一、mos栅管极电流与什么有关?
漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。 以N沟道增强型MOS管为例: 当Vgs一定时,Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象; 当Vgs>Vgsth增加时,Id也随之呈增大趋势。 以上是宏观特性,其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。
其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本,根据其自身特性进行具体分析。
二、MOS管电流噪音?
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的,但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的,amd耗电量较大,电流也大,所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况,可能有帮助。
三、mos管能控制电流吗?
能
MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上最常见的是增强型N沟通MOS管,厂家可以用一个电压来控制G的电压,MOS管导通电压一般在2-4V,不过要完全控制,这个值要上升到10V左右。
如果用D/A输出代替控制电压,则可以获得对MOS管的精确控制,我们以前实现过输出范围10-2000mA,步进1mA,输出电流精度正负1mA的水平。
四、mos管能放大电流吗?
MOS放大器是电压放大器。
它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。
它的放大原理简单说来就是,通过放大电路,MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。
然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。
这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。
也就是说输入电压得到放大了。
五、mos管驱动要电流吗?
驱动MOS管 ,理论上是不用电流的。
mos驱动需要的电压,而建立电压需要电流,建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高,分布参数大,则计算驱动电流误差较大,还是应该结合实际实验数据分析计算。
六、mos管的电流特性?
MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子,均属于增强型管;凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子,均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管,其工作原理:当栅极-源极电压变化时,将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。
电流流向:由漏极d流向源极s。
沟道开启条件:N沟道增强型场效应管:当VGS>VT(开启电压)时,衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层,使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量,该薄层转换为N型半导体,称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时,若在漏源间加电压 VDS,就能产生漏极电流 I D,即管子开启。 VGS值越大,沟道内自由电子越多,沟道电阻越小,在同样 VDS 电压作用下, I D 越大。这样,就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域:可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零,当VGS小于VT时,管子才导通,漏极-源极之间应加负电源电压。
七、mos管最大允许电流?
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌(或尖峰电流)流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后,只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后,还必须计算传导损耗。 在实际情况下,MOS晶体管不是理想的器件,因为在传导过程中会损失电能,这称为传导损耗。
八、mos管的栅电荷与什么有关?
栅极有个寄生电容,驱动的时候电流主要是给这个寄生电容充电,关断的时候电容就给地放电,假如你驱动电流频率是10K,那就是说每秒要给这个电容充电1万次,电容能量E=1/2CV平方,那么驱动功率W=E*K,电流在电阻上的回路几乎可以忽略,这就为什么说MOS管静态损耗小的原因,可是作为开关管的话,电流大小就跟频率成正比,栅极的寄生电容是并联在G S极的,这个就是回路。回答完毕
九、二极管正向电流过大
二极管正向电流过大的原因及解决方法
在电子电路中,二极管是一种常见的电子元件,它的主要功能是单向导电性。然而,如果二极管的正向电流过大,将会对其性能和寿命造成不利影响。本文将探讨二极管正向电流过大的原因及解决方法。
一、原因分析
- 1. 电路设计不合理:如果电路设计时没有考虑到二极管的规格和电路的工作条件,可能会导致二极管承受过大的正向电流。
- 2. 元器件参数偏差:二极管的生产过程中,其参数可能存在一定的偏差,导致其实际工作时的正向电流超过额定值。
- 3. 电路散热不良:如果电路的散热条件不佳,会导致二极管长时间工作在高温下,进一步增大正向电流,缩短其使用寿命。
二、解决方法
- 1. 优化电路设计:根据二极管的实际规格和电路的工作条件进行合理的设计,确保二极管不会承受过大的正向电流。
- 2. 选择高品质的二极管:选择品质可靠、参数稳定的二极管,可以减少正向电流过大的风险。
- 3. 加强电路的散热措施:为电路配备合适的散热设备,确保二极管工作时的温度不会过高。
- 4. 定期检查和维护:对电路进行定期的检查和维护,及时发现和解决潜在的问题。
总之,二极管正向电流过大会对电子电路的性能和稳定性造成不利影响。通过优化电路设计、选择高品质的元器件、加强散热措施以及定期检查和维护,我们可以有效地避免二极管正向电流过大的问题,提高电子电路的性能和稳定性。
十、mos管栅极电流是0吗?
mos管栅极驱动电流一般都是0,因为栅极和源极电阻是绝缘级的