一、mos管耐压值？

10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A，耐压值为600，这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大，一般都在3~5V，而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管，其开启电压低的仅有1V，大部分都在3V以下。一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。

二、MOS管的耐压值？

指g和s之耐压值,一般为±20V（需查看MOS管的规定值，如果电压高于规定值，会存在Ids电流失控烧坏情况）.是栅极相对于源极的电压（栅极和源极之间的电压降） ，该电压决定了MOS管处于什么状态？

确定晶体管的工作状态：导通/截止，或者弱反/强反/速度饱和等

三、mos管耐压多少正常？

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

四、这个mos管耐压多少，谢谢？

行业称为st75管，电动车控制器中老牌mos管，标称耐压75v，标称电流80a，早期在电动车控制器行业一统江湖，现在因为性价比（不是指性能）的原因市场占有率已大不如从前了

五、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。

六、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

七、mos管最大允许电流？

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

八、有谁能教我如何认识mos管的耐压直和电流？

一般从型号命名可以看出的， **N** 例如10N65那就是=650V 10A，这样子。

九、mos管耐压100v怎么测试？

mos管耐压100v测试最实用的万用表测试方法:

检测前,首先用表笔将三个电极同时短路,使其G极的电荷释放.

一、区分三个电极:用两表笔RX10档分别检测三个电极,有一次是导通的(实际是检测到内部的快恢复二极管),则这两个电极为D极及S极,若是N沟道的MOS,则黑笔接的是S极,红笔接的是D极,若是P沟道则相反.余下的就是G极了.若测得有两次以上是通的,则表示该管已坏。

G极对其他两极的正反阻值均为无穷大.

二、区分类型及大致放大倍数:知道了G极后,万用表的(RX1K档)两个表笔接触D极及S极于不通的状态(如N沟道管黑笔接D极,红笔接S极),分别用手指碰触G极与其中的两极.若碰触黑表笔时管子导通,则该管为N沟道,若碰到红笔时导通,则该管为P沟道.表针摆幅越大,表示放大倍数越大.

十、mos管驱动电流怎么计算？

第一种、

可以使用如下公式估算，

Ig=Qg/Ton

其中，

Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on， ， MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.

Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Qg=(CEI) 。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod ，可在datasheet中找到)

第二种、 。第一种的变形，

密勒效应时间(开关时间、 Ton/off=Qgd/Ig、

Ig=[Vb—Vgs(th， ]/Rg。

Ig、 MOS栅极驱动电流。 Vb:稳态栅极驱动电压;

第三种，

以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。 2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。 4us,由Qg=67nC和0.4us可得。 67nC/0。4us=0. 1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。 2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.