n沟道mos管是高电平驱动吗？

一、n沟道mos管是高电平驱动吗？

栅极也就是控制极，漏极是输入端，源极是输出端，N沟道MOS特点就是高电平输出，低电平截止，

二、N沟道、P沟道MOS管的区别？

1、芯片材质不同

虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。

2、同等参数P沟道MOS管价格更高

（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。

N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。

例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。

（2）量产规模上N沟道成本更低。

由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。

（3）价格竞争更激烈。

N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。

（4）P沟道存在的意义

既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？

P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。

所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。

3、应用不同

N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。

4、使用时识别标示不同

实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。

识别方法包括：

（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。

（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。

（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。

（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P

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三、MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道？

指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。

P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。

P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。

四、MOS管怎么区分N沟道和P沟道？

相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么？

方法

1、MOS的三个极怎么判定？MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方：

G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。

2、他们是N沟道还是P沟道？三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性，判断沟道之后，再判断三个脚极性。

3、寄生二极管的方向如何判定？接下来，是寄生二极管的方向判断：它的判断规则就是： N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。

4、简单的判断方法，上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。

五、n沟道mos管可以通用吗？

如果要通用要把原理搞清楚，如果是做开关管用，它就相当于一个开关，打开方式是控制栅极电压，n MOS需要Vgs大于导通电压时管子才导通，换成P MOS则相反，需要Vgs小于导通电压，漏源两极才导通。栅极无电压时n MOS是常开的，p MOS是常闭的。建议最好不要通用，没搞好管子肯定烧掉。

六、n沟道mos管的检测方法？

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对MOS管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

七、MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢？

从外形上看:p沟道的mos管比同规格的n沟道的要粗一些;

从导电性能看:p沟道和n沟道相比,前者要比后者的电阻低一些(当然这只是一个方面)。

从耐温性看:一般来说,相同规格下同等材质的情况下(如都是硅片),p沟道的耐高温能力要强于n型。

从稳定性上比较:由于工艺的不同导致两者之间的差异较大;

八、n型沟道mos管导通条件？

n沟道mos管导通条件

　　导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。

　　1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。

　　2）［t1-t2］区间，GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID，Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。

　　3）［t2-t3］区间，MOSFET的DS电压降至与Vgs相同，产生Millier效应，Cgd电容大大增加，栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电，从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小。

　　4）［t3-t4］区间，至t3时刻，MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压，Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电，Cgs电容的电压上升，至t4时刻为止。此时Cgs电容电压已达稳态，DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。

九、P沟道与N沟道mos管区别？