一、mos击穿与温度关系？

一般来说，半导体器件都会有温度特性，即随着温度变化，半导体器件的参数也会随之发生变化 而且这些变化曲线一般都是非线性的 器件手册后面应该会有这方面的曲线进行参考，实际设计的话，一般认为超过＼低于工作温度的范围，器件性能变差，既击穿电压变低 如果要从半导体物理那方面去理解的话，应该也比较好理解，但是我不知道

二、电流与电流的关系？

串联电路：

I总=I1=I2(串联电路中，各处电流相等)

U总=U1+U2（串联电路中，总电压等于各部分两端电压的总和）

R总＝R1+R2+......+Rn

U1：U2=R1：R2（串联正比分压）

并联电路：

I总=I1+I2（并联电路中，干路电流等于各支路电流的和）

U总=U1=U2 （并联电路中，电源电压与各支路两端电压相等）

1/R总=1/R1+1/R2

I1：I2=R2：R1 （并联反比分流）

R总=R1·R2\（R1+R2）

R总=R1·R2·R3：R1·R2+R2·R3+R1·R3

即1/R总=1/R1+1/R2+……+1/Rn

即总电阻小于任一支路电阻但并联越多总电阻越小

三、mos管封装与参数的关系？

mos管封主要有2种，一种是双列直插塑封，另一种为双列直插陶瓷封装，主要差別是陶瓷封装的使用温度允许125℃，比塑料高。

四、a与电流的关系？

A是电流的单位：安培

电压，也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。此概念与水位高低所造成的“水压”相似。需要指出的是，“电压”一词一般只用于电路当中，“电势差”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。电压的国际单位是伏特（V）。

五、mos管尺寸与电容关系？

受制于mos管的生产工艺，mos管的尺寸越大，mos管的极间电容就越大。

六、esu与电流的关系？

电流的另一个计算公式：电流= 电量/时间,I=Q/t,其中I单位是安培（A）；Q单位为库伦（C）；t的单位是秒（s）。

注意：此公式不常用来计算,多用来理解电流的定义,因为较难测量单位时间内通过导体横截面的电荷量.

一个电子的电量e=1.60*10-19库。实验指出，任何带电粒子所带电量，或者等于电子或质子的电量，或者是它们的电量的整数倍，所以把1.60*10-19库叫做基元电荷。

扩展资料：

方向

物理上规定电流的方向，是正电荷定向运动的方向（即正电荷定向运动的速度的正方向或负电荷定向运动的速度的反方向）。电流运动方向与电子运动方向相反。

电荷指的是自由电荷，在金属导体中的自由电荷是自由电子，在酸，碱，盐的水溶液中是正离子和负离子。

在电源外部电流由正极流向负极。在电源内部由负极流回正极。

七、电流与磁的关系？

电流的磁效应(通电会产生磁)：奥斯特发现：任何通有电流的导线,都可以在其周围产生磁场的现象,称为电流的磁效应.

　通有电流的长直导线周围产生的磁场.　　在通电流的长直导线周围,会有磁场产生,其磁感线的形状为以导线为圆心一封闭的同心圆,且磁场的方向与电流的方向互相垂直

八、磁场与电流的关系？

电流于磁场，闭合的线圈切割磁感线形成电流。通有电流的长直导线周围产生的磁场，在通电流的长直导线周围，会有磁场产生，其磁感线的形状为以导线为圆心一封闭的同心圆，且磁场的方向与电流的方向互相垂直。

电流产生磁场，变化的磁场产生电流，变化的磁场可以是从外部施加的，例如一个运动的磁铁、变压器的输入端等，可以来自磁场的消失。电流和磁场是紧密相连的。

九、磁性与电流的关系？

公式：F=B*I*L*sin(角)

B为磁通量，I为电流，L为导线长度，

一般情况下，BIL符合左手定则，角是90,

也就是sin(角)=1,

F=B*I*L；

另一些情况，

要先求出角的度数，

再代入方程再求结果。

十、电流与电势的关系？

电势决定电流，电势也就是电压，电压决定电流，没有电压就没有电流， 有电压才可能有电流，也就是电压是电流的充要条件，有电压没有闭合的回路，也不能形成电流，所以有电流的条件是有电源，并且电路一定要闭合，才会形成电流，小跟电压有一定的关系，如果电阻一定电压越高，电流越大

电流在电池内部由负极到正极，这里面是化学能转化为电能，实现电子源源不断地向正极输送,形成稳定电流的必要条件就是有稳定的电源.电流在外电路由正极到负极，这里实现了从电能向其他形式能的转化.在外电路,电流由高电势向低电势,在电池内部则相反,但实际上电池内部有一个非静电力在作用,把电子源源不断地从负极搬到正极

在直流系统中，电势差造成电流。电流从高电势到低电势，因为电流要形成回路，如果只有一个电池则内部从低到高电势