一、mos管被高压或大电流损坏后，现象是开路还是短路？
通电时电压不稳定，造成MOS内部烧坏，造成开路问题；
二、P沟道大电流MOS管有什么型号？
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
三、手机低压大电流高压大电流哪个好？
高电压小电流比较好，因为大电流充电会缩短电池的寿命。
优点：兼容性好，诸如QC 2.0/3.0、魅族mCharge、联发科PEP、华为FCP等高压快充协议的充电器基本可以通用，而且不挑数据线。而且第三方配件丰富，还有大量移动电源支持。
缺点：充电时发热量大，边用边充会降低充电效率。
四、MOS管电流噪音？
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。
五、mos电流的温度特性？
在MOS器件的特性方程及主要参数中，几乎都和导电因子κ及阈电压VT有关，而这两个参数都是随着温度而变化的，因此，温度的变化就直接影响着MOS器件和MOS电路的工作性能及其可靠性。
所以在电路设计时，必须把器件的参数随温度变化的因素考虑进去。
六、mos管的电流特性？
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
七、mos电流密度公式？
电流密度的公式是：J=I/A，其中， I是电流，J 是电流密度，A 是截面矢量。电流密度是一种度量，以矢量的形式定义其方向是电流的方向，其大小是单位截面面积的电流。采用国际单位制，电流密度的单位是“安培／平方米”，记作A/㎡。
拓展资料：
电流产生条件：有大量可移动的自由电荷，有电场力的作用，构成回路，大量电荷作定向运动形成电流。若E内≠0时，电荷在电场作用下发生宏观定向移动。
电流方向的规定：正电荷移动的方向。 负电荷移动方向与电流方向相反。
电流强度是描述描写电流强弱的物理量，是单位时间内流过导体截面的电量 。
电流密度是描写电流分布的物理量。
导体中任意一点的电流密度J的方向为该点正电荷的运动方向；J 的大小等于在单位时间内，通过该点附近垂直于正电荷运动方向的单位面积的电荷。
金属导体中的电流 I 和电流密度 j 均与自由电子数密度 n 和自由电子的漂移速率 v 成正比。
八、mos沟道电流的形成？
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
九、mos管最大允许电流？
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
十、mos电流镜工作原理？
相同晶体管具有相同的W/L和工艺技术常数。在简单电流镜中，两个晶体管具有相同的VGS。因此，两个晶体管将有相同的ID。由于没有电流流入，FET的栅极端子IIN = IOUT。
