一、三极管的电流分配关系是怎么的？
发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
二、三极管各电极的电流分配关系是？
发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三、三极管的电流方向？
如果两个管脚的电流大小有明显区别，则那个明显小的电流为基极电流，其方向为流入三极管的是NPN管，基极电流流出三极管的是PNP管。如果两个管脚的电流很接近，则稍大一点点的那个电流是发射极电流，发射极电流方向为流入三极管的是PNP管，发射极电流方向为流出三极管的是NPN管。
四、三极管电流控制电流的表达式？
三极管的电流关系的表达式是:
Ie=Ib+Ic
即发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。
五、三极管电流方向？
我来说吧，三极管要放大，有两个条件：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射结是基极（P）指向发射极（N），集电结是基极（P）指向集电极（N）。
而且对于半导体来说，多子是携带电荷的主流，代表主要电流的方向。
先看发射极，由于是N区，多子是电子（负电）。由于发射结正偏，PN结内电场的方向从基极指向发射极，电子在电场内的运动与电场方向相反，所以电子（从电源负极出发）会向基极运动。直接越过PN结到达基极。由于基极很薄，而且浓度很低，所以电子流没有受到阻碍一直到达集电极——基极边界。而在这个地方，刚好是集电结反偏，也就是电场方向是从集电极指向基极，此时电子在电场的作用下，继续逆着电场方向运动（因为带负电），一直到集电极，并转入电源正极，这样完成了一个循环。由于电流的方向是正电子的运动方向，所以标注的电流方向与这个电子的运动方向相反，所以你看到的是电流从集电极流入到发射极流出。
PNP三极管的判断与这个很类似，你可以尝试一下。
六、三极管电流规律？
三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。扩展资料晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，称三极管处于截止状态
七、三极管的电流分类情况？
三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。
晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。
N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。
八、三极管的电流控制方式？
三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
三极管作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
九、三极管PNP的电流方向？
pnp管，集电极电流ic和基极电流ib流出管子。发射极电流ie流入管子。
Ie=Ic+Ib 是符合的，但是前面要加负号：-Ie=-(Ic+Ib)因为PNP型三极管的工作电源是-EC. 发射极接正电源。
十、pnp三极管的输出电流？
b极提供信号（输入） c提供能量 e输出 常用在模电
还有一个重要的特点：ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压 稳流等
饱和：利用它的开关特性 常用在数字电路
晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有npn和pnp两种结构形式，但使用最多的是硅npn和pnp两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍npn硅管的电流放大原理。
对于npn管，它是由2块n型半导体中间夹着一块p型半导体所组成，发射区与基区之间形成的pn结称为发射结,而集电区与基区形成的pn结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而c点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源ec要高于基极电源ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源eb重新补给，从而形成了基极电流ibo.根据电流连续性原理得：ie=ib+ic这就是说，在基极补充一个很小的ib，就可以在集电极上得到一个较大的ic，这就是所谓电流放大作用，ic与ib是维持一定的比例关系，即：β1=ic/ib式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△ic与基极电流的变化量△ib之比为：
β= △ic/△ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用
