一、N沟道、P沟道MOS管的区别？
1、芯片材质不同
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。
2、同等参数P沟道MOS管价格更高
（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。
N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。
例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。
（2）量产规模上N沟道成本更低。
由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。
（3）价格竞争更激烈。
N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。
（4）P沟道存在的意义
既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？
P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。
所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。
3、应用不同
N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。
4、使用时识别标示不同
实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。
识别方法包括：
（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。
（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。
（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。
（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P
深圳市快节奏科技有限公司旗下自主品牌——快捷芯，产品特色：超低内阻、强大电流、一致可靠、性价比高，欢迎选用。
二、p型沟道mos管原理？
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
三、MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道？
指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。
P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。
P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。
四、MOS管怎么区分N沟道和P沟道？
相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么？
方法
1、MOS的三个极怎么判定？MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 ：
G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
2、 他们是N沟道还是P沟道？三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性，判断沟道之后，再判断三个脚极性。
3、寄生二极管的方向如何判定？接下来，是寄生二极管的方向判断：它的判断规则就是： N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4、 简单的判断方法，上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。
五、p沟道mos管导通条件？
P型MOS管的导通条件：
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。
如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
六、MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢？
.
从外形上看:p沟道的mos管比同规格的n沟道的要粗一些;
2.
从导电性能看:p沟道和n沟道相比,前者要比后者的电阻低一些(当然这只是一个方面)。
3.
从耐温性看:一般来说,相同规格下同等材质的情况下(如都是硅片),p沟道的耐高温能力要强于n型。
4.
从稳定性上比较:由于工艺的不同导致两者之间的差异较大;
七、P沟道与N沟道mos管区别？
1、芯片材质不同
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。
2、同等参数P沟道MOS管价格更高
（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。
N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。
例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。
（2）量产规模上N沟道成本更低。
由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。
（3）价格竞争更激烈。
N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。
（4）P沟道存在的意义
既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？
P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。
所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。
3、应用不同
N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。
4、使用时识别标示不同
实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。
识别方法包括：
（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。
（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。
（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。
（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P
深圳市快节奏科技有限公司旗下自主品牌——快捷芯，产品特色：超低内阻、强大电流、一致可靠、性价比高，欢迎选用。
八、p沟道mos管一般在电源端作用？
随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中，对MOSFET进行栅控的是可以提供令人满意的RDS(on)的电压。
额外的栅极电压会因½C x Vgs x Vgs x f产生功耗，其中栅极电荷和开关频率在确定MOSFET技术的最终工作点和选用方面起着重要作用。
九、n沟道mos管可以通用吗？
如果要通用要把原理搞清楚，如果是做开关管用，它就相当于一个开关，打开方式是控制栅极电压，n MOS需要Vgs大于导通电压时管子才导通，换成P MOS则相反，需要Vgs小于导通电压，漏源两极才导通。栅极无电压时n MOS是常开的，p MOS是常闭的。建议最好不要通用，没搞好管子肯定烧掉。
十、mos管沟道是用什么材料？
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
