一、何为反向击穿?电流击穿和热击穿有何区别?
反向击穿,是器件在受到的反向电压超过了它的耐压极限时发生的器件毁坏,"击穿"意味着其失去了应有的阻值,内部短路,会影响电路正常运行。如二极管的反向电压参数就是防止其损坏的。电流击穿是器件受到超载荷电流使其损坏。热击穿是超出器件材料能承受的热量或环境温度过高,造成器件损坏。
二、led反向大电流会击穿吗?
是因静电电压超出LED芯片承受指标后,瞬间(nS)将两个电极层之间的某个小小的区域内产生放电,瞬间形成一个高温,将两个电极层间形成一个小小(比电极还要小几倍到几十倍吧)的‘坑’这个坑让两个电极层间有了一个电流回路,视静电强弱和放电速度不同,‘坑’大小也不同,从而LED的静电击穿的漏电也有所不同!轻微击穿的小‘坑’漏电为几微安,大的是毫安级别了;未被静电击伤的LED漏电流式是非常小的,几乎是0微安
LED反向击穿
通常是一个恒定的直流电压,电流大(安级别了吧)反向加到LED上,一旦LED承受了,也会将LED内部少穿,因为施加的这个电压是持续的,那么LED被烧穿后,很快就烧开路了
三、二极管在反向击穿区的反向电流是什么
二极管是一种常见的电子元件,广泛应用于各种电路中。在正常工作条件下,二极管只允许电流在一个方向上流动,这被称为正向电流。然而,在特定条件下,当电压超过二极管的击穿电压时,二极管会进入反向击穿区,这时会存在反向电流。
反向击穿是指当二极管处于反向击穿区时,反向电流迅速增大,电压几乎不变。反向击穿会导致二极管的失效,因此对于二极管的应用来说,了解反向击穿区的反向电流是非常重要的。
反向击穿区的反向电流特性
反向击穿区的反向电流特性取决于二极管的类型和制造工艺。以下是一些常见的反向电流特性:
- 反向饱和电流(IR):在反向击穿区,反向饱和电流是指二极管产生的最大反向电流。它是二极管在反向击穿时的最大电流值。
- 反向漏电流(IRL):反向漏电流是指二极管在反向击穿区时的稳定电流。它是二极管在反向击穿状态下的保持电流。
- 反向峰值电流(IRM):反向峰值电流是指二极管在反向击穿区时的瞬时峰值电流。它是二极管在反向击穿时的最大瞬时电流。
了解二极管在反向击穿区的反向电流特性对于电路设计和应用非常重要。通过正确选择二极管的类型和参数,可以避免反向击穿引起的损坏。
如何选择合适的二极管
在选择合适的二极管时,需要考虑以下因素:
- 反向击穿电压(VR):反向击穿电压是指二极管能够承受的最大反向电压。选择二极管时,需要确保其反向击穿电压大于实际应用中的最大反向电压。
- 反向饱和电流(IR):反向饱和电流是指二极管在反向击穿区的最大电流。选择二极管时,需要根据实际应用中的反向电流要求来确定。
- 反向漏电流(IRL):反向漏电流是指二极管在反向击穿区的稳定电流。选择二极管时,需要确保其反向漏电流符合实际应用的要求。
- 反向峰值电流(IRM):反向峰值电流是指二极管在反向击穿区的最大瞬时电流。选择二极管时,需要考虑实际应用中的反向电流峰值。
根据实际应用需求,选择合适的二极管可以确保电路的可靠性和稳定性。
总结
二极管在反向击穿区存在反向电流,这是由于特定条件下电压超过二极管的击穿电压引起的。了解二极管在反向击穿区的反向电流特性对于电路设计和应用非常重要。在选择二极管时,需要考虑反向击穿电压、反向饱和电流、反向漏电流和反向峰值电流等因素。
正确选择合适的二极管可以确保电路的可靠性和稳定性,避免反向击穿引起的损坏。
四、二极管在反向击穿区的反向电流是多少
在电子学中,二极管是一种常见且重要的电子元件。它具有只允许电流在一个方向流动的特性,因此被广泛用于电路中的整流和保护电路。二极管在正向工作区域的电流特性已经得到了广泛的研究和应用,但是在反向击穿区域的特性却相对较少被人们所了解。
当二极管的反向电压超过其额定反向击穿电压时,二极管处于反向击穿区域。在这个区域内,二极管的电流特性会发生很大的变化。那么,二极管在反向击穿区的反向电流是多少呢?让我们来详细探讨一下。
反向击穿区的反向电流特性
在反向击穿区域,二极管的反向电流会迅速增加,直到达到一定的稳定值。这个稳定值就是二极管在反向击穿区的反向电流。不同类型的二极管,在反向击穿区的反向电流特性上会有所不同。
理想二极管的反向电流
对于理想二极管来说,它在反向击穿区的反向电流可以近似认为是零。这是因为理想二极管在反向击穿时会变成一个完全断开的电路,不会有电流流过。
实际二极管的反向电流
然而,实际的二极管并不完全符合理想情况。在反向击穿区域,二极管的反向电流会有一个非零的值。这是由于反向击穿时,二极管内部的载流子会被加速,从而导致一小部分载流子穿过击穿区域,形成反向电流。
实际二极管的反向电流与反向击穿电压有关。通常情况下,反向击穿电压越高,反向电流也会越大。但是需要注意的是,反向电流并不是线性增加的,而是在达到一定电压后趋于稳定。
如何测量反向电流
测量二极管在反向击穿区的反向电流是十分重要的。这可以帮助我们了解二极管的性能,并在电路设计中进行合理的选择和应用。
为了测量反向电流,我们需要使用一台特殊的测量仪器——反向电流表。反向电流表可以接入二极管的反向电路中,准确测量电流的数值。
当测量反向电流时,需要注意以下几点:
1: 确保测量仪器的精度和灵敏度足够高,以保证测量结果的准确性。 2: 在测量前,应该将二极管预先放置在室温下,使其达到稳定状态。 3: 测量过程中,应该避免触碰二极管和测量仪器,以防止干扰测量结果。
应用领域和注意事项
二极管在反向击穿区的反向电流特性对于电子工程师和电路设计师来说是十分重要的。在实际应用中,我们需要根据电路的需求和特性选择合适的二极管。
在选择二极管时,除了要考虑其正向工作区域的性能外,还要了解其在反向击穿区的反向电流特性。这可以帮助我们在电路设计中避免过载和损坏的风险,提高电路的可靠性和稳定性。
需要注意的是,在实际应用中,我们应该尽量避免二极管进入反向击穿区域。因为反向击穿会导致电路的故障和损坏,甚至可能引起火灾和其他危险。
总结
二极管在反向击穿区的反向电流是一个重要的电性能指标。理解和测量二极管在反向击穿区的反向电流特性对于电子工程师和电路设计师来说是十分关键的。
通过测量二极管在反向击穿区的反向电流,我们可以选择合适的二极管,并在电路设计中合理应用,提高电路的可靠性和稳定性。
希望本文对您理解二极管在反向击穿区的反向电流特性有所帮助!
五、反向击穿原理?
反向击穿的现象发生在很多情况下面,比如二极管,三极管等等。
以二极管为例:二极管是正向导通的,二极管两端加反向电压时,电子不能通过二极管,使得二极管相当于断路,但是这个断路取决于把二极管反向接时,二极管两端的电压,如果这个反向电压足够大,二极管就被击穿了,此时这个击穿的反向电压就叫反向击穿电压。以下给出二极管反向击穿电压的理性定义:外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。
六、in4733的反向击穿的电流是多少?
1、反向击穿状态下电流最大允许值是178mA。
2、1N4733是齐纳稳压二极管。3、二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。七、apd反向击穿后还有电流通过吗?
APD(雪崩光电二极管)的反向击穿是指当反向电压达到一定值时,电子在半导体中发生雪崩效应,电流大幅增加。在反向击穿后,APD仍然有电流通过,且电流会急剧增加。但是,由于APD的特殊结构和工作原理,反向击穿后的电流并非无限增加,而是会稳定在一个较高的值。这种情况下,APD将维持在达到雪崩效应的电压下,保持稳定的放大倍数。需要注意的是,APD的反向击穿是一种受控的雪崩效应,即在特定电压下产生的电流是可调节的。这使得APD能够被设计为具有既高增益又稳定性能的光电探测器。当反向电流过大时,APD可能会受损或失效,因此在实际应用中需要进行合适的电流控制和保护措施。
八、普通二极管反向击穿后能自动恢复吗?反向击穿是只是瞬间而已,击穿电流应该不大?
不是所有的二极管都能回复,要看属于哪一种击穿。
二极管反向击穿齐纳击穿和雪崩击穿
因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性,一般发生在低反压、高掺杂的情况下是可以恢复的。
雪崩击穿是不可恢复的
九、二极管反向电流多少为击穿?
二极管只要在反向电压超过它的反向耐压值时,才会被击穿。
正常情况下,只有二极管两端的反向电压高于这只二极管的反向耐压值时,才会发生击穿现象。因为在二极管反向连接时,反向电流基本等于0(只存在非常小的漏电流),所以反向电流是不可能大于它的反向电流的。只有在二极管被反向电压击穿的一瞬间,会出现非常大的反向电流,所以二极管只能被反向电压击穿。
十、LED的反向击穿属于什么击穿类型?
LED的反向击穿输入雪崩击穿,材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。
这样通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下,使获得的能量增大。
在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对。
新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。
如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。