一、mosfet驱动电路是否需要驱动电流和驱动功率？
驱动电路一般指的是对后级大功率元件的驱动，这对功率的要求比较大，既要求大功率，也要求大的驱动电流。
二、mosfet特性与驱动电路？
mosfet是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
mosfet依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为mosfet与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。
从名字表面的角度来看mosfet的命名，事实上会让人得到错误的印象。
因为mosfet里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。
早期mosfet的栅极使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后mosfet栅极使用多晶硅取代了金属。
在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
三、MOSFET为什么要驱动电路？
现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般作为开关管使用。
实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。
比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。
也可以用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射满足要求的情况下，尽量的陡峭。
四、MOSFET驱动电路中RS代表什？
你说的Rs是NMOS管放大电路的源极电阻吧。由于MOS管的电流和输入的电压Ugs是正相关的（但不是正比），如果有Rs的存在，放大电路工作的时候，Rs的电压会使得Ugs得到的电压下降，也就会使放大倍数下降。
五、mosfet驱动芯片原理？
由于 MOS 管 IRF640 的驱动电压为 15V，所以，首先是在 J1 处接入 15V 的方波信号，经过电阻 R4 接稳压管 1N4746，使触发电压稳定，也使得触发电压不至于过高，烧坏 MOS 管，然后接到 MOS 管 IRF640(其实这就是个开关管，控制后端的开通和关断) ， MOS 管经过控制驱动信号的占空比， 能够控制 MOS 管的开通和关断时间。
当 MOS 管开通时，相当于它的 D 极接地，关断时是断开的，经过后级电路相当于接 24V。而变压器就是经过电压的变化来使右端输出 12V 的信号。
变压器右端接一个整流桥，然后从接插件 X1 输出 12V的信号。
六、功率mosfet关键参数？
MOS管选型注重的参数：
1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；
2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；
3、开关频率FS–参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；
4、 MOS管最大允许工作温度–这要满足系统指定的可靠性目标。谢谢。
七、功率驱动电路板作用？
驱动电路是指主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管）。
优良的驱动电路对变换器性能的影响：
1.提高系统可靠性；
2.提高变换效率（开关器件开关、导通损耗）;
3.在开/关过程中减小开关器件应力；
4.降低EMI或EMC。
驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。
八、mosfet是电压驱动还是电流驱动？
MOSFET是电压驱动， 双极型晶体管（BJT）是电流驱动。（1）只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。
（ 2）MOS管是单极性 器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
（ 3） 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
（4）MOS管应用普遍， 可以在很小电流和很低电压下工作。
（5）MOS管输入阻抗大，低噪声， MOS管较贵，三极管的损耗大。
（6）MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关 控制。
九、mosfet驱动芯片的选择？
mos主要参数考虑电流，以及耐压。比如24v电机，耐压60v以上。电流则取额定电流的 1.5-2.5倍，主要看堵转电流或使用场合来定。往高了取则不会错，最多增加点银子，呵呵。。
十、igbt的驱动模块可以驱动mosfet吗？
IGBT是达林顿结构，MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压（VGSth）来触发打开但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，MOS相对较小。
相对的，IGBT的开关频率普遍较低（30~50K以下）而电流较大（可达1000A）。MOSFET的开关频率可达500K，而RMS电流普遍较低（一般不超过100A）
