一、mosfet漏极电流特性？

理论上，功率MOSFET是单极型器件，N沟道的功率MOSFET，只有电子电流，没有空穴电流，但是，这只是针对完全导通的时候；在线性区，还是会同时存在电子和空穴二种电流,完全导通区和线性区工作时，电势、空穴和电流线分布图。

从电势分布图，功率MOSFET完全导通时，VDS的压降低，耗尽层完全消失；功率MOSFET在线性区工作时，VDS的电压比较高，耗尽层仍然存在，此时由于在EPI耗尽层产生电子-空穴对，空穴也会产生电流，参入电流的导通。

二、什么是漏极电流？

顾名思义，就是漏电产生的电流。以单相电路为例，正常情况下，零线和火线是电路中唯一的通路，此时电路中的电流，与用电器有关，比如10A。

如果电路中发生了漏电，则零线——火线就不是唯一回路了。

比如火线上发生了漏电，就形成了火线——大地的回路，比如这个回路产生的电流为0.5A。那么，此时零线上的电流依然是10A，而火线上的电流为火线——零线和火线——大地两个回路上的电流之和，就是10+0.5=10.5A。这里的0.5A就是漏电电流的大小。

三、什么情况源极电流等于漏极电流？

当电路出现场效应管情况的时源极电流等于漏极电流。场效应管是电压控制型，输入电阻很高，可以达到亿欧或兆亿欧的数量级，所以说其栅极电流数量级很小，基本为零。

在场效应管漏源导通时，其漏极电流和源极电流可以说是相等的，源极电流等于漏极电流。

四、为什么nmos电流为漏极到源极？

n型的mos管的n是英文negative的缩写。nmos靠电子导电，低电压的一端是电子的源泉，电子从源级流向漏极。

五、nmos漏极和源极电流一样吗？

一、指代不同 1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。 2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。   二、原理不同 1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。 2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

六、漏极电流过大会有什么影响？

变压器的漏电流最主要是由于漏磁通通过铁芯时形成的，在二次绕组上形成漏抗压降，它对变压器的正常工作是有害的。造成变压器的附加损耗的增加，使变压器发热，漏抗压降增大，输送功率下降。

七、位移电流的实质？

位移电流的本质是变化着的电场。

位移电流是：电位移矢量随时间的变化率对曲面的积分。位移电流不是电荷作定向运动的电流，但它引起的变化磁场，与传导电流引起的变化磁场等效.

意义：位移电流表征了变化的电场要产生磁场。法拉第电场感应定律表明了变化的磁场能产生电场，但变化的电场是否产生磁场？当时人们一无所知，只有当位移电流的提.

八、数字集成电路漏极电流的计算？

检测漏极接地总电阻两端的电压，用电压值除以总电阻便得到漏极电流

九、低频跨导和漏极电流有什么关系?

低频跨导和漏极电流的关系

与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小，跨导越大。

低频跨导gm 是在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。

在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

十、源极漏极的区别？

1、电流流向不同。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

2、作用不同。

电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

3、对应电位不同。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬衬底接低电位，N衬底接高电位。