一、nand flash详解？
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
二、nor flash和nand flash的区别？
你好，NOR Flash和NAND Flash都是非易失性存储器芯片，但它们有以下几点区别：
1. 结构不同：NOR Flash的存储单元结构类似于传统的ROM，存储单元之间是通过并联方式组织在一起；而NAND Flash的存储单元结构类似于传统的EPROM，存储单元之间是通过串联方式组织在一起。
2. 读写方式不同：NOR Flash可实现随机访问，读写速度较快，但写入速度较慢，因此适合用于代码存储器；而NAND Flash的随机访问速度较慢，但写入速度较快，因此适合用于数据存储器。
3. 使用场景不同：NOR Flash通常用于嵌入式系统中的代码存储器，如BIOS、Bootloader、固件等；而NAND Flash通常用于嵌入式系统中的数据存储器，如手机存储卡、MP3播放器、数字相机等。
4. 成本不同：NAND Flash的制造成本较低，因此价格也较便宜；而NOR Flash的制造成本较高，价格也较贵。
三、spi flash与nand flash的区别？
NAND FLASH：一个block为128KByte
SPI_FLASH：一个block为64KByte。
一个block = 16 sector（扇区）
1 sector = 4KByte
四、NAND flash和NOR flash的区别？
NAND Flash和NOR Flash都是主流的非易失性存储器件，但它们之间有很多区别：
1. 结构不同：NAND Flash是基于页式存储结构的，每一页详细描述了一个文件，而NOR Flash是基于字节寻址结构的。因此NAND Flash比NOR Flash更适合作为大容量数据存储器。
2. 读写速度不同：由于其内部结构的差异，NAND Flash在用于连续读或连续写操作时具有更高的速度和更低的延迟。而NOR Flash在用于随机读或随机写操作时速度更快。
3. 故障修复方式不同：由于内部结构不同，在进行故障修复时采取的方法也不同。在NAND Flash中，需要进行块级擦除，并向其他区域转移数据以修复坏块。而在NOR Flash中，则通过将一个单独或多个翻转位还原来实现故障修复。
4. 市场应用领域不同：由于其特定属性，两者通常被应用于不同市场。例如，NAND Flash广泛应用于闪存驱动器(Solid State Drive)、MP3播放器等需要大容量存储且对读取速度要求较高的电子设备；而NOR Flash则通常应用于需要高速读写的嵌入式系统，如微控制器、无线通信和智能卡等。
总之，两者都有各自的优势和应用领域。选择哪种存储器件主要取决于所需用途和性能要求。
五、nand flash是什么颗粒？
TLC是闪存一种类型，全称为Triple-Level Cell TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
六、金士顿有nand flash吗？
金士顿有nand flash的，NAND Flash 是一种存储介质，要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计，也即是金士顿内存产品必备的原料。，金士顿是全球NAND Flash产业中，货源调配能力最强的模块厂，金士顿肯定是有nand flash的，负责无法生产它的产品啊！
七、nand flash底层读写原理？
原理:
与DRAM以电容作为存储元件不同，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再 次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。
与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充 电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮 置栅极到源极）。
八、nand flash可以同时读写吗？
答:不可以
虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以 采用称为"映射(shadowing)"的方法，在系统级实现这一点。
NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除 的位从"1"变为"0"。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作。
九、emmc与nand flash哪个好？
1、NAND Flash 是一种存储介质，要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。
2、eMMC是NAND flash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡类似；对厂家而言简化了电路设计，降低了成本。
3、使用emmc的好处是，除了得到大容量的空间（这一点，只用NAND FLASH多堆叠也可以做到），还有就是emmc可以管理NAND （坏块处理，ECC)等。
4、NAND Flash 主要生产厂家有Samsung, Toshiba,Hynix, Intel, Micron,5、eMMC控制器有台湾的Phison（群联）, SMI（慧荣）, 大陆有SiliconGo(硅格半导体）。
十、Nand Flash和Nor Flash有什么区别?求解？
1、写入/擦除操作的时间不同
【nand flash】：擦除NAND器件以8～32KB的块进行，执行同一写入/擦除的操作时间为4ms
【nor flash】：擦除NOR器件是以64～128KB的块进行，执行同一个写入/擦除操作的时间为5s
2、接口不同
【nand flash】：nand flash使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据，并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。
【nor flash】：nor flash为SRAM接口，拥有足够的地址引脚用于寻址。
3、容量成本不同
【nand flash】：NAND flash的单元尺寸大约为NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，因此价格较低。
【nor flash】：NOR flash单元尺寸较大，生产过程也较为复杂，因此价格较高。
4、耐用性不同
【nand flash】：NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。
【nor flash】：NOR闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。
PS:所以NAND闪存的优点更多，所以现在市面上的SSD基本上都是NAND闪存。
