一、N型mosfet沟道产生条件？
n沟mos管导通条件
场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。
可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加栅源电压是为了使其截止。
开关只有两种状况通和断，三极管和场效应管作业有三种状况，1.截止，2.线性扩大，3.饱满（基极电流持续添加而集电极电流不再添加）。使晶体管只作业在1和3状况的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表明开关；以晶体管饱满，发射极和集电极之间的电压差挨近于0V时表明开。开关电路用于数字电路时，输出电位挨近0V时表明0，输出电位挨近电源电压时表明1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状况。
二、长沟道和短沟道的区别？
长渠道是经过两道以上中间环节后到达消费者手中的渠道，分销渠道的长度取决于商品在整个流通过程中经过的流通环节或中间层次的多少，经过的流通环节或中间层次越多分销渠道就越长，反之分销渠道就比较短。
短渠道是指产品直接到达消费者或只经过一道中间环节的渠道。分销渠道的长度取决于商品在整个流通过程中经过的流通环节或中间层次的多少，经过的流通环节或中间层次越多分销渠道就越长，反之分销渠道就比较短。有产需直接见面和中间经过零售商等两种形式。
三、N沟道mosfet如何做buck降压电路？
如果位于高端，则需要有自举电路提供给NMOS驱动电压Vgs， 如果是位于低端，则直接驱动即可。
四、mos沟道电流的形成？
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
五、mosfet电流电压关系？
MOSFET器件的主要原理是能够控制源极端子和漏极端子之间的电压和电流。它几乎像一个开关一样工作，并且该设备的功能基于MOS电容器。MOS电容器是MOSFET的主要部分。
通过分别施加正或负栅极电压，可以将位于源极和漏极端子之间的下氧化层处的半导体表面从p型反转为n型。当我们对正栅极电压施加排斥力时，氧化层下方的空穴将与基板一起向下推动。
耗尽区由与受体原子相关的结合的负电荷构成。当到达电子时，会形成一个通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压将控制沟道中的电子。代替正电压，如果我们施加负电压，则将在氧化物层下方形成空穴通道。
六、mosfet漏极电流特性？
理论上，功率MOSFET是单极型器件，N沟道的功率MOSFET，只有电子电流，没有空穴电流，但是，这只是针对完全导通的时候；在线性区，还是会同时存在电子和空穴二种电流,完全导通区和线性区工作时，电势、空穴和电流线分布图。
从电势分布图，功率MOSFET完全导通时，VDS的压降低，耗尽层完全消失；功率MOSFET在线性区工作时，VDS的电压比较高，耗尽层仍然存在，此时由于在EPI耗尽层产生电子-空穴对，空穴也会产生电流，参入电流的导通。
七、mosfet开关电流比公式？
在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流.
I = C(dv/dt)
实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算.
QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:
QG = QGS + QGD + QOD
其中:
QG--总的栅极电荷 140
QGS--栅极-源极电荷 28
QGD--栅极-漏极电荷(Miller)74
QOD--Miller电容充满后的过充电荷
可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高.栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通).
用公式表示如下:
QG = (CEI)(VGS)
IG = QG/t导通 t导通=86+16=102ns QG=140nc 则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
八、mosfet是电压驱动还是电流驱动？
MOSFET是电压驱动， 双极型晶体管（BJT）是电流驱动。（1）只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。
（ 2）MOS管是单极性 器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
（ 3） 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
（4）MOS管应用普遍， 可以在很小电流和很低电压下工作。
（5）MOS管输入阻抗大，低噪声， MOS管较贵，三极管的损耗大。
（6）MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关 控制。
九、P沟道大电流MOS管有什么型号？
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
十、np沟道箭头方向是电流方向吗？
三极管B,C,E极之间的有没有电流以及电流的方向取决于B,E极，C,Ｅ极之间的电压偏置。
根据偏置电压的方向和大小，一般三极管有三种工作状态：截止状态，放大状态以及饱和导通状态。
截止状态下，B,E极之间，C,E极之间都没有电流流过。
放大状态或者饱和导通状态下，如果是NPN型的三极管，电流从B极以及C极流向E极，如果是PNP型的三极管，电流从E极流向B极以及C极。不管是NPN不容小觑是PNP，E极电流的方向和三极管电气符号所标的箭头方向是一致的。
但是，除了这三种状态以外，还有一种工作状态通常被人忽略。
那就是三极管的倒置工作状态。
