热噪声公式？ - 散珠屏幕网

一、热噪声公式？

电阻热噪声的计算公式是Vn=sqrt(4*k*T*R*B)

100Ω的电阻计算如下，带宽选1KHz，温度选300K(27℃)

Vn=sqrt(4*1.38*〖10〗^(-23)*300*100*1000)

正确结果是1.3nV/√Hz

二、mos电流密度公式？

电流密度的公式是：J=I/A，其中， I是电流，J 是电流密度，A 是截面矢量。电流密度是一种度量，以矢量的形式定义其方向是电流的方向，其大小是单位截面面积的电流。采用国际单位制，电流密度的单位是“安培／平方米”，记作A/㎡。

拓展资料：

电流产生条件：有大量可移动的自由电荷，有电场力的作用，构成回路，大量电荷作定向运动形成电流。若E内≠0时，电荷在电场作用下发生宏观定向移动。

电流方向的规定：正电荷移动的方向。负电荷移动方向与电流方向相反。

电流强度是描述描写电流强弱的物理量，是单位时间内流过导体截面的电量。

电流密度是描写电流分布的物理量。

导体中任意一点的电流密度J的方向为该点正电荷的运动方向；J 的大小等于在单位时间内，通过该点附近垂直于正电荷运动方向的单位面积的电荷。

金属导体中的电流 I 和电流密度 j 均与自由电子数密度 n 和自由电子的漂移速率 v 成正比。

三、mos管的电流公式怎么得出？

公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。

上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。

四、深入解析MOS管栅极电流公式及其应用

在现代电子技术中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）广泛应用于开关电源、放大器和数字电路中。理解MOS管栅极电流公式对于设计和优化电路至关重要。本文将深入解析MOS管的工作原理、栅极电流公式及其实际应用。

MOS管基本原理

MOS管是一种电压驱动的装置，通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的电流。与其他类型的场效应晶体管（FET）相比，MOS管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。在MOS管的工作中，栅极电流的大小直接影响到设备的性能和效率。因此，了解MOS管栅极电流公式是必不可少的。

MOS管栅极电流定义

MOS管的栅极电流（Ig）是指通过栅极流入或流出的电流。在理想情况下，当MOS管工作在增强型模式下，栅极和源极之间的电流应该是零，因为栅极是与沟道隔离的。然而，由于栅极的电容，实际工作状态下，会存在一定的栅极电流。

栅极电流公式解析

MOS管的栅极电流Ig可以通过以下公式表示：

Ig = Cgs * (dVg/dt)

其中：

Cgs: 栅极与源极之间的电容。
dVg/dt: 栅极电压随时间的变化率。

这个公式表明，栅极电流的大小取决于栅极的电容值以及栅极电压的变化速率。换句话说，对于快速切换的信号，栅极电容越大，栅极电流也会相应增加，从而影响电路的响应时间。

影响栅极电流的因素

在使用MOS管时，影响栅极电流的因素主要包括以下几点：

栅极电压变化速率: 栅极电压的快速变动会导致较大的栅极电流。
电容值: 栅极电容的大小直接影响Ig的大小，通常情况下，电容值越大，流过的栅极电流也越大。
温度: 温度的变化会影响MOS管的电气特性，因此也会间接影响栅极电流。
电路配置: 不同的电路配置和外部元件如反馈电路等也可能会影响栅极电流。

栅极电流的实际应用

了解MOS管的栅极电流公式不仅有助于设计电路，也能优化现有电路的性能。在高频应用中，通过调整栅极电容和电压变化速率，可以有效提高电路的切换速度和抗干扰能力。此外，适当管理栅极电流亦可降低功耗，从而提高整机的能效。

结论

综上所述，MOS管栅极电流公式的理解与应用对于电路设计者至关重要。通过掌握MOS管栅极电流，工程师们可以优化电路性能，降低能耗，并提高产品的可靠性。希望本文能够帮助您更深入地了解MOS管及其栅极电流的相关知识。

感谢您花时间阅读这篇文章！希望通过这篇文章您能对MOS管栅极电流及其公式有更清晰的理解，从而在实际电路设计中更得心应手。

五、mos管速度饱和电流公式？

直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）

先求出传递函数，可以用节点电压法：

设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：

u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)

u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）

式中，w=2*3.14*f 是角频率

T32=R3*C2 是同相端时间常数

u-=u0*R/(Rf+R) （3）

设运放放大倍数是无穷大，则有

u+=u-

即（2）=（3）

u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)

u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)

式中，令：K=R/(R+Rf）为负反馈系数

(4)代入(1)

u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0

u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3

u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

整理一下写为：

u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q

根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32

令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0

方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，

w2=2*3.14* 30MHZ，

对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即

(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0

W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0

得

B= -2*3.14*50M

C=4*3.14^2*600*M^2

待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

对应系数列出方程，便可的电阻电容参数。

六、mos管电流计算公式？

七、mos电流的温度特性？

在MOS器件的特性方程及主要参数中，几乎都和导电因子κ及阈电压VT有关，而这两个参数都是随着温度而变化的，因此，温度的变化就直接影响着MOS器件和MOS电路的工作性能及其可靠性。

所以在电路设计时，必须把器件的参数随温度变化的因素考虑进去。

八、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

九、mos沟道电流的形成？

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

十、MOS管电流噪音？

应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。

试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。