一、整流电路用mos管？

MOS管和IGBT都可以整流，通常MOS管耐压比IGBT低，所以，通常IGBT用在电压较高的电路，MOS管用在电压较低的电路，MOS管内阻很小，所以尤其低电压整流很占优势，功耗更小，建议，MOS管同步整流了解下，不要仅局限于书本

二、mos管在整流滤波电路中的用法？

MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

三、同步整流mos管怎么整流？

moS管整流方法是：

整流管VT3和续流管VT2的驱动电压从变压器的副边绕组取出，加在MOS管的栅G和漏D之间，如果在独立的电路中MOS管这样应用不能完全开通，损耗很大，但用在同步整流时是可行的简化方案。由于这两个管子开关状态互琐，一个管子开，另一个管子关，所以我们只简要分析电感电流连续时的开通情况，我们知道MOS管具有体内寄生的反并联二极管，这样电感电流连续应用时，MOS管在真正开通之前并联的二极管已经开通，把源S和漏D相对栅的电平保持一致，加在GD之间的电压等同于加在GS之间的电压，这样变压器副边绕组同铭端为正时，整流管VT3的栅漏电压为正，整流管零压开通，当变压器副边绕组为负时，续流管VT2开通，滤波电感续流。栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

四、mos管可以整流吗？

可以

MOS管和IGBT都可以整流，通常MOS管耐压比IGBT低，所以，通常IGBT用在电压较高的电路，MOS管用在电压较低的电路，MOS管内阻很小，所以尤其低电压整流很占优势，功耗更小。

因为mos管和IGBT都是电压型器件，用晶闸管是电流型整流，在感性负载输出端会出现负电压。为什么整流电路都是晶闸管，而逆变电路都是mos管因为mos管和IGBT都是电压型器件，用晶闸管是电流型整流，在感性负载。

五、mos管电路符号？

是一个类似于三角形的图形，其中上面有一个短线表示栅极，下面有两个长线表示源极和漏极，其形状可以根据PN型、NP型、增强型和耗尽型等不同种类进行微调。原因是mos管是一种采用金属-绝缘体-半导体结构的场效应晶体管，具有一些独特的电性能和可调性能，常常被应用于信号放大、逻辑运算、开关控制等领域。因此，具有清晰准确的符号是非常必要的。mos管的符号是电路图中非常基础的一部分，需要认真掌握，同时还需要了解其内部结构和工作原理，以便能够更好地理解和分析mos管电路的工作特性。同时，还需要注意符号的使用规范和注意事项，以避免在设计和调试过程中出现问题。

六、用MOS管搭建理想二极管电路，这个电路该怎么完善？

加个反相器，如图：

七、mos管偏置电路原理？

mos管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。

场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路。叫做直流（静态）偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏置电路有不同的要求，所以在实际电路中加设的偏置电路也有所不同。

八、同步整流mos管的工作状态？

工作状态是导通。

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOS，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。

它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

九、整流电路中怎么选择整流二极管？

提高电源转换效率和功率密度一直是电源行业的首要目标，在过去十年中，更因功率器件、拓扑结构和控制方案的发展而取得长足的进步。超结MOSFET、SiC二极管以及最新GaN FET的发展，确保了更高频率下的更高开关效率；同时，高级拓扑及其相应控制方案的实现也在高速发展。因此，平衡导通损耗与开关损耗以实现最佳工作点，现在已完全可以实现。

但是，用于AC线电压整流的前端二极管电桥仍然是个大问题，它阻碍了效率和功率密度的提升。高压整流二极管的正向压降通常约为1V。这意味着主电流路径中的两个二极管可能导致超过1％的效率损耗，尤其在低压输入的时候。

举例来说，当前最流行的效率规范之一为80 Plus规范。最高级别80 Plus钛金牌在230VAC时要求达到96％的峰值效率，在115VAC时要求达到94％的峰值效率。当次级DC / DC效率高达98％时，电桥将很容易因其高传导损耗而消耗PFC级的大部分效率。此外，二极管电桥还可能成为电源中最热的部位，这不仅限制了功率密度，还给散热设计造成了一定的困扰。

于是，越来越多人把注意力集中在如何解决这组整流桥的问题上来。解决这个问题的方向还是非常明确的，最受欢迎的两种方案分别为双升压无桥PFC和图腾柱PFC，如图1所示。在这两种方案中，主电流路径中的整流二极管数量都从2个减少到1个，从而降低了整流管上的导通损耗。

目前，已经有研究和参考设计展现出令人鼓舞的结果，但还尚未被消费类市场大批量采用和量产。因为要开发出尖端的IC解决方案，实现有竞争力的BOM成本以及经过验证的强健性和可靠性，还有很长的路要走。双升压无桥PFC需要一个额外的大功率电感来抑制共模噪声，这对成本和产品尺寸都是不利因素。而图腾柱PFC通常都需要高成本的组件，例如上管驱动器和隔离式电流采样，并且大都需要采用DSP，或者在常规PFC控制器IC上采用大量分立组件。

实际上，我们无需等待采用无桥拓扑的新型控制器IC发展成熟，通过另一种简单快捷的替代方案，可以立即降低电桥上的功率损耗。这种方案的基本思想是用同步整流MOSFET代替两个下管整流二极管，而其它的电源设计部分（包括所有功率级和控制器IC）均保持不变。图2的示例中采用MPS的MP6925A对这一概念进行了说明。MP6925A是一款仅需很少外部组件的双通道同步整流驱动器。

MP6925A通常用于LLC转换器。它根据对漏源电压（VDS）的检测主动驱动两个MOSFET。在设置系统以替换交流电桥中的下管二极管时，可采用两个高压JFET(QJ1 和 QJ2)在VDS检测期间钳位高压。当电流流经MOSFET体二极管之一时，VDS上的负阈值被触发，驱动器导通相应的MOSFET。在MOSFET导通期间，驱动器会调节相应的栅极电压，将VDS保持在一定水平之下，直到电流过低而无法触发VDS关断阈值为止。图3显示了其典型工作波形。

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十、buck电路mos管击穿后果？

buck电路mos管若击穿，后果很严重。输入侧电源高压直接加在输出侧。

buck电路是降压电路。mos管是输入电压与输出电压分界点，其击穿意味着是导通状态，输入电压直接加在输出侧，威胁用电器，导致电器直接烧毁。

buck电路的mos管在设计选型时，其参数余量应选2倍以上，确保电路安全。