一、如何测试mos管的内阻？
mos管导通后，让其通过一个电流，测量此时mos管源极和漏极电压，除以电流就是mos管内阻。
二、MOS管电流噪音？
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。
三、mos管测试哪些参数？
MOS管（金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）作为一种常用的半导体器件，通常需要在生产或使用前进行测试，以确保器件的正常工作。MOS管的一些重要参数测试如下：
1. idss（最大漏电流）：测试MOS管的器件的最大漏电流，通常用直流测试法进行测试。
2. vp（场效应管的开启电压）：测试MOS管的场效应管的开启电压，通常用外接电压检测测试法进行测试。
3. Vgs（栅源电压）：测试MOS管的栅源电压输入与输出的变化特性，通常用信号源或函数发生器加电压源的方法进行测试。
4. RDS（开结电阻）：MOS管的开结电阻是影响器件代码的关键参数之一，也是 MOS管的重要的承载能力指标。RDS的测试通常用在DC电流工作区域，初始电流约为所设置最大电流的50％。
5. 动态参数：例如开关时间、开关时间等动态参数的测试，可以评估MOS管的工作效能，通常使用脉冲电压记录示波器进行测试。
6. 寿命测试：为评估器件的可靠性和长寿命性能，应该对MOS管器件进行寿命测试，通常包括高温永久电压、低温循环电压和热振荡等测试。
总之，MOS管的测试需要结合器件的本质特性和应用情况，全面评估器件以确保其在各种条件下的正常工作。
四、如何计算MOS管栅极驱动电流？
MOS管栅极驱动电流的计算需要考虑多个因素，包括栅极电压、栅极电容、晶体管输入电阻等。一般情况下，需要知道输入电压和输出电阻，通过这些值可以计算驱动电流。同时也需要考虑电路中的负载和功率，确保驱动电流不会过大或过小。最终，需要进行实验测试来验证驱动电流是否符合设定要求。
五、mos管的电流特性？
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
六、mos管最大允许电流？
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
七、mos管电参数测试规范？
电参数测试是指对电子元器件或电器设备进行电气参数测试的过程。MOS管是一种常用的电子元器件，测试其电参数是衡量其性能和可靠性的重要手段。以下是一些关于MOS管电参数测试的常见规范：1. 测试环境要求：测试应在恶劣的环境条件下进行，如高温、低温、高湿度等，以模拟实际使用环境。2. 测试仪器要求：采用专业的测试仪器进行测试，如直流电源、示波器、电阻箱、电容仪等。要求仪器的精度和稳定性较高。3. 测试方法：根据MOS管的不同电参数，采用相应的测试方法，如漏极电流测试、阈值电压测试、输出电容测试等。测试方法要符合相关标准。4. 测试条件：根据MOS管的使用要求，设置相应的测试条件，如输入电压、漏极电流、温度等。测试条件应符合相关标准或设计要求。5. 测试流程：制定完整的测试流程，包括初始化设置、测试参数设定、测试信号输入、数据采集、判断结果等。6. 测试数据处理：对测试得到的原始数据进行整理和分析，计算得出各项电参数的数值，并进行比较和评估。测试数据应记录并保存。7. 测试报告：编写详细的测试报告，包括测试目的、测试方法、测试结果、数据分析、问题和建议等内容。测试报告应有一定的结构和格式要求。总之，进行MOS管电参数测试需要遵守相关规范和标准，确保测试准确可靠，并对测试数据进行科学分析和处理，以提供可靠的性能评估和可靠性判定。
八、mos管驱动电流怎么计算？
第一种、
可以使用如下公式估算，
Ig=Qg/Ton
其中，
Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on， ， MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.
Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=(CEI) 。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod ，可在datasheet中找到)
第二种、 。第一种的变形，
密勒效应时间(开关时间、 Ton/off=Qgd/Ig、
Ig=[Vb—Vgs(th， ]/Rg。
Ig、 MOS栅极驱动电流。 Vb:稳态栅极驱动电压;
第三种，
以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。 2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。 4us,由Qg=67nC和0.4us可得。 67nC/0。4us=0. 1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。 2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.
九、mos管并联电流怎么算？
开通电流
Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA
关断电流
Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。
于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。
十、mos管放大电压还是电流？
mos管放大电流。
MOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
