一、单晶硅片类型及特性？

类型:P型硅片半导体，N型硅片半导体

特性:单晶硅片具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加；有显著的半导电性。超纯的单晶硅片是本征半导体。在超纯单晶硅片中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成P型硅片半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成N型硅片半导体。

二、mosfet漏极电流特性？

理论上，功率MOSFET是单极型器件，N沟道的功率MOSFET，只有电子电流，没有空穴电流，但是，这只是针对完全导通的时候；在线性区，还是会同时存在电子和空穴二种电流,完全导通区和线性区工作时，电势、空穴和电流线分布图。

从电势分布图，功率MOSFET完全导通时，VDS的压降低，耗尽层完全消失；功率MOSFET在线性区工作时，VDS的电压比较高，耗尽层仍然存在，此时由于在EPI耗尽层产生电子-空穴对，空穴也会产生电流，参入电流的导通。

三、mos电流的温度特性？

在MOS器件的特性方程及主要参数中，几乎都和导电因子κ及阈电压VT有关，而这两个参数都是随着温度而变化的，因此，温度的变化就直接影响着MOS器件和MOS电路的工作性能及其可靠性。

所以在电路设计时，必须把器件的参数随温度变化的因素考虑进去。

四、mos管的电流特性？

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

五、电容对电流的特性？

电流可以通过电容，是以磁场的形式通过的。

六、直流电流特性？

直流电电压可以有大小的变化，但是方向不能变。

七、怎样绘制电机转矩特性，电流特性的曲线？

电机转矩特性，电流特性的曲线可以绘制在一张曲线图内。这个曲线也叫电机起动性能曲线。以转数为Y坐标，起动转矩，起动电流为X坐标，按电磁计算方案进行描点。

1，电路：电源、开关、滑动变阻器、电流表、二极管、保护电阻串联连接，二极管上并联电压表。

2，建立坐标系：横轴为电压，纵轴为电流。

3，打开开关接通电路，调节滑动变阻器，对电压及对应的电流的变化作详细记录。

4，根据记录的数据，在坐标系中画出相应的点，把这些点连成线就是二极管的伏安特性曲线。

八、钳形电流表测量电流基于电流什么特性？

钳形表的工作部分主要是由一只磁式电流表和穿心式电流互感器组成。卡住的导线就相当于互感器一次线圈，当导线中有电流流过时，就会在表的铁芯中产生磁通，在表的二次线圈中感应出电流，这个电流就是一次电流。

九、LED功率与电流特性分析？

　LED的额定电流各不相同,普通的LED电流一般为20mA,大功率的LED电流一般为40mA或350mA不等.具体要按各封装厂提供的电流参数值.一般LED在反向电压:VR=5V的条件下,反向电流:IR≤10μA.

十、电流采样环的温度特性？

采样电阻又叫合金电阻，取样电阻的主要作用是进行电流采样，因此需要极高的稳定性与低阻值高功率的特性，因此又被称为取样电阻。采样电阻的主要特点有如下几点：1、高功率，因为是合金材质，所以功率在同体积，同阻值的情况下，功率都会比普通低阻高出一倍，如：2512普通低阻是1W的功率，合金电阻的功率就是2W,3W。2、低阻值，最低可以做到0R,0.0001R等。3、高可靠性，合金采样电阻的温度系数一般是在75ppm及50ppm以内，普通低阻的温度系数一般在200ppm及200ppm以上。