一、mosfet是电压驱动还是电流驱动？
MOSFET是电压驱动， 双极型晶体管（BJT）是电流驱动。（1）只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。
（ 2）MOS管是单极性 器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
（ 3） 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
（4）MOS管应用普遍， 可以在很小电流和很低电压下工作。
（5）MOS管输入阻抗大，低噪声， MOS管较贵，三极管的损耗大。
（6）MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关 控制。
二、mosfet电流电压关系？
MOSFET器件的主要原理是能够控制源极端子和漏极端子之间的电压和电流。它几乎像一个开关一样工作，并且该设备的功能基于MOS电容器。MOS电容器是MOSFET的主要部分。
通过分别施加正或负栅极电压，可以将位于源极和漏极端子之间的下氧化层处的半导体表面从p型反转为n型。当我们对正栅极电压施加排斥力时，氧化层下方的空穴将与基板一起向下推动。
耗尽区由与受体原子相关的结合的负电荷构成。当到达电子时，会形成一个通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压将控制沟道中的电子。代替正电压，如果我们施加负电压，则将在氧化物层下方形成空穴通道。
三、mosfet电压等级？
MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。
四、mosfet漏极电压？
MOS的闯值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为闯值电压，它是MOSFET的重要参数之一。
MOS管的國值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于闯值电压，就没有沟道。阚值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为闯值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阔值电压。
五、mosfet触发电压？
mosfet触发电压需要2-4V之间，无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
六、mosfet漏极电流特性？
理论上，功率MOSFET是单极型器件，N沟道的功率MOSFET，只有电子电流，没有空穴电流，但是，这只是针对完全导通的时候；在线性区，还是会同时存在电子和空穴二种电流,完全导通区和线性区工作时，电势、空穴和电流线分布图。
从电势分布图，功率MOSFET完全导通时，VDS的压降低，耗尽层完全消失；功率MOSFET在线性区工作时，VDS的电压比较高，耗尽层仍然存在，此时由于在EPI耗尽层产生电子-空穴对，空穴也会产生电流，参入电流的导通。
七、低压MOSFET最低电压？
低压MOSFET的最低电压取决于其设计和应用需求。一般来说，低压MOSFET的最低工作电压通常在20V以下，这是为了确保其在低电压电路中正常工作，并具有较低的导通电阻和功耗，提高电源效率和电池寿命。然而，具体的最低电压可能因不同的产品型号和应用场景而有所不同。如果您需要更具体的数值，建议查阅相关产品手册或联系相关厂商获取准确信息。
八、mosfet导通电压标准？
你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。
工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右
九、a是电压还是电流？
大写A安培是电流的单位 ，电压的单位用v伏特来表示
十、mosfet开关电流比公式？
在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流.
I = C(dv/dt)
实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算.
QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:
QG = QGS + QGD + QOD
其中:
QG--总的栅极电荷 140
QGS--栅极-源极电荷 28
QGD--栅极-漏极电荷(Miller)74
QOD--Miller电容充满后的过充电荷
可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高.栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通).
用公式表示如下:
QG = (CEI)(VGS)
IG = QG/t导通 t导通=86+16=102ns QG=140nc 则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
