地线断(或者接地不良)，由于三相不可能绝对平衡供电，这样就造成部分用电户的电压严重超高，会烧坏部分电器。