一、场效应管工作电压？

场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

二、场效应管电压多少正常？

正2V

场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管,简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪音小，功耗低动态范围大、易于集成，没有二次击穿现象，安全工作区域宽等优点，现以成为双级型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

三、场效应管开启电压多少伏？

不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10的七次方～10的15次方Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

四、场效应管的驱动电压是多少？

场效应管驱动电压一般在10～15伏，最高电压为15V。

交流参数

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

极限参数

①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，

②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

使用时主要关注的参数有：

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过I。

五、场效应管的ut代表什么电压？

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过I。

六、怎么用场效应管降低电压？

这个很简单，只是使用过MOS管的人远不如使用过三极管的人多而已 。

MOS管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。

一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管，你可以用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压一般在2-4V，不过要完全控制，这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。

基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12V和地，比如LM358当比较器），比较器的输出经过5.1K电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

参考电压可以来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。

刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，这时候G脚基本上都加了12V，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0V）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。

如果你用D/A输出代替控制电压，则可以获得对MOS管的精确控制，我们以前实现过输出范围10-2000mA，步进1mA，输出电流精度正负1mA的水平。

七、场效应管原理图

中国电子行业的快速发展离不开各种关键元器件的应用，其中场效应管作为一种重要的电子元件在各种电路中起着关键的作用。在本篇博客中，我们将深入探讨场效应管的原理图、工作原理以及其在电子设备中的应用。

场效应管原理图

场效应管（也称为MOSFET）是一种基于金属氧化物半导体（MOS）结构的半导体器件。在电路中，场效应管通常由源（S）、漏（D）、栅（G）三个引脚组成。以下是场效应管的一般原理图：

源（S）：场效应管的源极是电流的源头，通常连接到电路的负极。

漏（D）：场效应管的漏极是电流的排出口，通常连接到电路的正极。

栅（G）：场效应管的栅极控制电流的流动，通过改变栅极电压，可以调节场效应管的导通程度。

通过栅极电压调节电流的流动就是场效应管的工作原理。当栅极电压高于一定阈值时，场效应管导通，电流从源极流向漏极；当栅极电压低于阈值时，场效应管截止，电流无法通过。

场效应管的工作原理

场效应管的工作原理基于PN结原理和迁移率效应。它的工作可以分为三个区域：

1. 放大区（Cut-Off Region）：当栅极电压低于阈值电压时，场效应管截止，没有电流通过。

2. 线性区（Triode Region）：当栅极电压高于阈值电压时，源极电压高于栅极电压减去阈值电压，场效应管处于线性放大状态。

3. 饱和区（Saturation Region）：当栅极电压高于阈值电压且源极电压低于栅极电压减去阈值电压，场效应管达到最高导通状态。

场效应管具有体积小、功耗低、响应速度快的特点，因此在各种电子设备中广泛应用。

场效应管在电子设备中的应用

由于场效应管具有很好的开关特性和放大特性，它在电子设备中有着广泛的应用。以下是场效应管在几个常见领域中的应用：

1. 模拟放大电路

场效应管在模拟放大电路中被大量使用。其线性区特性使其能够放大输入信号，从而实现音频放大、视频放大等功能。场效应管不仅能够提供较大的输出电流，还具有较高的输入阻抗，使其能够适应不同的信号源。

2. 开关电路

由于场效应管具有快速的开关特性，因此在开关电路中应用广泛。场效应管可以用于实现开关电源、逻辑门、触发器等电路的开关控制。通过改变栅极电压使场效应管从截止状态到导通状态的切换，可以实现高效的电路开关。

3. 电源管理

场效应管在电源管理电路中扮演着重要的角色。通过场效应管的开关控制，可以实现电源的开关、调节和保护，从而保证电子设备的安全和稳定工作。场效应管的低功耗特性也使得其在电源管理领域受到青睐。

4. 数字逻辑电路

由于场效应管具有良好的开关特性和较高的集成度，因此在数字逻辑电路中得到广泛应用。场效应管可以作为逻辑门、触发器、寄存器等基本单元，实现复杂的数字逻辑功能。它的小体积和低功耗的特点也使得数字逻辑电路更加紧凑和高效。

综上所述，场效应管作为一种重要的电子元件，在电子行业中扮演着重要的角色。它的原理图和工作原理为我们理解其应用提供了基础，而丰富的应用领域也体现了场效应管的广泛适用性和可靠性。随着技术的不断进步，相信场效应管在未来的发展中会有更多的创新和应用。

八、场效应管开启电压一般多少？

场效应管的开启电压为多少

正2V

场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管,简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪音小，功耗低动态范围大、易于集成，没有二次击穿现象，安全工作区域宽等优点，现以成为双级型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

九、场效应管栅极的最高电压是多少？

栅极最大开启电压一般不超过22v。与前级驱动栅极电阻最好不＞470Ω（一般是配合加速电路），否则开关速度变慢易坏场效应管。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

十、p沟道场效应管导通电压？

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。 栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。 结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。 增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。 耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。