一、绝缘栅场效应管的栅极电流为零？结型场效应管的栅极电流为零？

绝缘栅场效应管的栅极电流为零是因为其栅极与通道之间由一薄绝缘层分隔开，栅极上的电压仅用来控制通道的导电性，而不会有电流通过。

而结型场效应管的栅极电流也为零是因为其栅极与通道之间的结型结构，在零偏压情况下，栅极不会有电流通过。因此，这两种场效应管都能实现零栅极电流的特性，使得它们在电子控制和放大电路中有着重要的应用价值。

二、绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流是否比结型场效应管的小？

是的。

三、场效应管栅极电流能有多大？

16a。

irf1205场效应管的参数额定功率18瓦。最大漏源电流：16A，漏源击穿电压：600V，内阻：0.26，通态电流：8A，栅极电压：10V，

irf1205场效应管又称光敏三极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。

四、n沟道结型场效应管的漏极电流由？

场效应管的漏极电流是由多子自由电子和少子空穴的漂移运动形成。

结型场效应晶体管是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。

五、场效应管漏源电流增大会影响栅极吗？

场效应管三级上所加的控制电压决定了场效应管漏源极输出电流的大小，在这里场效应管的栅极所起的作用就像水管上的阀门一样，主要所起的作用是控制栅源之间流过电流的大小，所以栅源之间的电流大小是不会影响场效应管的栅极的控制作用的。

六、如何判断分结型场效应管，绝缘栅型场效应管？

结型和绝缘栅型比较好区别，绝缘栅型的栅极和其他两级都不导通，测量电阻基本为无穷大，结型的话会，会有PN结的特性。耗尽型和增强型应该都是属于绝缘栅型的子类，市面上多数为增强型，有个简单的方法可以测试：首先短路G极和S极，然后测量D和S极之间是否导通，增强型MOSFET此时D和S极直接几乎绝缘；然后用多用表二极管档给G极充电，充电以后保持G极绝缘，然后测试D和S极之间的电阻，可以验证得此时电阻非常小，一般为mΩ级别。

七、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别？

结型和绝缘栅型比较好区别，绝缘栅型的栅极和其他两级都不导通，测量电阻基本为无穷大，结型的话会，会有 PN 结的特性。耗尽型和增强型应该都是属于绝缘栅型的子类，市面上多数为增强型，有个简单的方法可以测试：首先短路 G 极和 S 极，然后测量 D 和 S 极之间是否导通，增强型 MOSFET 此时 D 和 S 极直接几乎绝缘；然后用多用表二极管档给 G 极充电，充电以后保持 G 极绝缘，然后测试 D 和 S 极之间的电阻，可以验证得此时电阻非常小，一般为 mΩ 级别。

八、n沟道增强型和耗尽型是否都无栅极电流？

n沟道增强型是需要你在栅极加一个正电压，把下面p型半导体里的电子吸引到栅极下面，形成一个富集了电子的n型沟道，从而把s极和d极的n+区通过这个沟道链接起来，电子可以通过这个沟道自由往来s极和d极。

n沟道耗尽型是制作的时候已经在栅极底部的sio2里掺杂了很多正离子，不另加压的状态下，只靠正离子对于电子的吸引力就已经能在栅极下形成连接s和d的沟道，能让sd中的电子自由往来了，所以它的特性曲线，在不加压的状态下就已经存在id（漏电流）了。

主要区别就是在不给栅极加正压的时候，沟道是否已经形成。 不加压就已形成沟道的----耗尽型； 不加压无沟道：增强型。 如果还不理解的也可以发问是哪里不明白，我最近刚好在看这一块，可以互相促进。

九、结型场效应管工作原理是什么？

结型场效应管N沟道UGD=UGS-UDS的原因：UGD是栅极漏极之间的电压，UGS是栅极相对于源极的电压，UDS是漏极相对于源极的电压。所以UGS和UDS就是栅极相对于漏极的电压，即UGD。结型场效应晶体管JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N沟道或者P沟道两种。

十、p沟道结型场效应管工作原理？

P 沟道 MOS 管工作原理

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金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为 N 沟道与 P 沟道两大类， P 沟道硅 MOS 场效应晶体管在 N 型硅衬底上有两个 P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极 上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的 N 型硅表面呈现 P 型反型层，成为连接源极和 漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种 MOS 场效 应晶体管称为 P 沟道增强型场效应晶体管。如果 N 型硅衬底表面不加栅压就已存在 P 型反 型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的 MOS 场效应晶体管称为 P 沟道耗尽型场效应晶体管。统称为 PMOS 晶体管。 P 沟道 MOS 晶体管的空穴迁移率低,因而在 MOS 晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相 等的情况下，PMOS 晶体管的跨导小于 N 沟道 MOS 晶体管。此外，P 沟道 MOS 晶体管阈值 电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极 型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS 因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨 导小，所以工作速度更低，在 NMOS 电路(见 N 沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之 后，多数已为 NMOS 电路所取代。只是,因 PMOS 电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小 规模数字控制电路仍采用 PMOS 电路技术。PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适 合用于源极接 VCC 时的情况（高端驱动） 。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动， 但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 正常工作时，P 沟道增强型 MOS 管的衬底必须与源极相连，而漏心极的电压 Vds 应为 负值，以保证两个 P 区与衬底之间的 PN 结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电 沟道，栅极对源极的电压 Vgs 也应为负。 导电沟道的形成（Ｖds＝０） 当 Vds=0 时，在栅源之间加负电压 Vgs，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅 极被补充电而聚集负电荷， Ｎ型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动， 表面留 下带正电的离子，形成耗尽层，随着Ｇ、Ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽，当 Vgs 增大 到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层 之间形成一个Ｐ型薄层，称反型层，这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的Ｖ gs 称为开启电压 Vgs（th） ，Vgs 到 Vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反 型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用 Vgs 的大小控制导电沟道的宽 度。