pn结的伏安特性曲线分析?

一、pn结的伏安特性曲线分析?

pn结的伏安特性曲线是指在外加电压作用下,pn结的电流与电压之间的关系曲线。

在零偏压下,pn结的电流很小,称为漏电流。随着正向偏压的增加,电流迅速增加,但仍然很小,这是因为在正向偏压下,少数载流子才能克服内建电场,通过pn结。当正向偏压达到一定程度时,电流急剧上升,这是因为所有的载流子都能通过pn结,形成大量电流。这种特性称为正向电压的Zener效应或Avalanche效应。

在反向偏压下,pn结的电流也很小,称为反向漏电流。随着反向偏压的增加,电流很先线性增加,这是因为反向偏压增大时,扫描电场增大,激发越来越多的载流子穿过pn结。当反向偏压继续增大时,电流突然急剧上升,这是因为达到击穿电场强度时,产生空间电荷区,导致大量载流子受到雪崩效应,形成大电流。这种特性称为反向电压的Zener效应或Avalanche效应。

总之,pn结的伏安特性曲线反映了它在不同偏压下的导通特性和电流特性。该曲线具有明显的非线性特征,可以用于制作二极管和稳压器等电子元件。

二、pn结 饱和电流 温度特性?

1、正向导通,反向截止。当正向电压达到一定值时(硅管0.7伏,锗管0.3伏)左右时,电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的。

  2、有两种载流子,即电子和空穴。

  3、受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度,因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。

正向偏置时,空间电荷区缩小,削弱内电场,外电场增大到一定值以后,扩散电流显著增加,形成明显的正向电流,PN结导通。

  反向偏置时,空间电荷区拓展,加强内电场,扩散运动大大减弱,少子的漂移运动增强并占优势。然而常温下掺杂半导体的少子浓度很低,反向电流远小于正向电流。

  温度一定时,少子浓度一定,PN结反向电流几乎与外加反向电压无关,所以又称为反向饱和电流。

  

三、pn结反向电压内部电流关系?

给PN结加正向电压时,pn结变薄,可以有正向电流通过,此时电压降为0.65伏特左右(硅管)。给PN结加反向电压时,pn结变厚,仅有极微量的电流(漏电流)通过。此时为反向阻断状态,当反向电压加到足够大,pn结被击穿,pn结就变为一个纯导体了。

光伏电池也是如此。

四、pn结正向伏安特性曲线是什么?

pn结正向伏安特性曲线的函数形式:理想pn结正向伏安特性曲线就是个标准的指数函数,底为e,非理想略微下降。伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的,也就是耗电元件,图像常被用来研究导体电阻的变化规律。

五、pn结整流特性?

PN结整流特性是指当半导体材料中PN结被正向或反向偏置时,所表现出的电流流动特性。1. 正向偏置特性:当PN结被正向偏置时,即在P区加正电压而在N区加负电压,此时PN结会变薄,使得载流子能通过结层进行流动。在正向偏置下,当正电压增大时,PN结就会开始导通,电流呈指数增长。正向偏置时,PN结的电流主要由少数载流子贡献,即电子从N区向P区注入,同时空穴从P区向N区注入,导致电流的流动。而且,正向偏置情况下,PN结的阻抗很小,相对来说电流容易流动。2. 反向偏置特性:当PN结被反向偏置时,即在P区加负电压而在N区加正电压,此时PN结会变厚,使得空间电荷区增宽,从而阻止了载流子的流动。在反向偏置下,PN结的电流非常小,可以近似看作是截止状态。当反向偏压增大到一定程度时,PN结会发生击穿现象,电流急剧增大,这是因为击穿时电子与空穴可以通过空穴-电子对产生电子对(电离)的方式流动形成电流。总结:PN结的正向偏置特性表现为低阻抗通过电流,反向偏置特性表现为截止电流,直到达到一定电压会发生击穿。这种特性使得PN结在电子学和电力电子等领域中广泛应用,例如用于整流、开关、放大器等电路中。

六、pn结正向伏安特性曲线是什么类型?

属于指数类型特性曲线。

理想pn结正向伏安特性曲线就是个标准的指数函数,底为e,非理想略微下降

PN最显著的特点是在外加偏置为正和为负是不同的,正向时电流很容易流过,反向时电流很难流过,用一句话来概括这种特性就是PN结具有单向导电特性。

当PN结加反向电压时,PN结应该截止不导通,但当加在PN结上的反偏电压超过一定数值时,反偏电流会急剧增大,称为PN结反向击穿。造成PN反向击穿的原因有两种,一种是齐纳击穿,一种是雪崩击穿。

结电容并不是常量,而是与外加电压有关,属于非线性电容,并且由于结电容的存在,若PN结外加电压的频率高到一定程度,PN结将失去单向导电特性

七、pn结伏安特性曲线函数是什么型?

pn结正向伏安特性曲线的函数形式:理想pn结正向伏安特性曲线就是个标准的指数函数,底为e,非理想略微下降。

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的,也就是耗电元件,图像常被用来研究导体电阻的变化规律。

八、pn结加正向电压时电流方向?

1、正向电压(正向偏置):PN结的P区接电源的正极,N区接电源的负极;

2、PN结加正向电压时,在PN结上会形成方向从P指向N的外电场,这个外电场的方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场的作用,使漂移运动和扩散运动的平衡被打破,扩散运动加强。由于这时扩散了的多子可以由外电场得到源源不断的补充,形成了流入P区的电流,称为正向导通电流。又因为这个电流是由多子形成的,其值比较大,此时PN结的内阻较小,类似于开关闭合。

九、pn结最大电流?

二极管的最大电流参数相关的主要有:最大整流电流IF,是指二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关;正向峰值电流(正向最大电流)IFM(IM),是在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;反向峰值电流IRM;反向不重复峰值电流IRSM;最大稳压电流IZM,仅适用于稳压二极管。

二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。

十、pn结电流分类?

扩散,漂移,产生复合,遂穿,陷阱辅助遂穿。反向饱和电流有扩散和漂移。体漏电流有产生复合,遂穿,陷阱辅助遂穿。表面漏电流有表面产生复合,表面遂穿,表面沟道电流。

PN结

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

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