一、mos管的开启电压对应的电流？
MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。
沟道开通后，理论上说不需要栅极维持电流，但实际上由于栅极有漏电流存在，往往需要保持一个稳态的栅源电压，但这个漏电流通常uA级，与BJT三极管的mA级相距甚远。
二、MOS管电流噪音？
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。
三、usb接口瞬间电流过大？
电脑提示USB端口上的电涌可能是电流太大、主板处是否有灰尘等原因造成的，解决方法：
1、首先排除是不是插入的U盘电流太大。
2、另外看一下，机箱内的USB插头还有主板处是否有灰尘，造成轻微短路而导致的电流大。
3、如果经过上面的处理都没有解决，下面我们打开“设置”-“设备”。
4、找到USB，选中后在右边的开设置为关即可。
5、然后再插入U盘，就不会提示了。
6、这样可以不让其提示，但是问题还是存在的，有时间还是需要让修理师傅修理的。
四、mos管的电流特性？
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
五、mos管最大允许电流？
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
六、开关瞬间电流过大怎么解决？
这种情况可能是两种原因所致。
一种情况是这个开关下面有大电机或其他大的电感负载是重载直接由开关启动停止。
这需要将电机或其它大容量电器改为由交流接触器来启动停止。降低开关瞬间的电流。
另一种情况是此开关下有若干分支电路开关都在合闸状态，而分路开关下都有电器处在直通状况。汇总电流就非常之大了。
这需要将各分路开关拉开，总开关只分断空载线路。即可。
七、瞬间电流过大引起跳闸？
瞬间的大电流会引起电源跳闸的原因如下:1 瞬间负载负荷超载运行引起跳闸，2 电源容量过小，瞬间电源电压下降引起负载额定电流直线上升等，3 负载运行过程中突发各种短路故障也会使电源跳闸，4 负载转动装置突发卡住故障同样会使电源跳闸等。
八、电磁炉瞬间电流过大？
带来瞬间电流过大的因素如下：
注意排除一下市电是否电流异常。（排除此项才可进行下一步。）
220交流供电转换电路的消噪电容（功能为滤除220AC交流供电中的杂波。保证300V整流桥的输入级的杂波，更利于整流桥的工作输出。）
电流保护电路。（通过对电流的监控来保护机器不受异常伤害。）
九、mos管栅极开启电压多少？
mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。
那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通
十、mos管驱动电流怎么计算？
第一种、
可以使用如下公式估算，
Ig=Qg/Ton
其中，
Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on， ， MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.
Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=(CEI) 。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod ，可在datasheet中找到)
第二种、 。第一种的变形，
密勒效应时间(开关时间、 Ton/off=Qgd/Ig、
Ig=[Vb—Vgs(th， ]/Rg。
Ig、 MOS栅极驱动电流。 Vb:稳态栅极驱动电压;
第三种，
以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。 2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。 4us,由Qg=67nC和0.4us可得。 67nC/0。4us=0. 1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。 2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.
