一、pn结反向电压？

应该是pn结反向裁止

PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。

N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。

P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

二、pn结反向电压内部电流关系？

给PN结加正向电压时，pn结变薄，可以有正向电流通过，此时电压降为0.65伏特左右（硅管）。给PN结加反向电压时，pn结变厚，仅有极微量的电流（漏电流）通过。此时为反向阻断状态，当反向电压加到足够大，pn结被击穿，pn结就变为一个纯导体了。

光伏电池也是如此。

三、pn结加反向电压时的电流称为什么？

称为反向饱和电流。pn结加反向电压时，外部电场的方向与内部电场的方向一致，pn结变厚，内部电场对半导体多子的扩散运动抑制加强，但对少子的漂移运动助力提高，pn结在内部电场和外部电场的双重作用下，按道理讲反向电流会随着外部电场的加强而增加，但实际上由于少子的数量太少了，所以反向电流不再增加，故称饱和。

四、pn结反向接法？

它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向与自建场的方向相同，从而使阻挡层变宽，漂移作用大于扩散作用，少数载流子在电场的作用下，形成漂移电流，它的方向与正向电压的方向相反，所以又称为反向电流。因反向电流是少数载流子形成，故反向电流很小，即使反向电压再增加，少数载流子也不会增加，反向电压也不会增加，因此它又被称为反向饱和电流。即：ID=-IS

　　此时，PN结处于截止状态，呈现的电阻为反向电阻，而且阻值很高。

五、pn结外加反向电压变宽还是变窄？

PN结外加反向电压后，空间电荷区中的电场增强，则相应的空间电荷增多，因而空间电荷区展宽。

外加正向电压时，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。

PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。

六、PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么？

降压缩肛是谣言

本于敬业精神，我上网了解了主张降压缩肛的网友理由，大多数人的解释是P=U×I，在功耗不变的前提下，电压降低电流就要增大。

但他们忽略了降压同时会降低功耗，并增加半导体电阻。半导体伏安特性曲线电压和电流正相关，降压的同时电流也会降低。这意味着降压会降低电迁移率，这反而能够降低缩肛风险

。

电迁移是引起所谓缩肛的原因

：由于传输电流的电子将动量转移，与PN结碰撞会引起PN结在半导体中发生位移。在大电流密度的情况下，电子不断对PN结进行冲击，冲击力超过了PN结之间的排斥力，就会使PN结逐渐移动而造成半导体自身的不断损耗。在半导体中，当过多的PN结被冲击脱离原来的位置，在相应的位置就会产生坑洼和空洞。轻则造成某部分导线变细变薄而电阻增大，严重的会引起断路。而在导线的另一些部分则会产生PN结堆积，形成一些小丘，如果堆积过多会造成导线于相邻导线之间发生连接，引起短路。不论集成电路内部断路还是短路，其后果都是灾难性的。电迁移或许是集成电路中最广泛研究的失效机制问题之一。

过度降压唯一的缺点是容易出错

，如果电位波动到低于逻辑门电路电平传感的阈值，则会使本来是1的数值变为0，因而有可能导致死机、重启、蓝屏等错误。

所以我怀疑所谓降压缩肛是人云亦云的谣言

。软硬件由于变量太多，很可能第一个所谓“降压缩肛”的案例是由于其他问题引起的。例如供电老化，硅脂风干，粉尘堆积，也可能是由于电源选项、ThrottleStop锁频，驱动问题等软件原因。

普通睿频不超频的情况下大可以放心降压

。

七、pn结加反向电流时的电流称为？

加正向电压时，是多数载流子。加反向电压时，是少数载流子，称为反向电流。

这时通过PN结的电流,主要是少子形成的漂移电流,称为反向电流IR。由于在常温下,少数载流子的数量不多,故反向电流很小。PN结反向偏置时，PN结变宽；多子的扩散运动减弱，少子漂移运动加强;PN呈截止状态。

八、pn结上加正向电压pn结处于什么状态？

　　pn结上加正向电压pn结处于导通状态

当PN结加正向电压时，P区中空穴（正电荷）在电源正极的排斥下向N区移动，到了N区后，又在电源负极的吸引下，向电源负极移动。

同理，N区的电子（负电荷）在电源负极的排斥下，向P区移动，到了P区后有在电源正极的吸引下向电源正极移动。这样就会在PN结种形成持续的电流，也就是说，PN结导通了。所以只要给PN结加正向电压PN结就会导通。PN结加正向电压及PN结电导调制作用。

（1）PN结加上正向电压的情况 将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，此时外加电压对PN结产生的电场与PN结内电场方向相反，消弱了PN结内电场，使得多数载流子能顺利通过PN结形成正向电流，并随着外加电压的升高而迅速增大，即PN结加正向电压时处于导通状态。

　　（2）PN结 加上反向电压的情况 将PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，此时外加电压对PN结产生的电场与PN结内电场方向相同，加强了PN结内电场，多数载流子在电场力的作用下难以通过PN结反向电流非常微小，即PN结加反向电压时处于截止状态。

九、pn结外加反向电压时处于导通状态？

pn结外加反向电压时，处于截止状态。

pn结外加反向电压是指电源的负极与p端连接，正极与n端连接，这样，外电场与内建电场方向一致，即加强了内建电场，加强了对载流子的漂移作用，更不利于载流子的扩散，因此，pn结内几乎没有电流存在，所以，pn结外加反向电压时，处于截止状态。

十、pn结击穿电压？

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的