一、正向电流与正向电压关系？

正向电压大多数情况下用不到，它表示二极管流过最大的正向电流时，二极管两端的压降。低压时一般很重视这个参数。

正向电流是这个二极管正常工作时流过二极管的最大电流，电流方向为A→K，也就是从符号里三角形那边流向直线那边的电流。这是极限值，超过会损坏二极管。

反向电压只这个二极管K端电位高于A端时，最高可以承受的电压，这也是极限值，超过时二极管会发生不可逆的反向击穿

二、场效应管漏源电流增大会影响栅极吗？

场效应管三级上所加的控制电压决定了场效应管漏源极输出电流的大小，在这里场效应管的栅极所起的作用就像水管上的阀门一样，主要所起的作用是控制栅源之间流过电流的大小，所以栅源之间的电流大小是不会影响场效应管的栅极的控制作用的。

三、栅极电流，阳极电流是什么意思？

现在集成电路计算机的前身是晶体管计算机，晶体管计算机的前身是电子管计算机。一般的说，晶体管是电流控制器件，电子管是电压控制器件（类似于场效应管）。电流控制器件就是基极电流可以控制集电极电流，而电子管是栅极电压控制阳极电流，所以称为电压控制器件。电子管计算机中的各单元电路与现在集成电路计算机的对应单元的原理是一样的（例如加法器、计数器、门电路），只是电子管体积大，功耗高，效率低，已经被大规模集成电路取代。

第一代计算机即电子管计算机的特点是操作指令是为特定任务而编制的，每种机器有各自不同的机器语言，功能受到限制，速度也慢。另一个明显特征是使用真空电子管和磁鼓（前期水银延迟线，后期才开发出磁鼓）储存数据。

由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点，存储器采用水银延迟线．在这个时期，没有系统软件，用机器语言和汇编语言编程．计算机只能在少数尖端领域中得到运用，一般用于科学，军事和财务等方面的计算．它的绝大部分用途已经基本被固体器件晶体管所取代。但是电子管负载能力强，线性性能优于晶体管，在高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好，所以仍然在一些地方（如大功率无线电发射设备）继续发挥着不可替代的作用。作为第一代计算机，电子管计算机是承上启下的一类计算机。推动着计算机的发展。

四、源极，栅极，漏极是什么？

场效应管MOSFET栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。三个名字是从英文而来的。

五、栅极源极漏极怎么区分？

1.栅极是场效应晶体管的一个重要部分，它可以通过改变其电压来控制器件的导通与截止。在N型场效应晶体管中，栅极与源极之间存在一条类似二极管的结构，称为P-N结，而漏极则与源极相连。可以通过使用万用表或者示波器测量PN结的正负极性来确定栅极的位置。

2.源极是场效应晶体管的另一个关键组成部分，它是器件输入信号的引脚。当栅极电压大于射极电压时，管子进入放大状态。可以通过在PN结处测量电位，或者增加栅极电压时源极电流的变化来确定源极的位置。

3.漏极是场效应晶体管的输出端口，器件的输出信号将从这个引脚被输入到外部电路中。当栅极电压足够高时，它会克服PN结的阻挡作用使得电子可以向漏极运动，形成导电通道并输出放大后的信号。可以通过使用万用表或示波器来测量PN结上的电位来确定漏极的位置

六、为什么会产生栅极电流？

栅极有个寄生电容，驱动的时候电流主要是给这个寄生电容充电，关断的时候电容就给地放电，假如你驱动电流频率是10K，那就是说每秒要给这个电容充电1万次，电容能量E=1/2CV平方，那么驱动功率W=E*K，电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就为什么说MOS管静态损耗小的原因，可是作为开关管的话，电流大小就跟频率成正比，栅极的寄生电容是并联在GS极的，这个就是回路。

七、led正向电压与正向电流的变化规律？

正向电压是LED的工作电压，这的电压使其发光。由于电压与电流是非线性关系，所以电压微小的变化，电流会有很大的变化，因此设计中以电流为主进行设计。

负向电压就是反向电压 ，当这个电压到一定值时，其电压几乎不变，但电流变化更快，这时称之为击穿。

这个击穿电压比正向电压要高，（任何二极管都符合这个规律），但击穿电压达到其允许功耗以上时，LED就坏了，也就是说，在允许功耗内，LED虽然击穿，但没损坏。在未击穿前电流很小。不管击穿与否，反向时，LED不亮. 一般而言,灯珠不可能工作在反向状态,但设计人员要以此为依据,防止工作过程中有此电压正常存在.意外损坏LED

八、mos管栅极电流是0吗？

mos管栅极驱动电流一般都是0，因为栅极和源极电阻是绝缘级的

九、pn结正向电流和正向压降公式？

在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。

小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA， 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。

实际上，以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，我们知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。

十、电流正向反向怎么定义？

在电源外部电流由正极流向负极。在电源内部由负极流回正极。

物理上规定电流的方向，是正电荷定向运动的方向（即正电荷定向运动的速度的正方向或负电荷定向运动的速度的反方向）。电流运动方向与电子运动方向相反。

电荷指的是自由电荷，在金属导体中的自由电荷是自由电子，在酸，碱，盐的水溶液中是正离子和负离子。