晶闸管驱动电压?

一、晶闸管驱动电压?

晶闸管的触发电压与双极型三极管BE结相似,超过PN节电压0.7V都可以,主要是达到最低触发电流才行。

二、晶闸管怎样调节电压大小?

晶闸管是通过触发二极管来控制它的导通角来控制它的输出电压大小的。

三、晶闸管不能导通电压为?

晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。

2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。

3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用。

4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。

四、晶闸管的驱动电压是多少?

晶闸管的触发电压与双极型三极管BE结相似,超过PN节电压0.7V都可以,主要是达到最低触发电流才行。

五、matlab仿真怎么测晶闸管电压?

matlab中有示波器和电压表,将被测电压接入示波器或者电压表就可以测量电压。

六、晶闸管导通时正向电压和反向电压?

每个晶闸管承受的反向电压是线电压(课本有u vt的波形图)因给出的一般是变压器二次侧相电压U2,故先转换成线电压 即√3U2,再转换成线电压峰值 即√2×√3U2。

在三相桥电阻负载时,由于电流断续,晶闸管会关断,这时最大正向电压为根号二的相电压,最大反向电压为根号6的相电压,在阻感负载时,电流一定连续,所以最大正反向电压都是根号6相电压。

七、晶闸管的触发电压是多少?

KP200A晶闸管的触发电压:螺栓型≤3.0V,平板型≤2.5V。KP200A晶闸管的其它参数通态平均电流:200A通态峰值电压:螺栓型≤2.4V,平板型≤2.6V正反重复向峰值电压:螺栓型100-2000V,平板型100-5000V正反重复峰值电流:螺栓型≤10A,平板型≤15A触发电流:螺栓型5-150mA,平板型5-200mA维持电流:螺栓型15-400mA,平板型15-200mA

八、什么是晶闸管的通态电压?

电流。 晶闸管是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成,它有三个极:阳极,阴极和门极。晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。晶闸管和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。    

1.晶闸管的导通条件  (1)闸管导通的条件是:阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小,使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值,即维持电流IH一下。  (2)闸管导通的方法如下:  1)减小正向阳极电压至一个数值一下,或加反向阳极电压;  2)增加负载回路中的电阻。  

2.晶闸管的关断的条件  (1)闸管关断的条件是:使主端子间的正向电流小于维持电流。  (2)晶闸管的关断方法有:  1)减小主端子A、K之间之间的正向电压,直至为零,或加反向电压;  2)利用储能电路强迫关断。晶闸管导通条件是什么,导通时流过它的电流有什么决定,阻断时承受的电压大小由什么决定,1,当晶闸管的阳极A和阴极C之间加正向电压且控制极和阴极之间也加正向电压时,晶闸管处于导通状态;但起码电压大于管压降,阳极和阴极之间电压一般为0.6到1.2V;2,导通是它的电流由串联在管上的负载电阻决定,I=U/R;3,阻断时承受的电压大小由晶闸管本身参数决定,即如普通的三级管一样,Vce间的电压有的几十V,有点几千V,如行管上千V。

九、为什么晶闸管有正向击穿电压?

晶闸管击穿主要原因:过电压、过电流、短路等原因。

在启动过程中软启动发出“孜孜”的声音可能是出现短路了。一般正常过电流的话不会出现这样的声音。

首先你们生产的产品导电性能怎么样?如果含导电粉尘多的话是很容易造成短路的。再就是检查一下你的线路,是不是有导线破皮现象。

还有一种可能就是谐波引起的。

十、晶闸管电压击穿与电流击穿现象?

1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

 

  2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。

 

  3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。

 

  4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

 

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