一、PN结扩散电流电压关系遵循什么规律？
PN结上的电压与电流不符合欧姆定律。当PN结外加正向电压时，电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时，电流约等于反向饱和电流。欧姆定律的简述是：在同一电路中，导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比。该定律是由德国物理学家乔治·西蒙·欧姆1826年4月发表的《金属导电定律的测定》论文提出的。随研究电路工作的进展，人们逐渐认识到欧姆定律的重要性，欧姆本人的声誉也大大提高。为了纪念欧姆对电磁学的贡献，物理学界将电阻的单位命名为欧姆，以符号Ω表。
二、PN结的扩散？
你的理解是非常正确的。
但是这种扩散不会无限进行下去。要记住：原来的p区n区都是电中性的。扩散发生之后，p区有了多余的电子，n区有了多余的空穴（或者说缺少了电子），结果它们的电中性被破坏了。电中性破坏到一定程度以后，就会阻碍扩散继续进行下去，也就是说在p区与n区之间的分界面形成了一个阻挡层。这个阻挡层就是pn结势垒。三、PN结中扩散电流的方向是什么？
首先理解pn结形成后的电荷状态吧。在电荷区靠P区的是聚集负电荷，在电荷区靠N区是聚集正电荷。此时，电荷区的内部电场方向是由N区指向P区。
当PN结正向偏置时，即给PN结加由P区指向N区的正向电压，那么这个电压所产生的电场就会抵消内部电场（方向跟内部电场相反），（电压所产生的电场）同时导致远离电荷区的P区空穴和N区自由电子向电荷区移动，抵消了电荷区靠近P区的负电荷和靠近N区的正电荷。所以使得电荷区变窄。（好像此时P区的少子自由电子经过电源到达N区，这句有错的话通知我改正）
四、PN结扩散的原理？
PN结原理
PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。
在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程如下：
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。
五、pn结最大电流？
二极管的最大电流参数相关的主要有：最大整流电流IF，是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关；正向峰值电流（正向最大电流）IFM（IM），是在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流；反向峰值电流IRM；反向不重复峰值电流IRSM；最大稳压电流IZM，仅适用于稳压二极管。
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
六、pn结电流分类？
扩散，漂移，产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。反向饱和电流有扩散和漂移。体漏电流有产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。表面漏电流有表面产生复合，表面遂穿，表面沟道电流。
PN结
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
七、pn结的形成是什么扩散？
pn结的形成是漂移，扩散，
在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，此时两边电荷分布相当不均匀，扩散运动使P区空穴往N区运动，N区电子往P区运动，在P区和N区的交界处附近被相互中和掉，使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电荷区（耗尽层）。由于P区一侧带负电，N区一侧带正电，所以出现了方向由N区指向P区的内电场。
八、pn结扩散电容效应应用？
PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率，PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结，频率越高则通过越多。
二极管，三极管反向的时候，PN结两边的N区和P区仍然是导电的，这样两个导电区就成了电容的两个电极。从而构成PN结的电容效应。
为了减小这个电容，会减小PN结面积或增加PN结厚度，并且一般用势垒电容，扩散电容来等效。
九、什么是PN结势垒电容，什么是PN结扩散电容？
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。
PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，PN结变窄，空间电荷区变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容放电。同理，当正向电压减小时，PN结变宽，空间电荷区变宽，结中空间电荷量增加，相当于电容充电。加反向电压升高时，一方面会使耗尽区变宽，也相当于对电容的充电。加反向电压减少时，就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流，使耗尽区变窄，相当于放电。 PN结电容算法与平板电容相似，只是宽度会随电压变化。 下面再看扩散电容。 PN结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。 在PN结反向偏置时，少子数量很少，电容效应很少，也就可以不考虑了。在正向偏置时，P区中的电子，N区中的空穴，会伴着远离势垒区，数量逐渐减少。即离结近处，少子数量多，离结远处，少子的数量少，有一定的浓度梯度。 正向电压增加时，N区将有更多的电子扩散到P区，也就是P区中的少子----电子浓度、浓度梯度增加。同理，正向电压增加时，N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反，正向电压降低时，少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。 PN结反向偏置时电阻大，电容小，主要为势垒电容。正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。 频率越高，电容效应越显著。 在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。十、pn结的电流流向？
一个二极管是由一个PN结的半导体元件，电流是从P流向N。三极管是由二个PN结的半导体元件，分为PNP和NPN两种形式，当其达到导通条件时，NPN三极管的电流是从C极流向E极，反过来，PNP三极管的电流是从E极流向C极。PNP和NPN导通后，电流方向是不同的。
