一、mos管开关原理？
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
二、mos管开关特性？
MOS管的开关特性：
MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。
1、静态特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
2、 漏极特性
反映漏极电流iD和漏极-源极间电压uDS之间关系的曲线族叫做漏极特性曲线，简称为漏极特性，也就是表示函数 iD=f(uDS)|uGS的几何图形，当uGS为零或很小时，由于漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结，即使在漏极加上正电压（uDS>0V），MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。
3、转移特性
反映漏极电流iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性，也就是表示函数 iD=f(uGS)|uDS的几何图形。当uGS<UTN时，MOS管是截止的。当uGS>UTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。
三、mos开关管代换参数？
1 MOS开关管的代换参数包括导通电阻Ron和截止电容Coff。2 MOS开关管的导通电阻Ron与其栅电压Vgs有关，通常会在数据手册中给出相关曲线；而截止电容Coff则与栅极与漏极之间的结电容有关，通常也是在数据手册中给出的。3 MOS开关管的代换参数对于其开关特性和电路性能影响较大，因此在使用中需要注意选择合适的管型和相关参数。
四、MOS能做开关管嘛？
可以。
如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。MOS是电压控制器件，三极管需要较大的控制电流，很多时候需要逐级放大，而MOS管的栅极电流极小，几乎可以忽略，再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT
五、mos管和开关管区别？
（1）控制方式不同
开关管是电流型控制元器件，而MOS管是电压控制元器件，开关管导通所需的控制端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就可以实现开关管导通，只需改变基极限流电阻即可改变基极电流。而MOS管为电压控制，导通所需电压一般4V~10V左右，且达到饱和时所需电压一般6V~10V左右。
在控制电压较低的场合一般使用开关管作为开关管，也可以先使用开关管作为缓冲控制MOS管，一般控制电压高的场合使用MOS管，比如单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只有3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管，电压较低MOS管无法导通或内阻很大内耗大而达不到实际效果，这种情况下一般使用开关管控制。
（2）输入阻抗不同
开关管的输入阻抗小，MOS管的输入阻抗大；结电容不一样，开关管的结电容要比MOS管大，动作相应上MOS管要比开关管快一些；稳定性方面MOS管更优，开关管的少子参与导电，比较容易受到温度的影响，噪声较高，而MOS管是多子导电，噪声小，热稳定性好。
（3）内阻不同
MOS管内阻很小，大一点的几十mΩ，小的只有几mΩ，比如4mΩ、2mΩ等，而开关管的导通压降几乎不变，一般为0.3V~0.6V左右，所以一般在小电流场合比较喜欢使用MOS管，内阻小压降低，但是大电流场合一般使用开关管。
比如几百A，或上千A甚至几千A的电流时，使用开关管其导通压降只有0.3V~0.6V左右，而使用MOS管即使内阻很小，但是电流很大，压降仍然很大，比如内阻2mΩ，电流1000A，那么压降高达2V，功耗很大，高达2000W，使用开关管功耗只有300W~600W左右，电流越大其差异越明显，所以在汽车、高铁等几千安培的大电流场合，都是采用开关管作为开关管的。
六、mos管是物理开关吗？
场效应管简称MOS可以做物理开关功能用，它由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低
七、mos管做开关的接法？
首先，是切换直流24V吗？交流电压的通断用晶闸管控制方便些。
很多MOS管都符合这个要求的，选一个N沟道的MOS管就不错。
比如IRF530N，可以用来控制24V。
MOS管得栅极接控制电压（5V或者稍微大点），源极接地，负载接在漏极和+24V的电源之间。这样就可以实现你所需要的用MOS管控制直流24V的通断的功能。
八、开关电源mos管损坏？
1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；
2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；
3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；
九、mos管开关频率怎么测？
用示波器直接测量MOS管的G级，测出来的是很干净的方波最好，测量时你注意看示波器，一旦有波形出现，立即HOID住，然后在来看各项测试结果，
十、电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别？
1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
