一、PN结的扩散？

你的理解是非常正确的。

二、pn结的应用？

PN结构成的MOS管是我们电脑、手机、各种数码产品芯片的基本构成单元；PN结也是LED灯、太阳能电池、光通信激光器和探测器芯片的基本部分。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。

当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。

三、PN结的性质？

pn结是指采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PNjunction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。

四、pn结的电阻？

二极管的PN结内部对电流的阻力与电阻性质是不同的，是内部电场对载流子的作用不是像电阻那样是介质对电子的阻力；PN接正向导电的时候表现出来的电流方程为I=Is（e*U/UT-1)，Is为反向饱和电流，UT=kT/q其中的k是玻尔兹曼常数，T是热力学温度，q是电子的电量。这个不用细算，总之，正向导通时电流会很大，压降会很小，锗管压降一般为0.6～0.7V，所以外围电路中需要加限流电阻；再说反向时内部反向电场加强此时就相当于一个电容，所以基本没有电流流过，也就是所说的截止状态。

这是单纯的PN结，当PN结用到晶体管中的时候，可以概括的称它导通时对电流的阻力为自身体电阻。

五、pn结接法？

法/步骤

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常见的接线方法分为两类：T568A/T568B

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T568B:

接线顺序：白橙 橙 白绿 蓝 白蓝 绿 白棕 棕

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T568A：

接线顺序：白绿 绿 白橙 蓝 白蓝 橙 白棕 橙棕

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常见的连接方式：直连线互连/交叉互连

T558B——T558B（直连）默认接法

T568A——T558B（交叉）

六、pn结参数？

PN结是半导体器件中最重要的部分之一，它是由P型和N型半导体材料结合而成的结。以下是PN结的一些常见参数：

导通电压（V）：PN结导通时所需的电压。当PN结两端电压大于导通电压时，PN结导通，电流可以自由流动。

正向电压（V）：当PN结两端加上正向电压时，PN结会正向偏置，电流从P区流向N区。正向电压通常较低，通常小于1V。

反向电压（V）：当PN结两端加上反向电压时，PN结会反向偏置，电流从N区流向P区。反向电压通常较高，通常大于10V。

正向电流（mA）：当PN结正向偏置时，流过PN结的电流。正向电流越大，PN结的功率消耗也越大。

反向电流（μA）：当PN结反向偏置时，流过PN结的电流。反向电流越小，PN结的反向隔离性能越好。

结电容（pF）：PN结的电容，它包括扩散电容和势垒电容。结电容越小，PN结的频率特性越好。

击穿电压（V）：当PN结两端加上反向电压时，如果反向电压超过击穿电压，则PN结将被击穿，导致电流急剧增加。击穿电压通常在几百到几千伏特之间。

最高反向电压（V）：PN结所能承受的最大反向电压。在使用时，应确保反向电压不超过最高反向电压，以避免PN结被击穿或损坏。

这些参数会因材料、工艺和具体应用的不同而有所变化。在实际应用中，需要根据具体需求和使用条件来选择合适的PN结器件和参数。

七、pn结原理？

PN结是半导体器件的基本结构，由p型半导体和n型半导体组成的结构。它的基本工作原理是光、电、热等能量激发下，p型和n型半导体边界处会形成一个电子井，从而形成电子-空穴对，即正负离子对，同时形成电场。以下是PN结的基本原理：在PN结中，p型半导体和n型半导体的掺杂浓度不同，两者之间形成了浓度差。当p型区域中的多数载流子（空穴）和n型区域中的多数载流子（电子）通过扩散达到界面处时，发生了电子与空穴复合的现象，从而在PN结区域内形成了一个空穴密度和电子密度都比较低的区域，也就是所谓的本征区。由于p型半导体和n型半导体的砷、硼等杂质大致相等，所以会在PN结的空间区域中形成一个薄的耗尽层。

在杂质浓度逐渐递增的区域，电子和空穴的扩散将逐渐达到平衡，形成一个电子井。当两者达到平衡状态时，空穴和电子被彼此的电场吸引，电子从n型区移动到p型区，同时空穴从p型区移动到n型区。这就产生了n型半导体向p型半导体的扩散电流，反之亦然，形成了一个电场。这个电场的方向是从p型半导体的正面向n型半导体的负面，称为内建电场。这个内建电场是PN结的本质，可以控制电子和空穴的流动方向，实现半导体器件的正常工作。

当外加电源与PN结连接时，在PN结的两端会产生外加电场，这个外加电场的方向与内建电场的方向相反，电子和空穴被挤出内建电场所形成的电阻降，继而发生电流流动。因此，当外部电源的方向与内建电场方向相同时，电流容易通过PN结，形成正向电流；当外部电源的方向与内建电场方向相反时，需要突破内建电场的作用，才能形成反向电流，即其电阻很大，称之为反向电阻。根据这个原理，可以实现各种半导体器件的制作，如二极管、场效应晶体管、MOSFET、BJT等。

八、pn结符号？

A：发射极e B：基极b C：集电极c 此BJT是NPN管 发射节的压降是0.7V 所以A、B是发射极和基极,剩下C是集电极 因为是在放大电路中,发射结正偏,集电结反偏.已知集电极电压是最高的,要使集电节反偏,必为NPN管.从而易知A为发射极,B为基极

九、pn结反向击穿电压有哪几种类型，温度是怎么影响的？

二极管击穿有两种方式

一种是zener breakdown 也就是齐纳击穿 。这种发生在高浓度的pn结中 ，虽然载流子很难碰撞到束缚的价电子 ，但是随着电压不断升高电场强度增大 。总有一个场强会使共价键破裂形成电子空穴对 ，从而击穿 。当温度升高价电子挣脱束缚的能力越强 ，挣脱后能量更高移动更快 ，自然这样的击穿电压会减小。

另一种是avalanche breakdown也就是雪崩击穿 ，这种发生在低浓度的pn结中， 随着反向电压升高 ，载流子在不断加强的电场中会以足够的动能碰撞束缚的价电子 ，实现电子空穴对。 自由移动的电子继续碰撞其他的产生更多的电子空穴对 ，这种一推二 ，二推四的效应类似雪崩一样 ，所以名字由此得来 。试想温度升高 ，晶格散射加强 ，电子迁移率下降， 所以平均自由程变短 ，更高的温度下碰撞能量更小 。因此温度越高击穿电压越高， 两种不一样的击穿方式得到的温度和电压关系也就完全不一样了。

十、PN结与PIN结的区别？

PN结和PIN结都是半导体器件中常见的结构，它们的主要区别在于掺杂类型和区域的厚度。

PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构，其中P型半导体中掺杂了大量的空穴，N型半导体中掺杂了大量的电子。当PN结两侧的电势差异足够大时，电子和空穴会在结区域内重新组合，形成一个空穴区和一个电子区，从而形成一个电势垒，这个电势垒可以用来控制电流的流动方向。

PIN结是在PN结的基础上加入了一个掺杂浓度较低的I型半导体区域，形成了P-I-N结构。在PIN结中，I型半导体区域的厚度比PN结中的结区域要大得多，这样可以增加电子和空穴的扩散距离，从而提高了器件的速度和效率。

因此，PN结和PIN结的主要区别在于掺杂类型和区域的厚度，PIN结比PN结具有更高的速度和效率。