一、双向可控硅如何关断？

等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件:一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。

晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。

智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。扩展资料：

闸管导通的条件是:阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在]极加正向触发电压， 多级离心才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流， 查找损坏即擎住电流儿L以上。

导通后的晶闸管管压降很小，使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小 锂电池自至一个小的数值，即维持电流IH-下。

二、双向可控硅关断条件？

等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件:一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。

晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。

 智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。扩展资料：

闸管导通的条件是:阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在]极加正向触发电压， 多级离心才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流， 查找损坏即擎住电流儿L以上。

三、双向可控硅关断原理？

双向可控硅的工作原理

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化

2,触发导通

在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

四、双向可控硅导通关断原理？

双向晶闸管它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。

双向晶闸管的伏发特性,由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

下面介绍利用万用表R×1档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。

1．判定T2极

G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G-T1之间的正、反向电阻都很小。在用R×1档测任意两脚之间的电阻时，只有G- T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧。而T2-G、T2- T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其它两脚都不通，就肯定是T2极。

另外，采用TO-220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通。据此亦可确定T2极。

2．区分G极和T1极

（1）找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为T1极，另一脚为G极。

（2）把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右,证明管子已经导通，导通方向为T1→T2。再将红表笔尖与G极脱开（但仍接T2），如果电阻值保持不变，就表明管子在触发之后能维持之后能维持导通状态。

（3）把红表笔接T1极，黑表笔接T2极，然后使T2与G短路，给G极加上正触发信号，电阻值仍为十欧左右，与G极脱开后若阻值不变，则说明管子经触发后，在T2→T1方向上也能维持导通状态，因此具有双向触发性质。由此证明上述假定正确。否则是假定与实际不符，需从新作出假定，重复以上测量。

显见，在识别G、T的过程中，也就检查了比向晶闸管的触发能力。

实例：选择500型万用表档R×1档检测一只由日本三菱公司生产的BCR3AM型双向晶闸管。测量结果与上述规律完全相符，证明管子质量良好。

注意事项：

如果按哪种假定去测量，都不能使双向晶闸管触发导通，证明管子已损坏。为可靠起见，这里规定只用R×1档检测，而不用R×10档。这是因为R×10档的电流较小，采用上述方法检查1A的双向晶闸管还双较可靠，但在检查3A或3A以上的双向晶闸管时，管子很难导通状态，一旦脱开G极，即自行关断，电阻值又变成无穷大。

五、双向可控硅电路计算？

这个电路属于移相调压电压，频率应该是固定的，只是触发脉冲出现的相位随着可调电阻变化。说是相位不如说是从过零点开始到触发脉冲出现的时间间隔更容易理解，一般的计算为VC>双向触发二极管的转折电压+双向可控硅的触发电压，这个VC就是触发电压，VC这个电压的出现的时间就是RC回路的充电时间

六、双向可控硅驱动电路？

答:双向可控硅驱动电路工作原理：

以过零触发电路作为直流调速功率放大电路的驱动模块，该模块采用光耦合隔离技术，具有结构简单，稳定性好，驱动能力强，功耗低的特点，但只能在触发信号的控制下在高压侧产生栅极驱动电压．驱动电压驱动双向可控硅通过控制触发脉冲的触发角的大小，从而实现对直流电机的调速控制。

双硅跟单硅不同，控制极加的是一个交流触发电压，触发电压来自于R2和R3的分压后，经光耦控制可控硅的导通，从而控制负载工作还是停止，在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用，即便去掉光耦，负载也能够工作，只是停止不了，所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关，通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角。

七、双向可控硅触发电路？

SCR3是一个双向可控硅，它和周边电路组成SCR1和SCR2导通角控制电路。

八、双向可控硅整流电路？

双向可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，是在普通可控硅的基础上发展而成的交流开关器件，其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意，发明于1957年。双向可控硅为单向导电性开关，能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路。可控硅具有导通和关断两种状态，从外形上区分主要有：螺栓形、平板形和平底形三类。

九、双向可控硅导通后无法关断的原因？

可控硅一经触发导通就可以自己维持导通状态，尽管断开控制极也不能阻断，这是相对直流电而言的。在交流电中，电频率是交变的，断开控制极时，电脉冲在某一波动瞬间0点时，可控硅就失去维持电流而关断。

RC吸收回路选择不当。还有一种我见到过的情况，直流电路用了双向可控硅，也会失控的。

十、双向可控硅电路图接哪里？

正确的方法是以灯泡上端的电极（阴极），作为触发电路的地线，对于双向可控硅最简单的触发是在可控硅的阳极接一个电阻与控制极相接，需要使用继电器或高。

双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。