一、MOS场效应管如何导通？

无论是P沟道还是N沟道，看电路图的箭头是指向哪里：如果箭头指向栅极，那给栅极高电平，其他的两极按照沟道的不同来接（P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反）就是导通，低电平就是截止；同理箭头从栅极指向其他，这是低电平导通，高电平截止。说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。

二、电压如何测导通？

首先上电测量，交流测220v,直流测本身电压24v12v5v3.3v如果用数字万用表档位是交流档400v，直流档按需要拨档，如果测的的电压为0说明断开，有值说明导通。

三、导通压降和导通电压？

1.

导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。

2.

反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。

四、p沟道场效应管导通电压？

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。 栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。 结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。 增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。 耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。

五、场效应管栅极去掉后依然导通？

答一般来说场效应管栅极去掉后依然导通。是因为场效应管的栅极存在一个平板寄生电容，当场效应管的棚极去掉，电路断开，栅极平板寄生电容电极储存大量的正负电荷，去掉栅极，电容无法放电，造成栅极的电压还维持在5V，所以场效应管栅极去掉后依然导通的。

六、晶闸管导通时正向电压和反向电压？

每个晶闸管承受的反向电压是线电压(课本有u vt的波形图)因给出的一般是变压器二次侧相电压U2,故先转换成线电压 即√3U2,再转换成线电压峰值 即√2×√3U2。

在三相桥电阻负载时,由于电流断续,晶闸管会关断,这时最大正向电压为根号二的相电压,最大反向电压为根号6的相电压,在阻感负载时,电流一定连续,所以最大正反向电压都是根号6相电压。

七、pn结导通死区电压原因？

是这样的,所谓死区电压:

由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场。

也由于二极管内部的材料是半导体，它对电压有一定的阻力。

电压过低，则无法破坏PN结内部的自建场，所以不同材料的管子，也就有不同的死区电压。

常用的硅管PN结死区电压为0.7-0.8V，锗管为0.1-0.3V

八、继电器导通和截止电压？

继电器导通截止电压表示继电器吸合和释放的电压。

九、pn结电压大于多少导通？

根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~1.2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

PN分硅材料和锗材料，硅材料的导通电压约0.7V，锗材料的导通电压约0.3V。三极管中的2个PN结的导通电压基本相同，只是反向耐压不同，发射结的耐压小于集电结的耐压。

十、mos管导通后电压要求？

只要维持导通电压即可

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。