一、雪崩击穿的特点？

雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。

二、如何区别齐纳击穿和雪崩击穿？

答案如下:

          一、性质不同

         1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。

         2、齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

        二、特点不同

      1、雪崩击穿特点：材料掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，获得的能量在电场作用下增加。

      2、齐纳击穿特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，在碰撞电离机理中，不仅与场强有关，而且与载流子碰撞的累积过程有关。显然，空间电荷区域越宽，它的倍数就越大。因此，雪崩击穿不仅与电场有关，还与空间电荷区的宽度有关。它要求结厚。而隧道效应要求结薄。

三、mos管雪崩击穿原理？

当MOSFET漏极存在大电流Id，高电压Vd时，器件内电离作用加剧，出现大量的空穴电流，经Rb流入源极，导致寄生三极管基极电势Vb升高，出现所谓的“快回(Snap-back)”现象，即在Vb升高到一定程度时，寄生三极管V2导通，集电极（即漏极）电压快速返回达到晶体管基极开路时的击穿电压（增益很高的晶体管中该值相对较低），从而发生雪崩击穿。

四、二极管如何导电？什么是雪崩击穿和齐纳击穿？

当外电场电子来到pn结的时候，自由电子因为内电场的电场力，能够顺利来到p区导电吗？

外电场电子这个说法有点指代不明。如果是指N区的电子，那么可以说明电子是可以跨过耗尽区进入P区导电的，虽然电子在耗尽区逆电场运动，但是别忘了电子还会扩散运动，P区电子实在是太少了以至于电子可以跨越这层耗尽区的电场，知道平衡。

即使来到了p区，它不会和p区的空穴结合吗？

电子当然会和P区空穴结合，事实上电子在这里的运动是边扩散边复合的向前运动，在计算PN结电流的时候分析这部分的电子浓度是重中之重！！

那么它又是如何削弱电场的呢？

在分析PN结的时候我们会用到一个叫做“耗尽区近似”的模型，在这个模型下外加电场是完完全全加在耗尽区的，又因为正偏时候外加电场是和内建场相反的，所以外加电场会削弱内建场让更多的电子穿过耗尽区。

那么外电场的自由电子来到p区之后不会和p区的空穴结合吗？电子能够顺利的到耗尽层吗？

电子难道不是先经过耗尽区才进入的P区吗？在耗尽区有大量共价键束缚着的电子，如果把这些电子撞出来，就会生成一对电子空穴对，然后这对电子和空穴会快速的被内建电场分别向两边拉，当然当速度过快的时候，就会发生雪崩效应。

齐纳击穿耗尽层窄，掺杂浓度高，它又是一个怎样的击穿过程？

齐纳击穿是比较难以理解，我配下面的一幅图来帮助理解。这种击穿是因为量子力学里面的隧穿效应导致的。简单理解就是两条线太近了，就直接穿过去了，此时势垒失去了阻挡电子的作用，发生了击穿。

问题提的很棒。加油，继续学习！

五、雪崩击穿和隧道击穿的特征和发生条件？

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。

齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂志，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。

热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。

热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

六、雪崩击穿二极管

雪崩击穿二极管

二极管是一种常用的电子元器件，它的主要作用是单向导电。然而，当雪崩击穿二极管时，它会变得非常危险。本文将介绍雪崩击穿二极管的概念、原理、危害以及如何避免。

概念和原理

雪崩击穿二极管是指当二极管受到高能量冲击时，其内部结构会发生改变，导致二极管失去单向导电性，从而产生巨大的电流。这种电流可以瞬间将二极管烧毁，甚至可能引起火灾和电击事故。

雪崩击穿二极管的原理主要是由于高能量冲击产生的电场强度超过了二极管的承受极限。当电场强度超过二极管的临界值时，二极管内部的电子会加速运动，产生大量的热量，导致二极管内部结构发生改变。

危害

雪崩击穿二极管的危害非常大，它不仅会导致二极管损坏，还可能引发火灾和电击事故。因此，在处理二极管时，必须小心谨慎。

如何避免

为了减少雪崩击穿二极管的风险，我们可以采取以下措施：

• 使用高质量的二极管：高质量的二极管通常具有更高的耐压能力和更稳定的性能，可以减少发生雪崩击穿的概率。
• 避免高能量冲击：在处理二极管时，要避免受到高能量冲击，如使用锤子等工具敲打二极管。
• 注意安全：在进行与二极管相关的操作时，必须佩戴安全防护装备，如绝缘手套、绝缘鞋等，以确保操作人员的人身安全。

总之，雪崩击穿二极管是一种非常危险的故障模式，我们必须引起足够的重视。通过采取正确的预防措施，我们可以减少风险，确保电子设备的正常运行。

七、二极管雪崩击穿

二极管雪崩击穿

二极管雪崩击穿是半导体物理中的一种现象，它是指当二极管受到足够高的能量冲击时，其内部结构会发生改变，从而导致二极管失效。这种失效现象通常是由于高能辐射、静电放电、高能粒子轰击等原因引起的。在电子设备中，二极管被广泛使用，因此二极管雪崩击穿现象对设备的正常运行具有重要意义。

二极管雪崩击穿的现象可以导致二极管的导通状态发生改变，甚至可能导致二极管完全损坏。因此，在设计和制造电子设备时，需要考虑到二极管雪崩击穿的影响，并采取相应的措施来保护二极管，例如使用过流保护电路、增加二极管的数量和型号等。此外，在设备的使用过程中，也需要定期检查二极管的状态，及时发现和处理二极管损坏的情况。

对于已经损坏的二极管，可以通过外观检查、电阻测量等方法进行判断。如果发现二极管出现颜色变化、变形、异味等现象，则可能是二极管已经损坏。此时需要及时更换新的二极管，以确保设备的正常运行。同时，在更换二极管时，需要注意选择合适的型号和规格，以确保新旧二极管的性能和参数一致，避免出现新的故障。

总之，二极管雪崩击穿是半导体物理中一种重要的现象，对电子设备的正常运行具有重要意义。在设计和使用电子设备时，需要充分考虑二极管雪崩击穿的影响，并采取相应的措施来保护二极管。同时，也需要定期检查二极管的状态，及时发现和处理二极管损坏的情况。

八、雪崩击穿和齐纳击穿的特点是什么？

雪崩击穿和齐纳击穿的特点：

1、齐纳击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，而在碰撞电离机构中既与场强大小有关，也与载流子的碰撞累积过程有关。显然空间电荷区愈宽，倍增次数愈多，因此雪崩击穿除与电场有关外，还与空间电荷区的宽度有关，它要求PN结厚。

2、因为雪崩击穿是碰撞电离的结果。如果我们以光照或是快速粒子轰击等办法，增加空间电荷区中的电子和空穴，它们同样会有倍增效应。而上述外界作用对齐纳击穿则不会有明显影响。

3、由隧道效应决定的击穿电压，其温度系数是负的，即击穿电压随温度升高而减小，这是由于温度升高禁带宽度减小的结果。而由雪崩倍增决定的击穿电压，由于碰撞电离率(电离率表示一个载流子在电场作用下漂移单位距离所产生的电子空穴对数目)随温度升高而减小，其温度系数是正的，即击穿电压随温度升高而增加。

4、对于掺杂浓度较高势垒较薄的PN结，主要是齐纳击穿。掺杂较低因而势垒较宽的PN结，主要是雪崩击穿，而且击穿电压比较高。

九、击穿电压公式？

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的最低临界电压称为击穿电压，在均匀电场中，击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度，它反映固体电介质自身的耐电强度。 不均匀电场中，击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。

十、晶闸管电压击穿与电流击穿现象？

1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

　　2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。

　　3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。

　　4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。