一、高压整流滤波电路工作原理？

给一个经桥式整流后滤波，又经7805稳压集成电路稳压后再滤波的电路，能输出稳定的5V直流电源。

　整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成。20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。

二、胆机整流电路电阻发热怎么解决？

胆机整流电路电阻发热可采取以下方法解决：

更换大功率电阻：使用额定功率更大的电阻，可以减少电阻上的功率损耗，降低其发热程度。

改善散热条件：在电阻周围添加散热器或风扇，帮助散热，避免电阻过热。

检查电路是否正常：如果电路设计或元件选择不当，也会导致电阻发热。检查电路是否正常，是否存在短路或元件损坏等问题，并及时修复。

使用更高效的整流电路：某些整流电路的效率更高，可以减少电阻上的功率损耗。

考虑使用更有效的整流电路设计，以降低电阻发热。

三、整流电路是如何实现整流的？

整流就是将交流电整成直流电。因为二极管有单向导电性,以零伏为对比 交流电就有正电压与负电压两种。接入一个二极管 称为半波整流,负半轴的点直接截掉,效率过低。于是有了双管全波整流 效率虽然提高 但是双管只适合中间有抽头的变压器。后来进化到四个二极管整流。这样就适应了无抽头的需求。大概就是这。

四、胆机4007整流5Z3P稳压电路？

5Z3P灯丝/电流（V/A）为5/3，屏极交流电压2×500(V)，直流输出电流≧230(mA)，8脚G管；用在6N2、6L6上是足够的。

五、lm317胆机高压可调稳压电路？

LM317是一种高性能可调稳压器，可以用于构建高压可调稳压电路。通过调节其输出电压，可以在广泛的应用中提供可靠的电源。在实际电路中，可以通过改变输入电压、调整电阻等方式来实现输出电压的调节。同时，由于其具有较高的稳定性和可靠性，被广泛应用于各种电子设备中。

六、胆机6n26p6p电路整流问题？

6P6P的阳极电流是45MA,6N2的阳极电流是2.3MA两者相加是47．5毫安，6z4的整流电流是75毫安；远大于47.5毫安，完全够用．

七、什么是半波整流电路？

大家好，我是李工，希望大家多多支持我。

，今天给大家详细地讲一下半波整流电路。

什么是半波整流电路？

半波整流电路的基本操作非常简单，输入信号通过二极管，由于只能通过一个方向的电流，二极管的整流作用，单个二极管只允许通过一半的波形。

下图说明了半波整流电路的基本原理。

当标准交流波形通过半波整流电路时，只剩下一半的交流波形。半波整流电路仅允许交流电压的一个半周期（正半周期或负半周期）通过，并将阻止直流侧的另一个半周期。只需要一个二极管就可以构成一个半波整流电路。本质上，这就是半波整流电路所做的一切。

半波整流电路原理

一个完整的半波整流电路由3个部分组成：变压器、阻性负载、二极管。

如何将交流电压转化为直流电压？

先将高交流电压施加到降压变压器的初级侧，在次级绕组处获得将施加到二极管的低电压。

在交流电压的正半周期间，二极管将正向偏置，电流流过二极管。在交流在交流电压的负半周期间，二极管将反向偏置，电流将被阻断。次级侧 (DC) 的最终输出电压波形，如上图 所示。

之后专注于电路的次级侧，如果用源电压代替次级变压器线圈，可以将半波整流器的电路图简化为下图。

现在没有电路的变压器分散我们的注意力。对于交流电源电压的正半周期，等效电路有效地变为下图：

因为二极管是正向偏置的，因此允许电流通过。所以我们有一个闭合电路。

但对于交流电源电压的负半周，等效电路变为：

整流二极管现在处于反向偏置模式，所以没有电流能够通过它。因此，现在有一个开路。由于这段时间内电流不能流过负载，输出电压为零。这会发生得非常快——因为交流波形每秒会在正负之间多次振荡（取决于频率）。这是半波整流电路波形在输入侧 (V in ) 的样子，以及在整流后（即从 AC 到 DC 的转换）在输出侧 (V out ) 的样子：

正半波整流前后的电压波形如下图所示。

相反，负半波整流器将只允许负半波通过二极管，并将阻止正半波。正半波整流器和负半波整流器之间的唯一区别是二极管的方向。如在上图中看到的，二极管现在处于相反的方向。因此，二极管现在将仅在交流波形处于其负半周期时才正向偏置。

半波整流电路参数与计算公式

纹波系数

“纹波”是将交流电压波形转换为直流波形时剩余的不需要的交流分量。尽管我们尽最大努力去除所有交流分量，但在输出侧仍有少量残留物会产生直流波形的脉动。这种不受欢迎的交流分量称为“纹波”。

为了量化半波整流器将交流电压转换为直流电压的能力，我们使用所谓的纹波系数（由 γ 或 r 表示）。纹波系数是整流器交流电压（输入侧）与直流电压（输出侧）的RMS值之比。

二极管的纹波系数的公式为：

也可以重新排列为下面的等式：

半波整流器的纹波系数等于1.21（即γ=1.21）。

请注意，为了构建一个好的整流器，我们一般希望将纹波系数保持在尽可能低的水平。这就是为什么我们使用电容和电感作为滤波器来减少电路中的纹波。

效率

整流器效率 (η) 是输出直流功率与输入交流功率之比。效率的公式等于：

半波整流器的效率等于 40.6%（即 η max = 40.6%）

有效值

为了得出半波整流器的 RMS 值，我们需要计算负载上的电流。如果瞬时负载电流等于 i L = I m sinωt，则负载电流的平均值 (I DC ) 等于：

其中 I m等于负载上的峰值瞬时电流 (I max )。因此，负载上获得的输出直流电流 (I DC ) ：

对于半波整流器，RMS 负载电流 (I rms ) 等于平均电流 (I DC ) 乘以 π/2。因此，半波整流器的负载电流 (I rms ) 的 RMS 值为：

其中 I m = I max等于负载上的峰值瞬时电流。

峰值反向电压

峰值反向电压 (PIV) 是二极管在反向偏置条件下可以承受的最大电压。如果施加的电压超过 PIV，二极管将被破坏。

形状因素

形状因数（FF）是有效值与平均值的比值，如下式所示：

半波整流器的形状因子等于 1.57（即 FF=1.57）。

输出电压

负载电阻上的输出电压 (V DC )表示为：

半波整流电路应用

虽然半波二极管整流电路基本上使用单个二极管，但二极管周围有一些电路差异，具体取决于应用。

电源整流

当用于电源整流时，半波整流电路如果要以任何方式为设备供电，则与变压器一起使用。通常在此应用中，输入交流波形是通过变压器提供的。这用于提供所需的输入电压。

AM解调

一个简单的半波二极管整流器可用于调幅信号的信号解调。整流过程使幅度调制得以恢复。当半波整流电路用于幅度调制检测时，该电路显然需要与收音机中的其他电路接口。

峰值检测

半波二极管电路通常用作简单的电压峰值检测器。通过在输出负载上放置一个电容，电容器将充电至峰值电压。如果 CR 网络、电容器和负载电阻的时间常数比波形周期长得多或足以捕获变化波形的峰值，则电路将保持电压峰值。

八、srpp电路胆机？

怎么用都可以，各有各的优势。

九、整流电路中高压硅堆怎么选择？

高压硅堆又叫硅柱。它是一种硅高频高压整流二极管。工作电压在几千伏至几万伏之间。常用于黑白电视机或其他电子仪器中作高频高压整流。它之所以能有如此高的耐压本领，是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的。外面用高频陶瓷进行封装。

高压硅堆具有体积小、重量轻、机械强度高、使用简便和无辐射等优点，普遍用于直流高压设备中作为基本的整流元件。实际上一个硅堆常由数个至数十个硅整流二极管串联封装而成。具有单向导电性的硅二极管的正反向伏安特性下图所示，由下图可知当二极管上外加正向电压U很小时正向电流很小，但当U大于某一值U后正向电流I，则随U的增大而迅速增大，通常称U为“死角电压”，对于高压硅整流二极管U约为0.4 V~0.6 V。又当外加反压U于二极管时则二极管呈现很大阻抗，其反向电流I很小(约几微安)，并随反压增加而稍有增长，但当反压超过某一值U后I则急剧增，则U称为击穿电压，高压硅整流二极管的U可达数千伏至上万伏。

硅二极管和硅堆基本技术参数如下：

1.额定整流电流I—指的是通过二极管的正向电流在一个周期内的平均值。在选择整流元件时显然应使其I≥I，即运行中通过二极管的电流不应大于I。

2.正向压降U—当二极管通过的正向电流为额定值If时在管子两端的压降。

3.额定反峰电压值U一即二极管截止时在管子两端允许出现的最高反向工作电压峰值。它是电容器上电压和变压器输出电压之差，它的波形基本上相当于一个带直流分量的正弦波。在选择整流元件时应使U满足下式：

高压硅堆式中，U—工频试验变压器T的输出电压(有效值) ；

S—纹波因数；

U—输出直流电压算数平均值。

否则管子可能出现反向击穿。一般U选为它的击穿电压的1/2～2/3，即Ur=(1/2～2/3)U。

4.反向平均电流I—在最高反向工作电压作用下流过管子的反向电流平均值。

使用硅堆时还应掌握它的过载特性，一般硅堆的正向损坏是由于二极管PN结的热击穿造成的，根据大功率硅整流元件技术标准规定，PN结的最高允许工作温度为140℃

因此在正常工作时结温必须低于140℃，不然会引起硅堆特性变坏和加速封装硅堆的绝缘介质的老化，从而影响硅堆使用寿命。为了在正常工作状态下保证PN结的温度不超过允许温度，必须注意以下几点：

1.所用硅堆的额定正向整流电流峰值，应不小于其在正常实际工作状态中的电流最大值。特别是对一些正常工作状态下负载侧经常发生闪络或击穿的直流高压设备(例如静电除尘器中)的硅堆，If值应适当选大一些。此外所规定的额定整流电流值If，一般是指在自然对流冷却下的允许使用值，如果采用油冷，则整流电流大约可提高一倍。

2.根据高压硅堆的频率特性可分工频高压硅堆(用2DL表示)和高频高压硅堆(用2DGL表示)。工频高压硅堆所整流的电流频率应在3 kHz以下，高频高压硅堆所整流的电流频率可在3 kHz以上。对于高频电压的整流应使用相应的高频高压硅堆。

3.高压硅堆所标称的额定整流电流值是指在使用环境温度为室温时的平均整流电流值。如在较高的环境温度下工作时，所允许的整流电流值应相应地减小。下图为环境温度与被允许的平均整流电流百分比的关系曲线。

4.高压硅堆的结温是由于PN结的功率损耗对结部加热所致，而结功率损耗还与整流电流的波形和施加的反向电压有关。例如，当波形为非正弦波而是矩形波时，硅堆的整流电流值应减小。当反向电压较高时尚需考虑反向功率损耗(一般情况下可忽略)，务必使其不要超过元件允许值。

但是在事故状态下，例如试品发生击穿或闪络，则硅堆有可能流过很大的正向电流，此时结温允许在一短时间内超过额定最高允许结温，若时间很短则尚不致造成损坏。但若在某一给定的时间问隔内，电流值超过了相应的某一限度，则PN结可能因过流而使元件烧毁。另外，即使电流值不超过这个限度，这种过电流的冲击次数在硅堆的整个使用寿命期间也不能太多(大约在几百次)。表示硅堆在多长的时间间隔内，允许流过多大的故障电流的特性，称为过载特性(此时结温不能超过160℃)，而该允许的电流值称为过载电流额定值。下图分别为额定整流电流为150 mA和0.5A硅堆的过载特性曲线。

为了保护硅堆必须保证流过硅堆的事故电流(峰值)不超过允许的过载电流(峰值)，一般只需在高压回路选用合适的限流电阻R即可。但在一些额定电流较大、持续运行时间较长的直流高压设备中，为了避免电阻会增加设备在正常工作状态下的功率损耗，常不采用R而选用晶闸管、过流继电器和快速熔断器等元件作为过电流保护。

高压硅堆的修复使用

黑白电视机遇潮湿天气在高压包腔内容易产生高压打火的现象。火花将高压硅堆圆柱体表面击刻成条条沟槽，使硅堆在高电压下，外表面拉弧导通，显像管第二阳极无高压，造成电视无光栅。

这时，可把高压硅堆圆柱表面的碳化物用刀刮除，再用砂纸打磨干净，只要用表测量硅堆的性能仍属好的，即可在它的表面涂敷一层环氧树脂，待固化后即可使用。

十、整流电路中怎么选择整流二极管？

提高电源转换效率和功率密度一直是电源行业的首要目标，在过去十年中，更因功率器件、拓扑结构和控制方案的发展而取得长足的进步。超结MOSFET、SiC二极管以及最新GaN FET的发展，确保了更高频率下的更高开关效率；同时，高级拓扑及其相应控制方案的实现也在高速发展。因此，平衡导通损耗与开关损耗以实现最佳工作点，现在已完全可以实现。

但是，用于AC线电压整流的前端二极管电桥仍然是个大问题，它阻碍了效率和功率密度的提升。高压整流二极管的正向压降通常约为1V。这意味着主电流路径中的两个二极管可能导致超过1％的效率损耗，尤其在低压输入的时候。

举例来说，当前最流行的效率规范之一为80 Plus规范。最高级别80 Plus钛金牌在230VAC时要求达到96％的峰值效率，在115VAC时要求达到94％的峰值效率。当次级DC / DC效率高达98％时，电桥将很容易因其高传导损耗而消耗PFC级的大部分效率。此外，二极管电桥还可能成为电源中最热的部位，这不仅限制了功率密度，还给散热设计造成了一定的困扰。

于是，越来越多人把注意力集中在如何解决这组整流桥的问题上来。解决这个问题的方向还是非常明确的，最受欢迎的两种方案分别为双升压无桥PFC和图腾柱PFC，如图1所示。在这两种方案中，主电流路径中的整流二极管数量都从2个减少到1个，从而降低了整流管上的导通损耗。

目前，已经有研究和参考设计展现出令人鼓舞的结果，但还尚未被消费类市场大批量采用和量产。因为要开发出尖端的IC解决方案，实现有竞争力的BOM成本以及经过验证的强健性和可靠性，还有很长的路要走。双升压无桥PFC需要一个额外的大功率电感来抑制共模噪声，这对成本和产品尺寸都是不利因素。而图腾柱PFC通常都需要高成本的组件，例如上管驱动器和隔离式电流采样，并且大都需要采用DSP，或者在常规PFC控制器IC上采用大量分立组件。

实际上，我们无需等待采用无桥拓扑的新型控制器IC发展成熟，通过另一种简单快捷的替代方案，可以立即降低电桥上的功率损耗。这种方案的基本思想是用同步整流MOSFET代替两个下管整流二极管，而其它的电源设计部分（包括所有功率级和控制器IC）均保持不变。图2的示例中采用MPS的MP6925A对这一概念进行了说明。MP6925A是一款仅需很少外部组件的双通道同步整流驱动器。

MP6925A通常用于LLC转换器。它根据对漏源电压（VDS）的检测主动驱动两个MOSFET。在设置系统以替换交流电桥中的下管二极管时，可采用两个高压JFET(QJ1 和 QJ2)在VDS检测期间钳位高压。当电流流经MOSFET体二极管之一时，VDS上的负阈值被触发，驱动器导通相应的MOSFET。在MOSFET导通期间，驱动器会调节相应的栅极电压，将VDS保持在一定水平之下，直到电流过低而无法触发VDS关断阈值为止。图3显示了其典型工作波形。

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